一种增强光热电效应的结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种增强光热电效应的结构及其制备方法，结构包括从下到上依次设置的基底、金属层和石墨烯层。金属层包括多个周期排列的金属单元，金属单元包括第一金属膜、第二金属膜和光刻胶，第一金属膜设置在基底上，光刻胶一端设置在基底上，另一端与第二金属膜一端连接，第二金属膜另一端与石墨烯层连接，第一金属膜和第二金属膜的厚度相同。本发明专利技术在使用时，入射光照射在第一金属膜上，第一金属膜与石墨烯层之间形成F‑P腔体，增强了第一金属膜间隙上方的石墨烯的电场强度，增强了该处石墨烯的光吸收，提高了石墨烯层的光吸收率。

【技术实现步骤摘要】
一种增强光热电效应的结构及其制备方法
本专利技术涉及光热电转换
，特别是涉及一种增强光热电效应的结构及其制备方法。
技术介绍
石墨烯等二维材料因其特殊的性质，在许多方面表现出令人惊讶的潜力，如光热电探测方面，因石墨烯的各项特性获得了极大的发展。但是由于石墨烯等二维材料的厚度极薄，其光吸收率始终是一个难以克服的问题，其中石墨烯的厚度仅有0.34nm，光的吸收率仅为2.3％。过低的光吸收率使得光热电的转化效率难以提升。当前常用的提升石墨烯光热电效率的方式，是使用金属微纳结构来实现表面等离激元共振。但这种方法因对结构要求过高，不能广泛应用。因此如何提升石墨烯的光吸收效果成为当今市场，以及科研的首要问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种增强光热电效应的结构及其制备方法，以提高石墨烯的光吸收率。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：一种增强光热电效应的结构的制备方法，包括：准备基底；在所述基底上旋涂光刻胶并烘干；在烘干后的基底上设计目标结构图形并用电子束曝光所述图形；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强光热电效应的结构的制备方法，其特征在于，包括：/n准备基底；/n在所述基底上旋涂光刻胶并烘干；/n在烘干后的基底上设计目标结构图形并用电子束曝光所述图形；/n将曝光后的基底进行显影、定影并再次烘干；/n对再次烘干的基底进行金属镀膜；/n将石墨烯铺到镀膜后的金属结构上。/n

【技术特征摘要】
1.一种增强光热电效应的结构的制备方法，其特征在于，包括：
准备基底；
在所述基底上旋涂光刻胶并烘干；
在烘干后的基底上设计目标结构图形并用电子束曝光所述图形；
将曝光后的基底进行显影、定影并再次烘干；
对再次烘干的基底进行金属镀膜；
将石墨烯铺到镀膜后的金属结构上。


2.根据权利要求1所述的增强光热电效应的结构的制备方法，其特征在于，所述准备基底，具体为：
准备厚度为1.0mm，长宽为10.0mm×10.0mm的导电玻璃作为基底，将基底依次用去离子水、丙酮、酒精超声15分钟，然后再用去离子水超声5分钟后用氮气枪吹干。


3.根据权利要求1所述的增强光热电效应的结构的制备方法，其特征在于，所述将曝光后的基底进行显影、定影并再次烘干，具体为：
将甲基二戊酮与异丙醇以体积比为3:1配合制成显影液，将曝光后的基底放入所述显影液中1分钟浸泡显影，将浸泡显影后的基底放入定影液中1分钟浸泡定影后再次烘干。


4.一种增强光热电效应的结构的制备方法，其特征在于，包括：
准备基底；
在所述基底上旋涂光刻胶并烘干；
在烘干后的基底上设计目标结构图形并用电子束曝光所述图形；
将曝光后的基底进行显影、定影并再次烘干；
对再次烘干的基底进行二氧化硅镀膜；
剥离镀膜二氧化硅后的基底上的光刻胶；
对剥离光刻胶的基底进行金属镀膜；
将石墨烯铺到镀膜后的金属结构上。


5.根据权利要求1所述的增强光热电效应的结构的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44