【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用电压和电流测量来控制双区陶瓷基座相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月7日提交的美国专利申请No.15/972,850的优先权。以上引用的申请的全部公开内容通过引用合并于此。
本公开涉及用于ALD衬底处理室的温度可调基座。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。衬底处理系统可用于处理衬底，例如半导体晶片。衬底处理的示例包括蚀刻、沉积、光致抗蚀剂去除等。在处理期间，将衬底布置在衬底支撑件上，例如静电卡盘上，并且可以将一种或多种工艺气体引入处理室中。一种或多种工艺气体可以通过气体输送系统输送到处理室。在一些系统中，气体输送系统包括歧管，该歧管通过一个或多个导管连接至位于处理室中的喷头。在一些示例中，工艺使用原子层沉积(ALD)以在衬底上沉积薄膜。
技术实现思路
一种用于衬底处理系统的控制器包括...
【技术保护点】
1.一种用于衬底处理系统的控制器，所述控制器包括：/n电阻计算模块，其被配置为：(i)接收分别与衬底支撑件的第一加热器元件和第二加热器元件相对应的第一电流和第二电流，(ii)接收分别与所述第一加热器元件和所述第二加热器元件相对应的第一电压和第二电压，(iii)基于所述第一电压和所述第一电流计算所述第一加热器元件的第一电阻，并且(iv)基于所述第二电压和所述第二电流计算所述第二加热器元件的第二电阻；和/n温度控制模块，其被配置为分别基于所述第一电阻和所述第二电阻以及相应的在(i)所述第一电阻和所述衬底支撑件的第一区域的第一温度之间的关系和在(ii)所述第二电阻和所述衬底支撑件...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180507 US 15/972,8501.一种用于衬底处理系统的控制器，所述控制器包括：
电阻计算模块，其被配置为：(i)接收分别与衬底支撑件的第一加热器元件和第二加热器元件相对应的第一电流和第二电流，(ii)接收分别与所述第一加热器元件和所述第二加热器元件相对应的第一电压和第二电压，(iii)基于所述第一电压和所述第一电流计算所述第一加热器元件的第一电阻，并且(iv)基于所述第二电压和所述第二电流计算所述第二加热器元件的第二电阻；和
温度控制模块，其被配置为分别基于所述第一电阻和所述第二电阻以及相应的在(i)所述第一电阻和所述衬底支撑件的第一区域的第一温度之间的关系和在(ii)所述第二电阻和所述衬底支撑件的第二区域的第二温度之间的关系来分开控制提供给所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的功率。
2.根据权利要求1所述的控制器，其中，所述电阻计算模块还被配置为：(i)基于所述第一电压和所述第一电流，计算与所述第一加热器元件相关联的第一功率；以及(ii)基于所述第二电压和所述第二电流计算与所述第二加热器元件相关联的第二功率。
3.根据权利要求1所述的控制器，其还包括温度计算模块，所述温度计算模块被配置为：(i)基于所述第一电阻来计算所述衬底支撑件的第一区域的所述第一温度，以及(ii)基于所述第二电阻来计算所述衬底支撑件的第二区域的所述第二温度，其中，为了基于所述第一电阻和所述第二电阻来控制所述功率，所述温度控制模块被配置为分别基于所述第一温度和所述第二温度控制提供给所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的所述功率。
4.根据权利要求3所述的控制器，其中，所述温度计算模块还被配置为基于所述第一加热器元件和所述第二加热器元件的材料的热阻系数来计算所述第一温度和所述第二温度。
5.根据权利要求4所述的控制器，其中，所述材料具有至少1.0％的热阻系数。
6.根据权利要求4所述的控制器，其中，所述温度计算模块存储使所述材料的电阻与所述材料的相应温度相关联的数据，并且其中，所述温度计算模块被配置为进一步基于所存储的所述数据来计算所述第一温度和所述第二温度。
7.根据权利要求6所述的控制器，其中，所存储的所述数据包括转换表。
8.根据权利要求7所述的控制器，其中，所述温度计算模块被配置为：(i)基于所述第一区域和所述第二区域中的至少一者的多个测得的温度与所述第一区域和所述第二区域的多个计算出的温度之间的差来计算校正因子，以及(ii)基于所述校正因子来修改所述转换表的输出。
9.根据权利要求3所述的控制器，其中，所述温度计算模块被配置为在原子层沉积工艺期间计算所述第一温度和所述第二温度。
10.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚伦·德宾，拉梅什·钱德拉塞卡拉，德克·鲁道夫，托马斯·G·朱厄尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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