【技术实现步骤摘要】
半导体器件及形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及形成方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，在制造半导体器件的过程中，半导体器件的可靠性不足。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种半导体器件及形成方法，能够提高半导体器件的可靠性。第一方面，本专利技术提供了一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供衬底；刻蚀所述衬底的部分区域，以在所述衬底中形成开口；在所述开口的侧壁形成复合隔离层，形成所述复合隔离层的方法包括：在开口的侧壁交替形成第一材料层和第二材料层，所述复合隔离层包括多层第一材料层和多层第二材料层；在所述开口中形成覆盖复合隔离层的金属层。可选的，形成所述复合隔离层的方法包括：采用原子层沉积工艺交替沉积第一材料层和第二材料层。可选的，所述复合隔离层的外层为第一材料层，所述复合隔离层的内层为第一材料层。可选的，所述复合隔离层的外层为第一材料层，所述复合隔离层的内层
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底；/n刻蚀所述衬底的部分区域，以在所述衬底中形成开口；/n在所述开口的侧壁形成复合隔离层，形成所述复合隔离层的方法包括：在开口的侧壁交替形成第一材料层和第二材料层，所述复合隔离层包括多层第一材料层和多层第二材料层；/n在所述开口中形成覆盖复合隔离层的金属层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
刻蚀所述衬底的部分区域，以在所述衬底中形成开口；
在所述开口的侧壁形成复合隔离层，形成所述复合隔离层的方法包括：在开口的侧壁交替形成第一材料层和第二材料层，所述复合隔离层包括多层第一材料层和多层第二材料层；
在所述开口中形成覆盖复合隔离层的金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述复合隔离层的方法包括：
采用原子层沉积工艺交替沉积第一材料层和第二材料层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合隔离层的外层为第一材料层，所述复合隔离层的内层为第一材料层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合隔离层的外层为第一材料层，所述复合隔离层的内层为第二材料层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料层的材料为钴，所述第二材料层的材料为钌。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料层的材料为钌或钴，所述第一材料层的材料为氮化钛或氮化钽。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各层第一材料层的厚度为4埃-10埃；各层第二材料层的厚度为4埃-10埃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合隔离层的厚度为30埃-80埃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述金属层之前，对所述复合隔离层进行退火处理，以使复合隔离层的材料为合金材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述退火处理包括：
在惰性气氛中，在200℃-400℃的温度下退火1分钟-10分钟。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层包括种子层和电镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐利云，杨明，刘继全，付文标，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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