一种气帘结构及晶圆移送装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体领域，公开一种气帘结构及晶圆移送装置，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；环形框架内侧环绕设置有多个与进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过环形框架的工件喷射气体；环形框架内侧环绕设置有凹槽，凹槽内设置有多个与排气组件连通的排气孔；控制箱分别与进气组件和排气组件连接，用于控制喷嘴组和排气孔的过气量。本实用新型专利技术用于去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，以抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。

【技术实现步骤摘要】
一种气帘结构及晶圆移送装置
本技术涉及半导体
，特别涉及一种气帘结构及晶圆移送装置。
技术介绍
半导体制造工艺中，晶圆需要在晶圆移送装置、真空装置以及工艺装置之间进行移送，若晶圆在上一工艺过程中接触了工艺气体，晶圆表面常常会残留上一工艺的工艺气体，而晶圆移送装置处于大气环境，这些工艺气体和大气里包含的氧气或水分发生反应可能产生氧化物，导致晶圆图案不良或装置内部被污染，更为严重的，若残余的工艺气体和水分发生反应形成腐蚀物质，则可能使晶圆图案腐蚀甚至装置内部部件腐蚀，缩短装置的使用寿命，降低半导体生产率。现有的耐腐蚀性半导体设备基本上使用内部不腐蚀的材料或后处理的方法。虽然有使工艺气体或氧化物迅速排出的装置，或者是将工艺结束的晶圆暂时保管在特定装置里排出残留工艺气体的装置，或者是将晶圆移送装置内部环境换成惰性气体之一的氮气环境，抑制大气中的氧气和水分发生反应的装置，但是从排出工艺气体到保护晶圆和设备都有一定的局限性。
技术实现思路
本技术公开了一种气帘结构及晶圆移送装置，用于去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气帘结构，其特征在于，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；/n所述环形框架内侧环绕设置有多个与所述进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过所述环形框架的工件喷射气体；/n所述环形框架内侧环绕设置有凹槽，所述凹槽内设置有多个与所述排气组件连通的排气孔；/n所述控制箱分别与所述进气组件和所述排气组件连接，用于控制所述喷嘴组和所述排气孔的过气量。/n

【技术特征摘要】
1.一种气帘结构，其特征在于，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；
所述环形框架内侧环绕设置有多个与所述进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过所述环形框架的工件喷射气体；
所述环形框架内侧环绕设置有凹槽，所述凹槽内设置有多个与所述排气组件连通的排气孔；
所述控制箱分别与所述进气组件和所述排气组件连接，用于控制所述喷嘴组和所述排气孔的过气量。


2.根据权利要求1所述的气帘结构，其特征在于，沿所述工件穿过所述环形框架的方向，所述凹槽位于所述喷嘴组前方。


3.根据权利要求1所述的气帘结构，其特征在于，所述环形框架为矩形，所述喷嘴组包括第一喷嘴组、第二喷嘴组、第三喷嘴组和第四喷嘴组，其中，所述第一喷嘴组和所述第二喷嘴组位于所述环形框架两个相对的侧边，所述第三喷嘴组和所述第四喷嘴组位于所述环形框架另外两个相对的侧边。


4.根据权利要求3所述的气帘结构，其特征在于，所述喷嘴组包括与所述进气组件连通的进气口及喷嘴，所述喷嘴具有平行于所述环形框架侧边的长条形喷气口。


5.根据权利要求3所述的气帘结构，其特征在于，所述排气孔包括第一排气孔组、第二排气孔组、第三排气孔组和第四排气孔组，其中，所述第一排气孔组和所述第二排气孔组位于所述环形框架两个相...

【专利技术属性】
技术研发人员：权起大，朴大正，柳相元，
申请(专利权)人：合肥欣奕华智能机器有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34