【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有整合遮件库的预清洁腔室
本公开的实施例一般关于基板处理腔室的领域,且更具体地关于具有整合遮件库(shuttergarage)的预清洁腔室。
技术介绍
传统的半导体器件形成通常在一个或多个处理腔室中执行,处理腔室具有在受控处理环境中处理基板(如半导体晶片)的能力。为了维持工艺均匀性并确保处理腔室的最佳性能,周期性地执行各种调节操作。例如,在物理气相沉积(PVD)处理腔室中,一种常用的调节操作是“预烧(burn-in)”工艺,其中用等离子体离子撞击设置在PVD处理腔室中的靶以在执行基板处理之前,从靶去除氧化物或其他污染物。另一个常用的调节操作是“黏贴”工艺,其中在沉积于处理腔室表面上的材料上施加覆盖物,以防止材料从处理腔室表面剥落并在随后的工艺中污染基板。另一个操作是“预清洁”操作。在预清洁腔室中使用预清洁工艺来原位去除有机残留物和原生氧化物确保了清洁的表面,从而促进低接触电阻和优异的附着力。在所有的上述调节/预清洁操作中,遮盘可经由传送机器人定位在处理腔室中设置的基板支撑件的顶部上,以防止任何材料沉积在基板支撑件上。遮盘通常包括具有足够的机械刚度的材料,足以抵抗由于沉积材料的额外重量引起的变形。例如,遮盘通常包括金属合金,诸如不锈钢或陶瓷(如碳化硅)。然而,专利技术人已经观察到在调节和预清洁工艺中,遮盘会加热。由于盘上的热梯度和/或沉积,遮盘可能产生来自遮盘的顶表面和底表面之间的热失配的应力,例如,导致遮盘变形(例如,在端部弯曲)。这种翘曲/变形产生间隙,这导致等离子体通过该间隙暴露于基板支撑件。基 ...
【技术保护点】
1.一种预清洁基板处理腔室,包括:/n腔室主体,其中所述腔室主体包括第一侧和第二侧,所述第一侧被配置成附接于主框架基板处理工具,所述第二侧与所述第一侧相对设置;/n基板支撑件,当基板安置在所述基板支撑件上时,所述基板支撑件被配置成支撑所述基板;/n遮盘库,所述遮盘库设置在所述处理腔室的所述第二侧上;及/n遮盘组件机构,所述遮盘组件机构包括:/n可旋转的轴;及/n机器人遮件臂,所述机器人遮件臂耦接到所述轴,其中所述机器人遮件臂包括遮盘组件支撑部分,当遮盘组件安置在所述遮盘组件支撑部分上时,所述遮盘组件支撑部分被配置成支撑所述遮盘组件,以及其中所述遮盘组件机构被配置成将所述机器人遮件臂在储存位置与处理位置之间移动,所述储存位置在所述遮件库内,所述处理位置在所述处理腔室内且在所述基板支撑件上方。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180512 US 62/670,7491.一种预清洁基板处理腔室,包括:
腔室主体,其中所述腔室主体包括第一侧和第二侧,所述第一侧被配置成附接于主框架基板处理工具,所述第二侧与所述第一侧相对设置;
基板支撑件,当基板安置在所述基板支撑件上时,所述基板支撑件被配置成支撑所述基板;
遮盘库,所述遮盘库设置在所述处理腔室的所述第二侧上;及
遮盘组件机构,所述遮盘组件机构包括:
可旋转的轴;及
机器人遮件臂,所述机器人遮件臂耦接到所述轴,其中所述机器人遮件臂包括遮盘组件支撑部分,当遮盘组件安置在所述遮盘组件支撑部分上时,所述遮盘组件支撑部分被配置成支撑所述遮盘组件,以及其中所述遮盘组件机构被配置成将所述机器人遮件臂在储存位置与处理位置之间移动,所述储存位置在所述遮件库内,所述处理位置在所述处理腔室内且在所述基板支撑件上方。
2.如权利要求1所述的预清洁基板处理腔室,其中所述预清洁基板处理腔室是经组合以形成多腔室群集工具的多个腔室中的一个腔室。
3.如权利要求1所述的预清洁基板处理腔室,其中所述预清洁基板处理腔室被配置用于执行预清洁和/或陈化工艺。
4.如权利要求1所述的预清洁基板处理腔室,其中所述预清洁基板处理腔室包括一个或多个侧壁,且其中所述一个或多个侧壁中的一个包括遮盘组件端口。
5.如权利要求4所述的预清洁基板处理腔室,其中所述遮件库附接于所述处理腔室的所述第二侧的外表面。
6.如权利要求5所述的预清洁基板处理腔室,其中所述遮盘组件机构被配置用于经由所述遮盘组件端口在所述遮件库内的所述储存位置与所述处理腔室内的所述处理位置之间移动所述机器人遮件臂和所述遮盘组件。
7.如权利要求4所述的预清洁基板处理腔室,其中所述遮盘组件端口被壳体覆盖,所述壳体被配置用于保持所述预清洁基板处理腔室的处理容积内的真空。
8.如权利要求1所述的预清洁基板处理腔室,其中所述遮盘组件机构进一步包括致动器,所述致动器耦接到所述机器人遮件,所述致动器被配置用于控制所述机器人遮件臂的位置。
9.如权利要求1至8中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员:CH·M·蔡,A·朱普迪,S·巴布,M·科帕,H·高滨,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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