适应存储器装置预期寿命的垃圾数据收集制造方法及图纸

本申请涉及适应存储器装置预期寿命的垃圾数据收集。论述了用于使存储器装置中的垃圾数据收集GC操作适应经估计装置使用年限的系统和方法。示例性存储器装置包含存储器控制器，用于：跟踪实际装置使用年限；使用物理写入计数和所述存储器装置的预期使用寿命内的总写入次数确定装置磨损度量；估计磨损所指示的装置使用年限；以及根据所述磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的相对关系来调整将通过GC操作释放的存储器空间量。所述存储器控制器还可根据所述磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的相对关系，在单层级单元SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间动态地重新分配所述存储器单元的一部分。

【技术实现步骤摘要】
适应存储器装置预期寿命的垃圾数据收集
本公开涉及存储器装置，具体地说，涉及适应存储器装置预期寿命的垃圾数据收集。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在不被供电时保持所存储的数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)或3DXPointTM存储器等等。快闪存储器用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管浮动栅极或电荷阱存储器单元的一或多个群组。两个常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND和NOR架构，以每一者的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n一组存储器单元；以及/n存储器控制器，其包含：/n装置使用年限跟踪器电路，其经配置以：/n跟踪实际装置使用年限，并使用物理写入计数和所述存储器装置的预期使用寿命内的总写入次数来确定装置磨损度量，所述物理写入计数表示在所述所跟踪的实际装置使用年限内累积的物理地写入到所述存储器单元的数据量；以及/n根据所述所确定的装置磨损度量来估计磨损所指示的装置使用年限；/n垃圾数据收集GC控制器，其经配置以根据所述所估计的磨损所指示的装置使用年限与所述所跟踪的实际装置使用年限的相对关系来调整将通过所述一组所述存储器单元的一部分上的GC操作释放的存储器空间量。/n

【技术特征摘要】
20190619 US 16/445,7691.一种存储器装置，其包括：
一组存储器单元；以及
存储器控制器，其包含：
装置使用年限跟踪器电路，其经配置以：
跟踪实际装置使用年限，并使用物理写入计数和所述存储器装置的预期使用寿命内的总写入次数来确定装置磨损度量，所述物理写入计数表示在所述所跟踪的实际装置使用年限内累积的物理地写入到所述存储器单元的数据量；以及
根据所述所确定的装置磨损度量来估计磨损所指示的装置使用年限；
垃圾数据收集GC控制器，其经配置以根据所述所估计的磨损所指示的装置使用年限与所述所跟踪的实际装置使用年限的相对关系来调整将通过所述一组所述存储器单元的一部分上的GC操作释放的存储器空间量。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述GC控制器经配置以生成当在所述装置存储器中存在空闲的存储器空间可用于主机写入时发起自行决定的GC操作的控制信号。


3.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述装置使用年限跟踪器电路经配置以：
跟踪表示主机请求写入到所述存储器单元的数据量的主机写入计数；
跟踪写入放大度量；以及
使用所述所跟踪的总主机写入计数和所述所跟踪的写入放大来确定所述物理写入计数。


4.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述装置使用年限跟踪器电路经配置以使用所述存储器装置的所述预期使用寿命和所述所确定的装置磨损度量来估计所述磨损所指示的装置使用年限。


5.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述GC控制器经配置以使用所述所估计的磨损所指示的装置使用年限与所述实际装置使用年限的比较来调整将通过GC操作释放的所述存储器空间量。


6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述装置使用年限跟踪器电路经配置以使用所述存储器装置的内部振荡器或实时时钟来跟踪所述实际装置使用年限。


7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述GC控制器经配置以：
在所述实际装置使用年限超过所述磨损所指示的装置使用年限达指定容限的情况下增加将通过GC操作释放的所述存储器空间量；或
在所述实际装置使用年限比所述磨损所指示的装置使用年限小指定容限的情况下阻止GC操作或减少将通过GC操作释放的所述存储器空间量。


8.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其进一步包括单层级单元SLC高速缓存控制器，其经配置以根据所述所估计的磨损所指示的装置使用年限与所述所跟踪的实际装置使用年限相对关系来调整SLC高速缓存的大小，包含所述存储器单元的一部分在所述SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间的重新分配。


9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述SLC高速缓存控制器经配置以：
在所述实际装置使用年限超过所述磨损所指示的装置使用年限达指定容限的情况下增加所述SLC高速缓存大小，包含减少所述SLC高速缓存中的存储器单元到所述MLC存储装置的所述重新分配；或
在所述实际装置使用年限比所述磨损所指示的装置使用年限小指定容限的情况下减少所述SLC高速缓存大小，包含增加所述SLC高速缓存中的存储器单元到所述MLC存储装置的所述重新分配。


10.根据权利要求3所述的存储器装置，其中分配为所述MLC存储装置的所述存...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁卿，何德平，D·A·帕尔默，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US