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本发明公开了一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺，包括以下步骤：步骤一，激光切割；步骤二，离子刻蚀；步骤三，一次清洗；步骤四，真空溅射；步骤五，研磨抛光；步骤六，二次清洗；步骤七，性能测试；该发明用氯化氢、硫酸、氢氧化铵和去离子水混合制备而...
该专利属于郴州华太科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过郴州华太科技有限责任公司授权不得商用。

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