一种测卷绕镀膜机Plasma温度的装置及方法制造方法及图纸

一种测卷绕镀膜机Plasma温度的装置及方法，该方法包括以下步骤：a.包括依次设置的放卷室、放卷辊轴、放卷导向辊、镀膜鼓、收卷导向轴、收卷辊轴，镀膜鼓外套设有镀膜室，镀膜室内均匀设置气体挡板，气体挡板将镀膜室和镀膜鼓之间隔成若干个镀膜腔室，每个镀膜腔室安装有靶材；b.在镀膜腔室的两个气体挡板靠近镀膜鼓的位置上设置Mask挡板，Mask挡板上均匀设置有热电偶；c.热电偶与测温仪相连；d.镀膜机抽真空，待真空达到要求值，进行开靶作业；e.设定不同的靶位功率，同时通入氩气，通过测温仪得到不同功率下的Plasma温度。此方法比感温纸测试方法精确，灵敏度高；可根据需要，测试一定时间内Plasma温度变化情况；成本低，可多次使用。

【技术实现步骤摘要】
一种测卷绕镀膜机Plasma温度的装置及方法
本专利技术属于大型卷绕镀膜机
，具体地说涉及大型卷绕镀膜机的Plasma温度监测方法及系统。
技术介绍
工业上在真空中把金属、合金或化合物进行溅射，使其沉积在在被涂覆的材料上的方法称为真空镀膜法。在材料表面上镀上一层薄膜，就能使该材料具有许多新的物理和化学性能。磁控溅射技术是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电粒子在电场加速后撞击被溅射的物质，即我们通常说的靶材，然后将靶材原子溅射出来使其以一定速度沉积到基材表面，从而形成固定膜材。基片温度是决定薄膜结构的重要因素，温度的高低会对薄膜结构造成重要影响。一般来说，基片温度越高，越容易发生原子吸附、迁移和重排，增强凝聚过程，提高结晶度；但如果基片温度过高，可能导致热损伤、大内应力和金属电极的热迁移。这是由于温度直接影响沉积原子在基片上的活动能力，从而决定了薄膜的成分、结构、晶粒平均大小、晶面取向以及不完整的数量、种类和分布。因此有必要对卷绕镀膜过程中的基片温度进行测量，从而合理控制基片温度的大小，进而合理的指导生产过程中的温度大小。但卷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测卷绕镀膜机Plasma温度的方法，其特征在于：包括以下步骤：/na.包括依次设置的放卷室、放卷辊轴、放卷导向辊、镀膜鼓、收卷导向轴、收卷辊轴，镀膜鼓（4）外套设有镀膜室（13），镀膜室（13）内均匀设置气体挡板（14），气体挡板将镀膜室和镀膜鼓之间隔成若干个镀膜腔室，每个镀膜腔室安装有靶材；/nb.在镀膜腔室的两个气体挡板靠近镀膜鼓的位置上设置Mask挡板（15），Mask挡板上均匀设置有热电偶（16）；/nc.热电偶与测温仪相连；/nd.镀膜机抽真空，待真空达到要求值，进行开靶作业；/ne.设定不同的靶位功率，同时通入氩气通过测温仪得到不同功率下的Plasma温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种测卷绕镀膜机Plasma温度的方法，其特征在于：包括以下步骤：
a.包括依次设置的放卷室、放卷辊轴、放卷导向辊、镀膜鼓、收卷导向轴、收卷辊轴，镀膜鼓（4）外套设有镀膜室（13），镀膜室（13）内均匀设置气体挡板（14），气体挡板将镀膜室和镀膜鼓之间隔成若干个镀膜腔室，每个镀膜腔室安装有靶材；
b.在镀膜腔室的两个气体挡板靠近镀膜鼓的位置上设置Mask挡板（15），Mask挡板上均匀设置有热电偶（16）；
c.热电偶与测温仪相连；
d.镀膜机抽真空，待真空达到要求值，进行开靶作业；
e.设定不同的靶位功率，同时通入氩气通过测温仪得到不同功率下的Plasma温度。


2.根据权利要求书所述的测卷绕镀膜机Plasma温度的方法，其特征在于：所述步骤b热电偶与镀膜鼓镀膜面平行。


3.根据权利要求1所述的测卷绕镀膜机Plasma温度的方法，其特征在于：步骤a的镀膜鼓并列设置两个，分别为第一镀膜鼓（4）和第二镀膜鼓（17），两镀膜鼓之间设...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭海滨，徐娟，郑辉，刘河潮，杨琼，徐彦，杨红新，
申请(专利权)人：华北水利水电大学，
类型：发明
国别省市：河南;41