一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺，包括以下步骤：步骤一，激光切割；步骤二，离子刻蚀；步骤三，一次清洗；步骤四，真空溅射；步骤五，研磨抛光；步骤六，二次清洗；步骤七，性能测试；该发明专利技术用氯化氢、硫酸、氢氧化铵和去离子水混合制备而成的清洗液对工件进行两次的超声波清洗，从而彻底去除了工件表面的残余物和污染物等杂质，确保了半导体的金属化过程，提高了半导体制冷片的质量，用石英、二氧化硅、氢氧化钠、聚乙烯醇、磷酸和过氧化氢混合制备而成的抛光液对工件进行研磨抛光，提高了工件的表面处理效果，提升了工件的研磨抛光精度，降低了金属化工艺的次品率，减少了半导体制冷片的金属化成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺
本专利技术涉及半导体制冷片生产
，具体为一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺。
技术介绍
半导体制冷片，也叫热电制冷片，是一种热泵。它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片由许多N型半导体和P型半导体之颗粒互相排列而成，而NP之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最后由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好。目前，行业内主要通过金属化工艺将一层导电金属薄膜淀积在N型半导体和P型半导体的表面，在N型半导体和P型半导体之间形成良好的欧姆接触。然而，传统的半导体制冷片生产用金属化工艺大多存在以下问题：其一，通常采用中高温金属化工艺，而部分导电金属材料在高温状态下极易出现相互扩散问题，导致半导体的性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺，包括以下步骤：步骤一，激光切割；步骤二，离子刻蚀；步骤三，一次清洗；步骤四，真空溅射；步骤五，研磨抛光；步骤六，二次清洗；步骤七，性能测试；其特征在于：/n其中在上述步骤一中，将半导体基板放置到激光切割机上，裁切成预制形状的半导体基片；/n其中在上述步骤二中，将步骤一中制好的半导体基片放入低温等离子刻蚀机中，再注入适量的刻蚀气体，使刻蚀气体经耦合辉光放电后产生高密度的低温等离子体，对半导体基片的表面进行轰击，打断半导体材料的化学键，生成挥发性物质，以气体形式脱离半导体基片并从真空管路被抽走，在半导体基片上刻蚀出预制形状的连接线路，制得半导体刻蚀片；/n...

【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺，包括以下步骤：步骤一，激光切割；步骤二，离子刻蚀；步骤三，一次清洗；步骤四，真空溅射；步骤五，研磨抛光；步骤六，二次清洗；步骤七，性能测试；其特征在于：
其中在上述步骤一中，将半导体基板放置到激光切割机上，裁切成预制形状的半导体基片；
其中在上述步骤二中，将步骤一中制好的半导体基片放入低温等离子刻蚀机中，再注入适量的刻蚀气体，使刻蚀气体经耦合辉光放电后产生高密度的低温等离子体，对半导体基片的表面进行轰击，打断半导体材料的化学键，生成挥发性物质，以气体形式脱离半导体基片并从真空管路被抽走，在半导体基片上刻蚀出预制形状的连接线路，制得半导体刻蚀片；
其中在上述步骤三中，将步骤二中制好的半导体刻蚀片放入超声波清洗机中，再加入适量的清洗液，使清洗液在超声波的振荡下对半导体刻蚀片表面的加工残余物和加工污染物等杂质进行全面的清洗，取出后热风烘干；
其中在上述步骤四中，将步骤三中洗好的半导体刻蚀片放入真空溅射镀膜机中，再加入适量的靶材料固板，利用高能粒子撞击靶材料固板，使撞出的靶材料原子穿过真空，溅射并淀积在半导体刻蚀片表面的连接线路中，镀上预制形状的导电金属膜，制得低温金属化半成品；
其中在上述步骤五中，将步骤四中制好的低温金属化半成品放置到化学机械研磨机台上，再加入适量的抛光液，使抛光液在离心力的作用下，均匀分布于低温金属化半成品表面和抛光垫之间，与低温金属化半成品表面残留的杂质产生化学反应，并通过抛光垫和抛光头的微机械摩擦作用，将反应产物从低温金属化半成品的表面去除，溶入流动的抛光液中带走，制得表面平坦化、导电金属膜厚度均匀的低温金属化成品；
其中在上述步骤六中，将步骤五中制好的低温金属化成品放入超声波清洗机中，再加入适量的清洗液，使清洗液在超声波的振荡下对低温金属化成品表面的加工残余物和加工污染物等杂质进行全面的清洗，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邝桂英，马秉华，李竹强，刘连峰，邝俊群，
申请(专利权)人：郴州华太科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43