热电堆传感器的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种热电堆传感器的制作方法，包括：提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射隔离区；在所述电路基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有自下而上纵向堆叠的热辐射隔离板和牺牲结构，所述热辐射隔离板和牺牲结构至少覆盖所述热辐射隔离区；将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成有支撑结构一侧的表面上，使所述热辐射感应区与所述热辐射隔离区垂直对应；去除所述牺牲结构，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成第一空腔。所述热电堆传感器的制作方法可以提高热电堆传感器的测量精度。

【技术实现步骤摘要】
热电堆传感器的制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种热电堆传感器的制作方法。
技术介绍
热电堆传感器是一种温度检测装置，通过将感应到的红外信息按一定规律变换成为对应的信号输出，以实现对温度的检测。随着微电子机械系统(MEMS)技术的迅猛发展，基于MEMS微机械加工技术制作的微型化热电堆传感器以其尺寸小、价格低等优势被广泛应用于测温、气体传感、光学成像等领域。然而，现有的热电堆传感器的器件精度有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种热电堆传感器的制作方法，以提高器件的精度。为解决上述问题，本专利技术提供一种热电堆传感器的制作方法，所述方法包括：提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射隔离区；在所述电路基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有自下而上纵向堆叠的热辐射隔离板和牺牲结构，所述热辐射隔离板和牺牲结构至少覆盖所述热辐射隔离区；将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射隔离区；/n在所述电路基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有自下而上纵向堆叠的热辐射隔离板和牺牲结构，所述热辐射隔离板和牺牲结构至少覆盖所述热辐射隔离区；/n将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成有支撑结构一侧的表面上，使所述热辐射感应区与所述热辐射隔离区垂直对应；/n去除所述牺牲结构，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成第一空腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射隔离区；
在所述电路基板上形成支撑结构，所述支撑结构中形成有自下而上纵向堆叠的热辐射隔离板和牺牲结构，所述热辐射隔离板和牺牲结构至少覆盖所述热辐射隔离区；
将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成有支撑结构一侧的表面上，使所述热辐射感应区与所述热辐射隔离区垂直对应；
去除所述牺牲结构，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成第一空腔。


2.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热辐射感应区内还形成有与所述热电堆结构电连接的第一互连结构；
将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成有支撑结构一侧的表面上之后，所述第一互连结构位于所述热电堆结构的下方。


3.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述提供热电堆结构板的步骤包括：
提供第一衬底；
对所述第一衬底的部分区域进行N型离子掺杂，以形成N型掺杂区，对所述第一衬底的部分区域进行P型离子掺杂，以形成P型掺杂区，所述N型掺杂区和P型掺杂用于作为热电堆结构。


4.如权利要求3所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述第一衬底为绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括由下而上依次堆叠的底层半导体层、绝缘层和顶层半导体层，所述热电堆结构形成于所述顶层半导体层中；
在将所述热电堆结构板键合在所述电路基板形成有支撑结构一侧的表面上后，去除所述牺牲结构之前，所述热电堆传感器的制作方法还包括：去除所述底层半导体层。


5.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述形成支撑结构的步骤中，所述支撑结构包围在所述热辐射隔离板和牺牲结构的周围，所述支撑结构的表面为平面。


6.如权利要求5所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热辐射隔离板和牺牲结构的形成步骤，包括：
在所述电路基板上形成至少覆盖所述热辐射隔离区的热辐射隔离板；
在所述热辐射隔离板的上方形成牺牲结构，所述牺牲结构至少覆盖所述热辐射隔离区。


7.如权利要求6所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上形成至少覆盖所述热辐射隔离区的热辐射隔离板，包括：
形成覆盖所述电路基板的隔离材料层；
形成覆盖所述隔离材料层的第一钝化材料层；
去除所述热辐射隔离区外的隔离材料层、第一钝化材料层，以剩余的隔离材料层为热辐射隔离板，以剩余的第一钝化材料层为第一钝化层。


8.如权利要求6所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上形成至少覆盖所述热辐射隔离区的热辐射隔离板，包括：
形成覆盖所述电路基板的第一支撑材料层；
去除所述热辐射隔离区内的介质材料层，形成隔离沟槽，以剩余的第一支撑材料层作为所述支撑结构；
依次形成保形覆盖所述支撑介质层和所述隔离沟槽的隔离材料层、第一钝化材料层，所述第一钝化材料层位于所述隔离材料层的上方；
去除所述隔离沟槽外的隔离材料层、第一钝化材料层，以剩余的隔离材料层为热辐射隔离板，以剩余的第一钝化材料层为第一钝化层。


9.如权利要求7或8所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述热辐射隔离板的上方形成牺牲结构，包括：
形成完全覆盖所述电路基板具有所述热辐射隔离板一侧的牺牲材料层；
去除所述热辐射隔离区外的牺牲材料层，以剩余的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31