一种超薄core连续压合工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种超薄core连续压合工艺，L4‑5单core在蚀刻工序，L4面贴阻蚀膜，L5面蚀刻图形；L12‑13单core，L13面贴阻蚀膜，L12面蚀刻图形；L2‑3单core在蚀刻工序，L2面贴阻蚀膜，L3面蚀刻图形；L14‑15单core，L15面贴阻蚀膜，L14面蚀刻图形，再压合Sub Assembly L2‑15面；用Core‑Lam多次压合压合工艺替代原有Foil‑Lam单次压合工艺，8μm&12μm core采取单面蚀刻方式，一面蚀刻出图形，一面不蚀刻，让1oz铜箔来提供支撑力，通过三次压合完成电路板制作。本发明专利技术具有用Core‑Lam多次压合压合工艺，8μm&12μm采用单面蚀刻方式增加板框支撑力的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄core连续压合工艺
本专利技术涉及PCB制造业
，具体为一种超薄core连续压合工艺。
技术介绍
随着科技水平的不断提高及电子产品持续升级换代，要求PCB朝着“高、精、尖”方向发展，需要在微小的PCB上最大限度的布满元器件，也就需要更多的电容承载，现有表面的电容器已经无法满足线路的需求，因此PCB软性(25.4um、12um、8um)材料应运而生，与其它硬性材料混压，充当电容器。现有8μm&12μm混压板内层制作流程：图形转移→内层蚀刻→啤孔→内层中检→内层氧化→配对→压板→切板边→啤管位孔。现有PCB流程采用单次压合Foil-Lam设计，8μm&12μm超薄core属于无玻纤软性基材，蚀刻出图形后无法对板边提供足够的支撑力，给蚀刻、啤孔、排板、压合工序操作带来巨大挑战。目前国内PCB制造厂家，对于有玻纤硬性基材制造工艺比较成熟，但超薄core软性基材和硬性基材相结合的制造工艺，特别是有高对准度要求的电路板，PCB制造厂家尚存在技术壁垒。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超薄core连续压合工艺，具备用Core-Lam多次压合压合工艺，8μm&12μm采用单面蚀刻方式增加板框支撑力的优点，解决了单元与板框无铜区支撑力不足，板框变形导致PEP冲歪孔、氧化水平拉卡板的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种超薄core连续压合工艺，用Core-Lam多次压合压合工艺替代原有Foil-Lam单次压合工艺，8μm&12μmcore采取单面蚀刻方式，一面蚀刻出图形，一面不蚀刻，让1oz铜箔来提供支撑力，通过三次压合完成电路板制作。作为本专利技术的进一步方案，L4-5单core在蚀刻工序，L4面贴阻蚀膜，L5面蚀刻图形；L12-13单core，L13面贴阻蚀膜，L12面蚀刻图形。作为本专利技术的进一步方案，L2-3单core在蚀刻工序，L2面贴阻蚀膜，L3面蚀刻图形；L14-15单core，L15面贴阻蚀膜，L14面蚀刻图形，再压合SubAssemblyL2-15面。作为本专利技术的进一步方案，贴膜：贴膜前经过粘尘机，粘尘气压3kg/cm2；贴膜使用薄板参数，贴膜压力3.5kg/cm2，温度90±5℃；珍珠棉隔开放置在胶盆内。作为本专利技术的进一步方案，内层图形转移：曝光前经过粘尘机，粘尘气压3kg/cm2；通过半自动曝光机生产；珍珠棉隔开放置在胶盆内。作为本专利技术的进一步方案，内层蚀刻：显影开始使用垫条放在板子两端，褪膜压力降至1.0kg/cm2；烘干后珍珠棉隔开放置在胶盆内。作为本专利技术的进一步方案，排版：Bonding采用Pin定位的熔合方式，熔合点设计12个，多点熔合；排板使用Bonding+Pin定位方式。一种超薄core连续压合工艺，制作流程：S1、第一次压合，SubAssemblyL4～13流程：开料、内层图形转移(生产L4～13面，其中L4&L13为阻蚀面)、蚀刻、啤孔、AOI、内层配对、棕化、配对、压板、切板边、啤管位孔、内层检查、机械钻孔、外层干菲林、图形电镀、外层蚀板、啤孔、内层AOI、内层中检和内层配对；S2、第二次压合，SubAssemblyL2-15流程：开料、内层图形转移(生产L2～3&L14～15，其中L3&L14为线路面，L2&L15为阻蚀面)、蚀刻、啤孔、AOI、内层配对(与完成第一次压合流程生产的L4～13配载一起)、内层氧化、二次压板、切板边、啤管位孔、除胶、内层检查、机械钻孔、外层干菲林、图形电镀、内层AOI、内层中检和内层配对；S3、第三次压合，L1-16流程：内层氧化、内层配对、三次压板、啤管位孔、切板边、内层检查、机械钻孔和外层流程。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：8μm&12μm采用单面蚀刻方式增加板框支撑力，配合特殊流程控制，有效解决了单元与板框无铜区支撑力不足，板框变形导致PEP冲歪孔、氧化水平拉卡板等问题。用Core-Lam多次压合压合工艺替代原有Foil-Lam单次压合工艺，排板采用Bonding+Pin定位方式，有效改善了薄core排压coreshift问题。附图说明图1为本专利技术的三次压合结构图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。实施例1请参阅图1，本专利技术提供的一种实施例：一种超薄core连续压合工艺，L4-5单core在蚀刻工序，L4面贴阻蚀膜，L5面蚀刻图形；L12-13单core，L13面贴阻蚀膜，L12面蚀刻图形。先行压合L4-13用于解决L4-5&L12-13层12μm薄core的双面蚀刻变形问题，L4/L13面图形通过LDI曝光机做出，以保证对准度；L2-3单core在蚀刻工序，L2面贴阻蚀膜，L3面蚀刻图形；L14-15单core，L15面贴阻蚀膜，L14面蚀刻图形，再压合SubAssemblyL2-15面。L2/L15面图形通过LDI曝光机做出，以保证对准度，用于解决L2-3&L14-15层8μm薄core的双面蚀刻变形引起对准度；通过三次压合完成电路板制作。用Core-Lam多次压合压合工艺替代原有Foil-Lam单次压合工艺，8μm&12μmcore采取单面蚀刻方式，一面蚀刻出图形，一面不蚀刻，让1oz铜箔来提供支撑力。实施例2本专利技术提供的一种实施例：一种超薄core连续压合工艺，贴膜：取消化学清洗流程，使用粘尘机清洁后贴膜；贴膜前经过粘尘机，粘尘气压3kg/cm2；贴膜使用薄板参数，贴膜压力3.5kg/cm2，温度90±5℃；珍珠棉隔开放置在胶盆内，每盆珍珠棉块数不超过六块，叠放高度不超过八盆，珍珠棉做为隔板介质避免人为操作折本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：用Core-Lam多次压合压合工艺替代原有Foil-Lam单次压合工艺，8μm&12μm core采取单面蚀刻方式，一面蚀刻出图形，一面不蚀刻，让1oz铜箔来提供支撑力，通过三次压合完成电路板制作。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：用Core-Lam多次压合压合工艺替代原有Foil-Lam单次压合工艺，8μm&12μmcore采取单面蚀刻方式，一面蚀刻出图形，一面不蚀刻，让1oz铜箔来提供支撑力，通过三次压合完成电路板制作。


2.根据权利要求1所述的一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：L4-5单core在蚀刻工序，L4面贴阻蚀膜，L5面蚀刻图形；L12-13单core，L13面贴阻蚀膜，L12面蚀刻图形。


3.根据权利要求1所述的一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：L2-3单core在蚀刻工序，L2面贴阻蚀膜，L3面蚀刻图形；L14-15单core，L15面贴阻蚀膜，L14面蚀刻图形，再压合SubAssemblyL2-15面。


4.根据权利要求1所述的一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：贴膜：贴膜前经过粘尘机，粘尘气压3kg/cm2；贴膜使用薄板参数，贴膜压力3.5kg/cm2，温度90±5℃；珍珠棉隔开放置在胶盆内。


5.根据权利要求1所述的一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：内层图形转移：曝光前经过粘尘机，粘尘气压3kg/cm2；通过半自动曝光机生产；珍珠棉隔开放置在胶盆内。


6.根据权利要求1所述的一种超薄core连续压合工艺，其特征在于：内...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶猛，孙健，
申请(专利权)人：广州添利电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44