【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理衬底的方法和真空沉积设备本文提出的专利技术涉及一种在真空环境中处理衬底的方法，所述方法包括在所述衬底上进行材料沉积。在另外的方面，本专利技术涉及一种适应于执行所述方法的真空沉积设备。在衬底上沉积薄层的过程例如应用于光学涂层的制造中。这样的过程通常在真空环境中进行。在衬底上进行材料沉积可以包括产生等离子体，例如在溅射沉积的情况下。除了实际的沉积步骤之外，可以在同一真空环境中在第二等离子体源的等离子体中，例如在所谓的蚀刻源的等离子体(也称为表面处理等离子体源)中处理生长层。衬底可以重复地和交替地暴露于这两个等离子体源之一。然而，在同一真空环境中操作两个等离子体源具有若干缺点。过程参数(如一种等离子体的离子能量或电流密度)可以取决于另一种等离子体的存在与否以及实际性质。两个等离子体源的同时操作可能引起过程漂移，这在单独操作各个源期间不会发生。本专利技术的目的是提供一种克服这些缺点中的至少一个的方法。该目的通过根据权利要求1的方法实现。根据本专利技术的方法是一种真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法。所述方法包括以下步骤：...
【技术保护点】
1.真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：/n- 提供真空室(1)，/n- 在所述真空室中提供至少一个衬底(30)，/n- 在所述真空室中产生等离子体环境(2)和将所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境，其中所述等离子体环境包含材料沉积源的第一等离子体(11)和非沉积源的第二等离子体(21)；/n- 在第一状态和第二状态之间重复地操作所述等离子体环境(2)，/n所述第一状态(S1)由以下定义：/n给所述第一等离子体较高等离子体供应功率，导致较高的材料沉积速率，以及给所述第二等离子体输送较低等离子体供应功率，/n所述第二状态(S2)由以下定义：/n相较...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180517 CH 00614/181.真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：
-提供真空室(1)，
-在所述真空室中提供至少一个衬底(30)，
-在所述真空室中产生等离子体环境(2)和将所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境，其中所述等离子体环境包含材料沉积源的第一等离子体(11)和非沉积源的第二等离子体(21)；
-在第一状态和第二状态之间重复地操作所述等离子体环境(2)，
所述第一状态(S1)由以下定义：
给所述第一等离子体较高等离子体供应功率，导致较高的材料沉积速率，以及给所述第二等离子体输送较低等离子体供应功率，
所述第二状态(S2)由以下定义：
相较于给所述第一等离子体的所述较高等离子体供应功率，给所述第一等离子体较低的等离子体供应功率，并且导致较低的材料沉积速率，以及相较于给所述第二等离子体的所述较低等离子体供应功率，给所述第二等离子体较高的等离子体供应功率。
2.权利要求1的方法，其包括在所述第一状态(S1)和所述第二状态(S2)之间以变化的或恒定的周期周期性地重复操作所述等离子体环境(2)。
3.权利要求1或2中任一项的方法，其包括建立处理时间跨度，在所述处理时间跨度期间，所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境(2)，并且其中在所述处理时间跨度的至少90%期间，优选地在所述处理时间跨度的至少99%期间，所述第一状态和所述第二状态中仅有一个占优势。
4.权利要求1至3中任一项的方法，其包括在相对于所述等离子体环境移动所述至少一个衬底的同时，将所述至少一个衬底的至少一部分维持在所述等离子体环境(2)中。
5.权利要求1至4中任一项的方法，在所述第一状态和所述第二状态之间以变化的或恒定的周期周期性地重复操作所述等离子体环境(2)，并且其中所述周期T被选择为：
2μs≤T≤50μs。
6.权利要求1至5中任一项的方法，其包括额外地在通过以下定义的第三状态下操作所述等离子体环境(2)：同时将所述较高等离子体供应功率输送给所述第一等离子体和将所述较高等离子体供应功率输送给所述第二等离子体。
7.权利要求1至6中任一项的方法，其包括对于在所述等离子体环境(2)中的所述衬底将第一处理区(10)至少主要暴露于所述第一等离子体，并且对于在所述等离子体环境中的所述衬底将第二处理区(20)至少主要暴露于所述第二等离子体。
8.权利要求7的方法，其中还占优势的是：
-所述第一处理区(10)与所述第二处理区(20)重合，或
-所述第一处理区(10)与所述第二处理区(20)重叠，或
-所述第一处理区(10)在所述第二处理区(20)内，或
-所述第二处理区(20)在所述第一处理区(10)内，或
-所述第一处理区和所述第二处理区共同暴露于所述等离子体环境。
9.权利要求7或8的方法，所述方法包括：
-在所述操作的多于一次重复期间将所述至少一个衬底的至少一部分暴露于所述第一处理区(10)，且然后
-将所述衬底的至少所述部分移动到所述第二处理区(20)中。
10.权利要求9的方法，还包括
-在所述重复中的多于一次期间，将至少所述部分暴露于所述第二处理区(20)。
11.权利要求1至10中任一项的方法，其包括在至少由所述第二等离子体(21)增强的所述第二处理区(20)中蚀刻所述至少一个衬底。
12.权利要求1至11中任一项的方法，其包括借助于所述第一等离子体(11)执行PVD和PECVD中的一种。
13.权利要求1至12中任一项的方法，其中所述第一等离子体(11)是溅射源的等离子体，优选是磁控溅射源的等离子体。
14.权利要求1至13中任一项的方法，其中所述第一等离子体(11)和所述第二等离子体(21)中的至少一种在包含反应性气体的气氛中操作。
15.权利要求1至14中任一项的方法，其中通过向所述第一等离子体供应至多为零的供应功率来建立给所述第一等离子体(11)的所述较低等离子体供应功率。
16.权利要求1至15中任一项的方法，其中通过向所述第二等离子体供应至多为零的供应功率来建立给所述第二等离子体(21)的所述较低等离子体供应功率。
17.权利要求1至16中任一项的方法，其包括在所述第一状态(S1)和所述第二状态(S2)之间以变化的或恒定的周期T周期性地重复操作所述等离子体环境(2)，从而在短于所述操作的周期T的时间跨度Δ期间，建立给所述第二等离子体的所述较高等离子体供应功率，同时建立给所述第一等离子体的所述较高等离子体供应功率。
18.权利要求1至17中任一项的方法，其中所述重复操作所述等离子体环境(2)的变化的或恒定的周期T被选择为：
2μs≤T≤50μs，
启用所述操作的第三状态持续第三时间跨度t3，对于所述第三时间跨度有效的是：
0μs＜t3≤2μs。
19.权利要求1至18中任一项的方法，其包括额外地在第三状态下操作所述等离子体环境，所述第三状态通过同时将所述较高等离子体供应功率输送给所述第一等离子体和将所述较高等离子体供应功率输送给所述第二等离子体来定义，
并且包括还额外地在第四状态下操作所述等离子体环境，所述第四状态通过同时将所述第一较低等离子体供应功率输送给所述第一等离子体和将所述第二较低等离子体供应功率输送给所述第二等离子体来定义。
20.权利要求19的方法，其包括在所述第一状态和所述第二状态之间周期性地重复操作所述等离子体环境(2)，从而在短于所述操作的周期T的时间间隔Δ期间，建立给所述第二等离子体的所述较高等离子体供应功率，同时建立给所述第一等离子体的所述较高等离子体供应功率。
21.权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·舒格尔，S·吉斯，
申请(专利权)人：瑞士艾发科技，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。