【技术实现步骤摘要】
透射电子显微镜样品及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种透射电子显微镜样品及其制备方法。
技术介绍
现今，在半导体器件形成以后，需要对半导体器件进行失效分析，通常情况下，需要通过透射电子显微镜((Transmissionelectronmicroscope，TEM)这个高分辨的工具来进行观测。特别像纳米级的产品，大部分失效的半导体器需要在透射电子显微镜下才能观测到待分析物，得出问题所在，进而帮助改良工艺。通常情况下，通过提取半导体器件的部分，形成电子透射显微镜样品，以通过电子透射显微镜样品对半导体器件进行失效分析，然而，现有的透射电子显微镜样品在其制造过程中会出现形变的问题，因此会对半导体器件的失效分析造成影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种透射电子显微镜样品及其制备方法，以解决透射电子显微镜样品在形成过程中发生形变的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种透射电子显微镜样品的制备方法，包括：提供一待观测的半导体器件；提取所述半导体器件的部分至样品载体上...
【技术保护点】
1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述透射电子显微镜样品的制备方法包括：/n提供一待观测的半导体器件；/n提取所述半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同，所述第一方向为样品载体的延伸方向；/n对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。/n
【技术特征摘要】
1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述透射电子显微镜样品的制备方法包括：
提供一待观测的半导体器件；
提取所述半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同，所述第一方向为样品载体的延伸方向；
对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。
2.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述观测样品包括堆叠的第一样品部和第二样品部，所述第一样品部较所述第一样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部在所述第一方向上的宽度大于所述第二样品部在所述第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部和所述第二样品部在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
3.如权利要求2所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：
对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度；以及，
对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度从所述第一宽度减小至第二宽度，以形成所述第一样品部和所述第二样品部，所述第二样品部暴露出所述第一样品部中靠近所述第二样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在所述第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。
4.如权利要求3所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第二宽度为50nm～80nm。
5.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述观测样品包括依次堆叠的第一样品部、第二样品部和第三样品部，所述第一样品部较所述第二样品部和所述第三样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部、所述第二样品部和所述第三样品部在所述第一方向上的宽度依次减小；其中，所述第一样品部和所述第三样品部在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
6.如权利要求5所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：
对所述初...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋箭叶，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。