带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡（BaF ）晶体制造技术

带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡（ＢａＦ＃－［２］）晶体，涉及氟化钡晶体的镀膜和改善晶体性能技术，适用于高能物理、核医学、γ射线天文学、物理勘探。通过在氟化钡（ＢａＦ＃－［２］）晶体表面镀覆光谱选择性多层膜系，将多层光学滤光膜系直接镀制在氟化钡（ＢａＦ＃－［２］）晶体表面，镀膜系总厚度仅为１μｍ左右，结构紧凑，不增加任何体积，并使得晶体的闪烁光快慢成分比例由０．１６提高到１２．８，即多层光学膜系统对氟化钡（ＢａＦ＃－［２］）晶体的闪烁光快慢成分的抑制比达到８０倍。本发明专利技术晶体具有很好的使用前景。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡(BaF2)晶体，涉及氟化钡晶体的镀膜和改善晶体性能技术，适用于高能物理、核医学、γ射线天文学、物理勘探。
技术介绍
1971年，Farukhi等人在对氟化钡晶体发光特性的研究中发现，它受粒子激发后能发生峰值波长为325nm，衰减时间常数为0.63μs的磷光成分。1983年，Laval等人发现氟化钡晶体另一发光成分，即衰减时间常数仅为600ps，发射峰为220和195nm的快分量，使氟化钡成为目前已知的最快的闪烁体。同时它长期以来又被认为是最抗辐照的无机闪烁体，因此作为一种快速、耐辐照的闪烁体受到人们的重视。纯氟化钡晶体大约20％的发光分量为快分量，80％的发光分量为慢分量，慢分量在计数率为105以上时会出现堆积，严重影响快分量在高计数率中的应用，如能减轻这种由于慢分量引起的信号堆积，可很大地拓展氟化钡(BaF2)晶体在超快探测领域的应用范围。为此人们进行了许多研究，采取了许多改善的方法，以使能得到很好的效果。第一种方法是采用只对快分量敏感的探测器，如采用光敏气体TMAE。快分量能使它电离，慢分量对它不起作用，但这种探测器制作技术要求高，量子效率也本文档来自技高网...

【技术保护点】
带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡（ＢａＦ↓［２］）晶体，其特征在于：利用镀膜机内的电子枪加热装置，在真空室、真空室的压强降低至６×１０↑［－４］Ｐａ、保持室温条件下，在氟化钡（ＢａＦ↓［２］）晶体表面镀覆由氟化镁（ＭｇＦ↓［２］），氧化铝（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）及金属铝（Ａｌ）组成的镀覆材料，镀覆层为１４层，其结构为：Ｇｌａｓｓ／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／ＭｇＦ↓［２］／Ａｌ／ＭｇＦ↓［２］／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］／ＭｇＦ↓［２］／Ａｌ／ＭｇＦ↓［２］／Ａｌ↓［２］Ｏ↓ ［３］／ＭｇＦ↓［２］／Ａｌ／ＭｇＦ↓［２］／Ａｌ／ＭｇＦ↓［２］／ａｉｒ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永刚，顾牡，陈玲燕，曹二华，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]