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一种多晶硅薄膜表面处理方法，其步骤包括有:提供基板，基板由下而上依序包括玻璃、氮化硅层、氧化硅层及非晶硅层，其中在非晶硅层上具有原生氧化层；对基板执行第一清洗步骤，以去除在基板的表面上的杂质；对已去除杂质的基板执行第一湿式蚀刻步骤，以移除在...
该专利属于陕西坤同半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西坤同半导体科技有限公司授权不得商用。

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