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真空处理衬底或制造真空处理的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：提供真空室(1)，在所述真空室中提供至少一个衬底(30)，在所述真空室中产生等离子体环境(2)并将所述至少一个衬底暴露于所述等离子体环境，其中所述等离子体环境包括材料沉积源的第一...
该专利属于瑞士艾发科技所有，仅供学习研究参考，未经过瑞士艾发科技授权不得商用。

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