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本发明提供了一种半导体器件及形成方法。本发明中通过交替沉积第一材料层和第二材料层能够形成厚度较薄的复合隔离层，且复合隔离层的厚度均匀，在开口的上端和下端的厚度能够基本一致。能够避免由于复合隔离层的厚度不均，而出现开口的上端尺寸过小的现象，为...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。