【技术实现步骤摘要】
热电堆传感器的制作方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种热电堆传感器的制作方法。
技术介绍
热电堆(thermal-pile)是一种能将温差和电能相互转化的元件，其由两个或多个热电偶串接组成，各热电偶输出的热电势是互相叠加的，当热电堆的两边出现温差时，会产生电流。热电堆传感器可配置各种透镜和滤波器，从而实现在温度测量(额温枪、耳温枪、食品温度检测等)、气体成份的定性/定量分析、智能家电、灯具开关、医疗设备等多种应用场景中的应用。然而，现有的热电堆传感器的器件精度有待提高。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种热电堆传感器的制作方法，在简化工艺流程、降低工艺成本的同时，提高热电堆传感器的测量精度。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种热电堆传感器的制作方法，包括：提供热电堆结构板和基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；在所述热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有第一导电互连结构，所述第一导电互连结构电连接...
【技术保护点】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供热电堆结构板和基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；/n在所述热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有第一导电互连结构，所述第一导电互连结构电连接所述热电堆结构；/n在所述基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有牺牲结构，所述支撑结构的顶面露出所述牺牲结构；/n将所述热电堆结构板键合在所述支撑结构上，使所述第一互连层位于所述热电堆结构的下方，且在键合后，所述热电堆结构设置在所述牺牲结构的上方；/n在键合后，去除所述牺牲结构，形成第一空腔。/n
【技术特征摘要】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供热电堆结构板和基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；
在所述热电堆结构板上形成第一互连层，所述第一互连层中至少形成有第一导电互连结构，所述第一导电互连结构电连接所述热电堆结构；
在所述基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有牺牲结构，所述支撑结构的顶面露出所述牺牲结构；
将所述热电堆结构板键合在所述支撑结构上，使所述第一互连层位于所述热电堆结构的下方，且在键合后，所述热电堆结构设置在所述牺牲结构的上方；
在键合后，去除所述牺牲结构，形成第一空腔。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供热电堆结构板的步骤包括：提供半导体衬底；
对所述半导体衬底的部分区域进行N型离子掺杂和P型离子掺杂中的至少一种，以形成N型掺杂区和P型掺杂区中的至少一种，作为所述热电堆结构。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构板包括绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括由下而上依次堆叠的底层半导体层、绝缘层和顶层半导体层，所述热电堆结构形成于所述顶层半导体层中；
在键合后，去除所述牺牲结构之前，所述制作方法还包括：去除所述底层半导体层。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑结构中还形成有热辐射反射板，所述热辐射反射板位于所述牺牲结构的下方。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑结构还包括第一钝化层，所述第一钝化层的顶面为平面；
所述牺牲结构位于所述第一钝化层中，所述第一钝化层的顶面露出所述牺牲结构。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成支撑结构的步骤包括：在所述基板上形成牺牲结构；
在所述基板上形成覆盖所述牺牲结构的侧壁的第一钝化层。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成支撑结构的步骤包括：在所述基板上形成具有凹槽的第一钝化层；
在所述凹槽内填充牺牲结构。
8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述支撑结构的步骤还包括：在形成所述第一钝化层之前，在所述基板上形成热辐射反射板。
9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述支撑结构的步骤还包括：形成填充在所述凹槽内的牺牲结构之前，在所述凹槽中形成热辐射反射板，所述热辐射反射板位于所述凹槽底部或者保形覆盖于所述凹槽的底部和侧壁。
10.如权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，形成所述热辐射反射板的步骤包括：先...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。