【技术实现步骤摘要】
一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构
本技术涉及金刚石制造领域,特别涉及一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构。
技术介绍
金刚石具有极高的硬度、热导率、绝缘性、光透过率,以及耐酸耐热、耐辐射等优异的物理、化学性能,可以广泛地应用于刀具、涂层、光学窗口、半导体、电子器件等领域。微波等离子体化学气相沉积法是目前国际上被用于高品质金刚石膜制备的首选方法。目前许多国家都在发展MPCVD技术,并开发出多种MPCVD设备。MPCVD设备是将微波发生器产生的微波经波导传输系统进入反应器,并通入甲烷与氢气的混合气体,在微波的激励下,在反应室内产生辉光放电,使反应气体的分子离化,产生等离子体,在基板台上沉积得到金刚石膜。基板台温度均匀性对金刚石膜的沉积有较大影响,基板台温度均匀时,有利于得到质量较高的金刚石膜。目前基板台的冷却结构为通过一根冷却管输送冷却液,冷却管通常通过螺纹固定,如果冷却管直线度不好或者螺纹连接处存在较大间隙,冷却管与基板台无法保证同轴,导致冷却液无法喷在基板台底部正中心,冷却液无法均匀覆 ...
【技术保护点】
1.一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构,包括基板台、支撑台,所述基板台设于支撑台上,所述支撑台内设有传输冷却液的冷却管,其特征在于所述冷却管上设有中心定位件,所述中心定位件用于将冷却管定位于基板台底部正中心位置。/n
【技术特征摘要】
1.一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构,包括基板台、支撑台,所述基板台设于支撑台上,所述支撑台内设有传输冷却液的冷却管,其特征在于所述冷却管上设有中心定位件,所述中心定位件用于将冷却管定位于基板台底部正中心位置。
2.根据权利要求1所述的MPCVD设备基板台冷却管定位结构,其特征在于:所述中心定位件包括定位套,所述定位套上设有用于冷却管定位的第一管孔,所述定位套安装于支撑台底部,所述定位套上设有通水孔。
3.根据权利要求2所述的MPCVD设备基板台冷却管定位结构,其特征在于:还包括支撑台连接件,所述支撑台连接件为中空结构,所述定位套安装于支撑台连接件上端,所述支撑台连接件连接于支撑台底部。
4.根据权利要求3所述的MPCVD设备基板台冷却管定位结构,其特征在于:所述支撑台连接件的上端及中部为中空结构,底部为封闭结构,所述支撑台连接件的底部设有用于冷却管穿过的第二管孔,所述支撑台连接件侧壁上安装有...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄翀,范杰,
申请(专利权)人:长沙新材料产业研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:湖南;43
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