【技术实现步骤摘要】
晶圆切割固定方法及其装置
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆切割固定方法及其装置。
技术介绍
在半导体制程中，为了将晶圆(wafer)切割成多个芯片(die)以做成不同的半导体封装结构，晶圆切割(wafersaw)是个极为关键的工艺环节。在晶圆切割的过程中，需要在保证每个芯片不受到损害的情况下将多个芯片分开，才能确保每个芯片的功能正常，但随着半导体工艺的发展，晶圆中的电路层变得更加精细与复杂，因此对于晶圆切割的切割质量也更加的要求。然而，由于在切割晶圆的过程中会产生许多切割应力，造成被切割的晶圆容易在其正面及背面产生碎裂(chipping)的现象。因此，有必要提供一种晶圆切割固定方法及其装置，以解决上述的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆切割固定方法及其装置。为了实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种晶圆切割固定方法，包括以下步骤：提供待切割晶圆于切割桌面，所述晶圆具有面向所述切割桌面的第一表面,以及背离所述第一表面的第二表面；使用切割刀片对所述晶...
【技术保护点】
1.一种晶圆切割固定方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供待切割晶圆于切割桌面，所述晶圆具有面向所述切割桌面的第一表面,以及背离所述第一表面的第二表面；/n使用切割刀片对所述晶圆从所述第二表面进行切割，且所述切割刀片具有垂直于所述第二表面的两侧面；以及/n在进行切割的同时，在所述切割刀片的所述两侧面旁，使用第一喷水器对所述晶圆的所述第二表面冲喷高压水柱，使所述晶圆往所述切割桌面方向被按压。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割固定方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供待切割晶圆于切割桌面，所述晶圆具有面向所述切割桌面的第一表面,以及背离所述第一表面的第二表面；
使用切割刀片对所述晶圆从所述第二表面进行切割，且所述切割刀片具有垂直于所述第二表面的两侧面；以及
在进行切割的同时，在所述切割刀片的所述两侧面旁，使用第一喷水器对所述晶圆的所述第二表面冲喷高压水柱，使所述晶圆往所述切割桌面方向被按压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提供所述待切割晶圆于所述切割桌面之前还包括下述步骤：
提供切割胶膜，包括基底层与设置于所述基底层上的黏合层，所述基底层设置于所述切割桌面上，并且所述黏合层与所述晶圆黏合。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括下述步骤：
自所述切割桌面，藉由真空吸附将所述晶圆吸附固定在所述切割桌面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高压水柱的压力为300至500千帕。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一喷水器喷出的所述高压水柱，相对于所述第二表面，呈非直交的倾斜角度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一喷水器包括多个第一喷水口，所述多个第一喷水口喷出的所述高压水柱相对于所述第二表面的角度各有不同。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行切割的同时还包括以下步骤：
使用第二喷水器对所述切割刀片的所述两侧面喷出水帘，用以降低所述切割刀片的所述两侧面温度；以及
使用第三喷水器对所述切割刀片与所述第二表面相接触的部位喷水。
8.一种晶圆切割固定装置，其特征在于，包括：
切割桌面，用以放置待切割的晶圆，并且所述晶圆具有面向所述切割桌面的第一表面,以及背离所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李明亮，陈鹏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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