适于主机写入活动的垃圾收集制造技术

本申请涉及适于主机写入活动的垃圾收集。描述用于针对主机写入活动调适存储器装置中的垃圾收集GC操作的系统和方法。主机写入进程可由实际主机写入计数与目标主机写入计数的相对关系表示。所述主机写入活动可按例如每天等单位时间估计，或在指定时间周期内累计。存储器控制器可根据所述主机写入进程调整待由GC操作释放的存储器空间量。所述存储器控制器还可根据所述主机写入进程在单层级单元SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间动态地再分配所述存储器单元的一部分。

【技术实现步骤摘要】
适于主机写入活动的垃圾收集
本申请涉及存储器装置。
技术介绍
通常将存储器装置提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在不被供电时保存所存储的数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)，或3DXPointTM存储器等等。快闪存储器用作广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管浮动栅极或电荷阱存储器单元的一或多个群组。两种常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND和NOR架构，所述架构以每一个的基本存储器单元配置所布置的逻辑形式来命名。存储器阵列的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n存储器单元的群组；以及/n存储器控制器，其包含：/n工作负荷跟踪器电路，其经配置以跟踪表示实际主机写入计数与目标主机写入计数的相对关系的主机写入进程度量，所述实际主机写入计数表示在指定时间周期期间由主机请求写入到所述存储器单元的实际数据量，且所述目标主机写入计数表示预期在相同指定时间周期期间待由所述主机请求写入到所述存储器单元的目标数据量；以及/n垃圾收集GC控制器，其经配置以根据所跟踪的主机写入进程度量调整待由所述存储器单元的所述群组的一部分上的GC操作释放的存储器空间量。/n

【技术特征摘要】
20190619 US 16/445,7381.一种存储器装置，其包括：
存储器单元的群组；以及
存储器控制器，其包含：
工作负荷跟踪器电路，其经配置以跟踪表示实际主机写入计数与目标主机写入计数的相对关系的主机写入进程度量，所述实际主机写入计数表示在指定时间周期期间由主机请求写入到所述存储器单元的实际数据量，且所述目标主机写入计数表示预期在相同指定时间周期期间待由所述主机请求写入到所述存储器单元的目标数据量；以及
垃圾收集GC控制器，其经配置以根据所跟踪的主机写入进程度量调整待由所述存储器单元的所述群组的一部分上的GC操作释放的存储器空间量。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述GC控制器经配置以：
在所述实际主机写入计数比所述目标主机写入计数小指定容限的情况下增加待由GC操作释放的所述存储器空间量，且在所述实际主机写入计数比所述目标主机写入计数大指定容限的情况下阻止GC操作或减小待由GC操作释放的所述存储器空间量；以及
当所述装置存储器中存在可用于主机写入的空闲存储器空间时产生起始自行决定的GC操作的控制信号。


3.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其进一步包括单层级单元SLC高速缓存控制器，所述单层级单元SLC高速缓存控制器经配置以根据所述所跟踪的主机写入进程度量调整SLC高速缓存的大小，包含所述存储器单元的一部分在所述SLC高速缓存和多层级单元MLC存储装置之间的再分配。


4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述SLC高速缓存控制器经配置以：
在所述实际主机写入计数比所述目标主机写入计数小指定容限的情况下增加所述SLC高速缓存大小，包含减少所述SLC高速缓存中的存储器单元到所述MLC存储装置的所述再分配；或
在所述实际主机写入计数比所述目标主机写入计数大指定容限的情况下减小所述SLC高速缓存大小，包含增加所述SLC高速缓存中的存储器单元到所述MLC存储装置的所述再分配。


5.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中分配为所述MLC存储装置的所述存储器单元存储每存储器单元三个或三个以上数据位。


6.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述实际主机写入计数包含所写入的实际每日主机字节，且其中所述目标主机写入计数包含预期写入到所述存储器装置的目标每日数据量。


7.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述实际主机写入计数包含在指定时间周期内累计的所写入的实际累计主机字节，且其中所述目标主机写入计数包含预期在所述指定时间周期内待写入到所述存储器装置的目标累计数据量。


8.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述实际主机写入计数包含每编程/擦除P/E循环写入的主机字节的估计值，且其中所述目标主机写入计数包含预期每P/E循环待写入到所述存储器装置的目标数据量。


9.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中所述实际主机写入计数包含在指定数目的编程/擦除P/E循环内写入的实际累计主机字节，且其中所述目标主机写入计数包含预期在所述指定数目的P/E循环内待写入到所述存储器装置的目标累计数据量。


10.根据权利要求1或2所述的存储器装置，其中：
所述工作负荷跟踪器电路经配置以跟踪表示在指定时间周期内累计的物理地写入到所述存储器单元的数据量的实际累计物理写入计数；且
所述GC控制器经配置以使用所跟踪实际累计物理写入计数与目标累计物理写入计数的相对关系调整...

【专利技术属性】
技术研发人员：何德平，梁卿，D·A·帕尔默，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US