基于离子交换的脊形光波导器件的制作方法技术

基于离子交换的脊形光波导器件的制作方法，其特征在于它包括如下两个工艺步骤： １）将整片制作波导的基底材料放入熔融的硝酸钾溶液中进行离子交换，离子交换的温度大于硝酸钾的熔点３３０℃而小于基底的熔化温度，扩散时间为５～１０小时，已能形成波导为判断标准，最终得到平板波导； ２）对做好的平板波导进行离子束刻蚀，刻蚀过程如下：用预先设计好的掩模版进行光刻，光刻胶采用剥离胶；然后在做好光刻的基底上蒸发一层金属Ｃｒ或Ｎｉ；用丙酮去胶进行剥离，使得基底上的Ｃｒ或Ｎｉ金属图形为预先设计图形；干法刻蚀，采用反应离子刻蚀或感应耦合离子刻蚀方法，得到脊形波导。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光通讯集成波导器件领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着光纤通信的发展，平面集成光路(PLC)越来越受到人们的重视，目前光波导的制作主要在Si、InP、LiNbO3、GaAs、玻璃等衬底材料上完成。通过基于这些材料的光波导技术，可以制作功分器、光放大器、方向耦合器、波分复用器等DWDM系统组件。基于PLC的集成型波分复用器是光纤通信系统中的核心器件，用来将不同波长的光合成复合光，以及将复合光中不同波长的光分离出来。衍射蚀刻光栅(EDG)型波分复用/解复用器是平面波导密集波分复用器件中很有发展潜力的一种，和其它类型的波分解复用器(如阵列波导光栅型解复用器)相比，它有集成度高结构紧凑、波长分辨率高等优点，适用于多通道的波长分离。制作光波导的常规工艺一般有刻蚀和扩散。在利用刻蚀工艺的光波导中，目前使用最为广泛的是掩埋型硅基二氧化硅光波导。它的制作过程如下首先在硅片上沉积两层二氧化硅薄膜，上层为芯层，下层为缓冲层，通过调节工艺参数使芯层的折射率高于缓冲层。然后通过干法刻蚀将芯层刻为条形波导。然后再沉积一层二氧化硅薄膜，作为包层。包层折射率和缓冲层的折射率均小于芯层折射率，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：文泓桥，何赛灵，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：