静电吸盘和衬底固定装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种静电吸盘和衬底固定装置，该静电吸盘包括：至少一个导体层；静电电极；以及基体，静电电极埋入在基体中，基体具有第一介电层，静电电极安装在第一介电层上，基体具有堆叠在第一介电层上并覆盖静电电极的第二介电层。导体层形成在第一介电层的与安装静电电极的表面相反的表面上。第二介电层具有面向第一介电层的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，并且第二表面是放置吸附对象的放置表面。第一介电层的相对介电常数低于第二介电层的相对介电常数。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘和衬底固定装置
本专利技术涉及一种静电吸盘和衬底固定装置。
技术介绍
在现有技术中，在半导体器件的制造中使用的成膜装置和等离子蚀刻装置均具有用于将晶片准确地保持在真空处理腔内的台部。作为该台部，例如，提出了一种衬底(基片)固定装置，其构造为通过安装在基板上的静电吸盘来吸附和保持晶片。在解除吸附时，静电吸盘中可能保留有吸力，从而要考虑针对残余吸力的对策。作为一个实例，存在包括这样的装置的衬底固定装置：其用于去除水分并且能够防止水分附着到静电吸盘和吸附对象之间的接触表面。该衬底固定装置防止了这样的情况：水分附着到静电吸盘和吸附对象之间的接触表面，使得相对介电常数增大而增大残余吸力，从而显著地劣化吸附对象与静电吸盘的分离能力(例如，参考PTL1)。引文列表专利文献[PTL1]JP-A-2004-260142然而，由于水分不是使残余吸力增大的唯一因素，因此需要能够减小残余吸力的新的措施。
技术实现思路
本公开的非限制性实施例的一个方面是提供一种能够减小残余吸力的静电吸盘和衬底固定装置。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘，包括：/n至少一个导体层；/n静电电极；以及/n基体，所述静电电极埋入在所述基体中，所述基体具有第一介电层，所述静电电极安装在所述第一介电层上，所述基体具有堆叠在所述第一介电层上并覆盖所述静电电极的第二介电层，/n其中，所述至少一个导体层形成在所述第一介电层的与安装有所述静电电极的表面相反的表面上，/n所述第二介电层具有面向所述第一介电层的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，并且所述第二表面是放置吸附对象的放置表面，并且/n所述第一介电层的相对介电常数低于所述第二介电层的相对介电常数。/n

【技术特征摘要】
20190620 JP 2019-114452;20200207 JP 2020-0194591.一种静电吸盘，包括：
至少一个导体层；
静电电极；以及
基体，所述静电电极埋入在所述基体中，所述基体具有第一介电层，所述静电电极安装在所述第一介电层上，所述基体具有堆叠在所述第一介电层上并覆盖所述静电电极的第二介电层，
其中，所述至少一个导体层形成在所述第一介电层的与安装有所述静电电极的表面相反的表面上，
所述第二介电层具有面向所述第一介电层的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面，并且所述第二表面是放置吸附对象的放置表面，并且
所述第一介电层的相对介电常数低于所述第二介电层的相对介电常数。


2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述第一介电层和所述第二介电层由陶瓷制...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀内道夫，津野将弥，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP