【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高性能专用集成电路(ASIC)应用的大型深沟槽电容器管芯填充相关申请的交叉引用本申请是2019年3月19日提交的美国专利申请第16/358,197号的继续申请，该申请要求2018年11月16日提交的美国临时专利申请第62/768,689号的申请日的权益，所有这些申请都以引用方式并入本文中。
技术介绍
计算机处理器需要稳定的电源电压来正常工作。噪声、小故障、电压跌落、尖峰电压和与提供给处理器的恒定、稳定电压的其它偏差可能导致位错误(biterrors)，并且在极端情况下会损坏处理器中的晶体管。去耦电容器放置在处理器附近的电源线上，用来平滑在处理器处观察到的电源电压。在一些情况下，电容器可以设置在处理器封装上或封装内；但是，处理器封装内的空间是有限的。
技术实现思路
至少一个方面涉及一种处理器组件。该处理器组件包括：中介件(interposer)，该中介件设置在基板上；集成电路，该集成电路设置在中介件上；存储器电路，该存储器电路设置在中介件上并耦合到集成电路；和电容器，该电容器嵌入中介件中。电容器包括至少由非平...
【技术保护点】
1.一种处理器组件，包括：/n中介件，所述中介件被设置在基板上；/n集成电路，所述集成电路被设置在所述中介件上；/n存储器电路，所述存储器电路被设置在所述中介件上并且被耦合到所述集成电路；和/n电容器，所述电容器被嵌入所述中介件中，所述电容器包括：/n由非平面电介质结构分隔的至少第一非平面导体结构和第二非平面导体结构；/n第一电容器端子，所述第一电容器端子将所述第一非平面导体结构电耦合到所述集成电路中的第一电压端子；/n第二电容器端子，所述第二电容器端子将所述第二非平面导体结构电耦合到所述集成电路中的第二电压端子；和/n氧化物层，所述氧化物层将所述电容器与所述中介件电隔离。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181116 US 62/768,689;20190319 US 16/358,1971.一种处理器组件，包括：
中介件，所述中介件被设置在基板上；
集成电路，所述集成电路被设置在所述中介件上；
存储器电路，所述存储器电路被设置在所述中介件上并且被耦合到所述集成电路；和
电容器，所述电容器被嵌入所述中介件中，所述电容器包括：
由非平面电介质结构分隔的至少第一非平面导体结构和第二非平面导体结构；
第一电容器端子，所述第一电容器端子将所述第一非平面导体结构电耦合到所述集成电路中的第一电压端子；
第二电容器端子，所述第二电容器端子将所述第二非平面导体结构电耦合到所述集成电路中的第二电压端子；和
氧化物层，所述氧化物层将所述电容器与所述中介件电隔离。
2.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述集成电路中的所述第一电压端子被耦合到所述集成电路的互补金属氧化物半导体电路中的漏极电压。
3.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述集成电路中的所述第二电压端子被耦合到所述集成电路的互补金属氧化物半导体中的源极电压。
4.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述第一电容器端子和所述第二电容器端子在所述基板上方延伸到与所述集成电路和所述存储器电路相同的高度。
5.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述非平面电介质结构包括第一电介质部分和第二电介质部分，所述第一电介质部分被定位在垂直于所述基板的平面中，所述第二电介质部分被定位在平行于所述基板的平面中。
6.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述非平面电介质结构包括波纹结构，所述波纹结构具有第一多个电介质层部分，所述第一多个电介质层部分被定位在平行于所述基板的第一平面中，并且在每一侧处通过被定位在垂直于所述基板的第二平面中的相应的第二多个电介质层部分和第三多个电介质层部分接合。
7.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述第一电容器端子被电耦合到所述存储器电路中的第一电压端子，并且所述电容器中的所述第二端子被电耦合到所述存储器电路中的第二电压端子。
8.根据权利要求1所述的处理器组件，还包括在所述集成电路、所述存储器电路和所述电容器上方的保护盖层，其中，所述保护盖层在覆盖所述集成电路、所述存储器电路和所述电容器的区域中具有均匀的厚度。
9.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述电容器基本上覆盖所述中介件的未被所述集成电路和所述存储器电路所覆盖的区域。
10.根据权利要求1所述的处理器组件，其中，所述电容器减轻所述处理器组件在大约30-200MHz的范围内的谐振。
11.一种系统，包括：
印刷电路板；
处理器组件，所述处理器组件包括：
中介件...
【专利技术属性】
技术研发人员：权云成，金楠勋，特克久·康，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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