一种气帘结构及晶圆移送装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体领域，公开一种气帘结构及晶圆移送装置，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；环形框架内侧环绕设置有多个与进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过环形框架的工件喷射气体；环形框架内侧环绕设置有凹槽，凹槽内设置有多个与排气组件连通的排气孔；控制箱分别与进气组件和排气组件连接，用于控制喷嘴组和排气孔的过气量。本实用新型专利技术用于去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，以抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。

【技术实现步骤摘要】
一种气帘结构及晶圆移送装置
本技术涉及半导体
，特别涉及一种气帘结构及晶圆移送装置。
技术介绍
半导体制造工艺中，晶圆需要在晶圆移送装置、真空装置以及工艺装置之间进行移送，若晶圆在上一工艺过程中接触了工艺气体，晶圆表面常常会残留上一工艺的工艺气体，而晶圆移送装置处于大气环境，这些工艺气体和大气里包含的氧气或水分发生反应可能产生氧化物，导致晶圆图案不良或装置内部被污染，更为严重的，若残余的工艺气体和水分发生反应形成腐蚀物质，则可能使晶圆图案腐蚀甚至装置内部部件腐蚀，缩短装置的使用寿命，降低半导体生产率。现有的耐腐蚀性半导体设备基本上使用内部不腐蚀的材料或后处理的方法。虽然有使工艺气体或氧化物迅速排出的装置，或者是将工艺结束的晶圆暂时保管在特定装置里排出残留工艺气体的装置，或者是将晶圆移送装置内部环境换成惰性气体之一的氮气环境，抑制大气中的氧气和水分发生反应的装置，但是从排出工艺气体到保护晶圆和设备都有一定的局限性。
技术实现思路
本技术公开了一种气帘结构及晶圆移送装置，用于去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，以抑制残留气体对晶圆甚至对装置架的损害。为达到上述目的，本技术提供以下技术方案：本技术提供一种气帘结构，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；所述环形框架内侧环绕设置有多个与所述进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过所述环形框架的工件喷射气体；所述环形框架内侧环绕设置有凹槽，所述凹槽内设置有多个与所述排气组件连通的排气孔；所述控制箱分别与所述进气组件和所述排气组件连接，用于控制所述喷嘴组和所述排气孔的过气量。上述气帘结构中进气组件内的气体经环形框架上的多个喷嘴组在环形框架内侧形成空气帘。当该气帘结构应用于晶圆移送装置中时，穿过气帘结构的工件为晶圆，进气组件经多个喷嘴组喷射压缩气体或者惰性气体以将穿过环形框架的晶圆表面的残留气体吹入环形框架的凹槽内，然后通过气帘结构的排气组件经凹槽内的多个排气孔将凹槽内的残留气体排出，在此过程中，控制箱通过进气组件和排气组件控制喷嘴组和排气孔的过气量。由此可知，本技术提供的气帘结构可以有效去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，有效抑制残留气体对晶圆甚至对装置的损害，延长设备的使用寿命，提高产品合格率。可选地，沿所述工件穿过所述环形框架的方向，所述凹槽位于所述喷嘴组前方。可选地，所述环形框架为矩形，所述喷嘴组包括第一喷嘴组、第二喷嘴组、第三喷嘴组和第四喷嘴组，其中，所述第一喷嘴组和所述第二喷嘴组位于所述环形框架两个相对的侧边，所述第三喷嘴组和所述第四喷嘴组位于所述环形框架另外两个相对的侧边。可选地，所述排气孔包括第一排气孔组、第二排气孔组、第三排气孔组和第四排气孔组，其中，所述第一排气孔组和所述第二排气孔组位于所述环形框架两个相对的侧边，所述第三排气孔组和所述第四排气孔组位于所述环形框架另外两个相对的侧边。可选地，所述喷嘴组包括与所述进气组件连通的进气口及喷嘴，所述喷嘴具有平行于所述环形框架侧边的长条形喷气口。可选地，所述进气组件包括气体加热器以及连通所述喷嘴组和所述气体加热器的进气管道。可选地，所述进气组件还包括与所述进气管道连接的过滤器，所述过滤器位于所述气体加热器与所述喷嘴组之间。可选地，所述进气管道包括并联设置的第一进气管道和第二进气管道，与所述第一进气管道连通的喷嘴组和与所述第二进气管道连通的喷嘴组相对。可选地，所述排气组件包括与所述控制箱连接的排气泵以及连通所述排气孔和所述排气泵的排气管道。可选地，所述控制箱包括供气部和流量调节部，所述供气部通过所述流量调节部与所述进气组件连接。可选地，所述控制箱还包括与所述供气部连接的供气管道，所述供气管道上设有控制所述供气管道通断的阀门。本技术还提供一种晶圆移送装置，包括上述的任一种气帘结构。附图说明图1为本技术实施例提供的一种气帘结构的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种气帘结构中环形框架的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种气帘结构中环形框架的剖面结构示意图。图中：1-环形框架；2-进气组件；3-排气组件；4-控制箱；10-凹槽；11-喷嘴组；110-进气口；21-气体加热器；22-进气管道；23-过滤器；30-排气孔；31-排气泵；41-供气管道。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1至图3所示，本技术实施例提供了一种气帘结构，包括：环形框架1、进气组件2、排气组件3和控制箱4；环形框架1内侧环绕设置有多个与进气组件2连通的喷嘴组11，用于向穿过环形框架1的工件喷射气体；环形框架1内侧环绕设置有凹槽10，凹槽10内设置有多个与排气组件3连通的排气孔30；控制箱4分别与进气组件2和排气组件3连接，用于控制喷嘴组11和排气孔30的过气量。上述气帘结构中进气组件2内的气体经环形框架1上的多个喷嘴组11在环形框架1内侧形成空气帘。当该气帘结构应用于晶圆移送装置中时，穿过气帘结构的工件为晶圆，进气组件2经多个喷嘴组11喷射压缩气体或者惰性气体以将穿过环形框架1的晶圆表面的残留气体吹入环形框架1的凹槽10内，然后通过气帘结构的排气组件3经凹槽10内的多个排气孔30将凹槽10内的残留气体排出，在此过程中，控制箱4通过进气组件2和排气组件3控制喷嘴组11和排气孔30的过气量。由此可知，本技术提供的气帘结构可以有效去除晶圆表面残留的工艺气体同时防止其他气体附着到晶圆表面，有效抑制残留气体对晶圆甚至对装置的损害，延长设备的使用寿命，提高产品合格率。需要说明的是，为了便于喷嘴组11将晶圆表面残留的工艺气体或者氧化物颗粒等吹入环形框架1的凹槽10内，沿工件穿过环形框架1的方向，喷嘴组11与凹槽10错位设置。一种具体的实施例中，沿工件穿过环形框架1的方向，凹槽10位于喷嘴组11前方，喷嘴组11喷射方向朝向凹槽10的开口处。可选地，环形框架1为矩形，喷嘴组11包括第一喷嘴组、第二喷嘴组、第三喷嘴组和第四喷嘴组，其中，第一喷嘴组和第二喷嘴组位于环形框架1两个相对的侧边，第三喷嘴组和第四喷嘴组位于环形框架1另外两个相对的侧边。可选地，排气孔30包括第一排气孔组、第二排气孔组、第三排气孔组和第四排气孔组，其中，第一排气孔组和第二排气孔组位于环形框架1两个相对的侧边，第三排气孔组和第四排气孔组位于环形框架1另外两个相对的侧边。可选地，喷嘴组11包括与进气组件2连通的进气口110及喷嘴，其中，喷嘴具有平行于环形框架侧边的长条形喷气口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气帘结构，其特征在于，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；/n所述环形框架内侧环绕设置有多个与所述进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过所述环形框架的工件喷射气体；/n所述环形框架内侧环绕设置有凹槽，所述凹槽内设置有多个与所述排气组件连通的排气孔；/n所述控制箱分别与所述进气组件和所述排气组件连接，用于控制所述喷嘴组和所述排气孔的过气量。/n

【技术特征摘要】
1.一种气帘结构，其特征在于，包括：环形框架、进气组件、排气组件和控制箱；
所述环形框架内侧环绕设置有多个与所述进气组件连通的喷嘴组，用于向穿过所述环形框架的工件喷射气体；
所述环形框架内侧环绕设置有凹槽，所述凹槽内设置有多个与所述排气组件连通的排气孔；
所述控制箱分别与所述进气组件和所述排气组件连接，用于控制所述喷嘴组和所述排气孔的过气量。


2.根据权利要求1所述的气帘结构，其特征在于，沿所述工件穿过所述环形框架的方向，所述凹槽位于所述喷嘴组前方。


3.根据权利要求1所述的气帘结构，其特征在于，所述环形框架为矩形，所述喷嘴组包括第一喷嘴组、第二喷嘴组、第三喷嘴组和第四喷嘴组，其中，所述第一喷嘴组和所述第二喷嘴组位于所述环形框架两个相对的侧边，所述第三喷嘴组和所述第四喷嘴组位于所述环形框架另外两个相对的侧边。


4.根据权利要求3所述的气帘结构，其特征在于，所述喷嘴组包括与所述进气组件连通的进气口及喷嘴，所述喷嘴具有平行于所述环形框架侧边的长条形喷气口。


5.根据权利要求3所述的气帘结构，其特征在于，所述排气孔包括第一排气孔组、第二排气孔组、第三排气孔组和第四排气孔组，其中，所述第一排气孔组和所述第二排气孔组位于所述环形框架两个相...

【专利技术属性】
技术研发人员：权起大，朴大正，柳相元，
申请(专利权)人：合肥欣奕华智能机器有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34