一种多晶硅薄膜表面处理方法技术

一种多晶硅薄膜表面处理方法，其步骤包括有:提供基板，基板由下而上依序包括玻璃、氮化硅层、氧化硅层及非晶硅层，其中在非晶硅层上具有原生氧化层；对基板执行第一清洗步骤，以去除在基板的表面上的杂质；对已去除杂质的基板执行第一湿式蚀刻步骤，以移除在非晶硅层上的原生氧化层；对已移除在非晶硅层上的原生氧化层的基板执行第二清洗步骤，使得在非晶硅层上形成一层氧化层；对于具有氧化层的非晶硅层执行第二湿式蚀刻步骤，以移除在非晶硅层上的部份氧化层；对基板进行水洗及干燥；以及对非晶硅层执行激光照射步骤，使得非晶硅层形成具有粗糙度表面的多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅薄膜表面处理方法
本专利技术是涉及一种半导体
，特别是有关于一种多晶硅薄膜表面处理方法。
技术介绍
在现有技术中对于多晶硅薄膜的制作是对在基板上的多晶硅薄膜进行激光照射前的清洗及氧化层的成长。其中基板由下而上依序包括有玻璃、氮化硅(SiNx))层、氧化硅(SiOx)层，于氧化硅层上为非晶硅层，其清洗基板的步骤至少包含有：首先，利用浓度为20ppm－25ppm的臭氧水(Ozonewater)去除基板表面金属离子及有机物。随后利用浓度为0.5－1％的氢氟酸(HF)去除原生氧化层，其去除的厚度为2nm－4nm。接着，同样利用浓度为20ppm－25ppm的臭氧水在非晶硅表面上形成一层氧化层。接着再进行基板水洗并且干燥。最后进行准分子激光退火(excimerlaseranneal,ELA)工艺，以完成多晶硅的制作。根据上述方式所制作完成的多晶硅表面的平均粗糙度为10nm－13nm，而氮化硅层厚度为50nm－100nm、氧化硅层厚度为200nm－300nm以及非晶硅层厚度为40nm－60nm。然而根据上述的制程方法在制作多晶硅薄膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅薄膜表面处理方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜表面处理方法包括以下步骤：/n提供基板，所述基板由下而上依序包括有玻璃、氮化硅层、氧化硅层及非晶硅层，其中在所述非晶硅层上具有原生氧化层；/n对所述基板执行第一清洗步骤，以去除在所述基板的表面上的杂质；/n对已去除所述杂质的所述基板执行第一湿式蚀刻步骤，以移除在所述非晶硅层上的所述原生氧化层；/n对已移除在所述非晶硅层上的所述原生氧化层的所述基板执行第二清洗步骤，使得在所述非晶硅层上形成一层氧化层；/n对于具有所述氧化层的所述非晶硅层执行第二湿式蚀刻步骤，以移除在所述非晶硅层上的部份所述氧化层；/n对所述基板进行水洗及干燥；以及/n对所...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜表面处理方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜表面处理方法包括以下步骤：
提供基板，所述基板由下而上依序包括有玻璃、氮化硅层、氧化硅层及非晶硅层，其中在所述非晶硅层上具有原生氧化层；
对所述基板执行第一清洗步骤，以去除在所述基板的表面上的杂质；
对已去除所述杂质的所述基板执行第一湿式蚀刻步骤，以移除在所述非晶硅层上的所述原生氧化层；
对已移除在所述非晶硅层上的所述原生氧化层的所述基板执行第二清洗步骤，使得在所述非晶硅层上形成一层氧化层；
对于具有所述氧化层的所述非晶硅层执行第二湿式蚀刻步骤，以移除在所述非晶硅层上的部份所述氧化层；
对所述基板进行水洗及干燥；以及
对所述非晶硅层执行激光照射步骤，使得所述非晶硅层形成具有粗糙度表面的多晶硅层。


2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜表面处理方法，其特征在于，所述第一清洗步骤及所述第二清洗步骤是采用臭氧水来达成。


3.如权利要求2所述的多晶硅薄膜表面处理方法，其特征在于，所述臭氧水的浓度为20ppm－25ppm。


4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱均，
申请(专利权)人：陕西坤同半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61