一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，涉及KP可控硅预检保护装置的技术领域，其包括检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板；检测信号板用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板；三相限流电阻板用于电源信号限流后送至KP可控硅上；预检控制板用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。本实用新型专利技术通过检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板的设置，实现电路预送电，预检测，提前预防；取信号线路红外隔离，绝缘程度高；通过限流电阻板预送电，检测无风险。

【技术实现步骤摘要】
一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置
本技术涉及KP可控硅预检保护装置的
，尤其是涉及一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置。
技术介绍
目前常用的一种变频电源工作模式为交-直-交变频，即将三相工频进线经整流桥整流为直流电，再经逆变桥逆变成可控频率的交流电。整流桥与逆变桥主体元件都是由可控硅组成。现有的整流桥一般使用普通型可控硅又称KP可控硅，逆变桥一般使用快速型可控硅又称KK可控硅。变频电源在工作过程中若有KP可控硅短路击穿，这时如果不能有效的保护停机，很容易引起整个整流桥的短路，将会扩大设备故障范围。特别的，在启动变频电源给整流桥送电时，若有KP可控硅短路击穿故障存在，将会造成极大的安全事故。常用的KP可控硅保护方式均采用测取可控硅管压降原理进行检测保护，这样就必须在设备已经送电工作的情况下，保护系统才起到作用。而对于在给整流桥送电前对可控硅损坏所引起的送电安全事故无法起到有效的预判保护作用。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的是提供一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，通过检本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，其特征在于：包括检测信号板(1)、三相限流电阻板(2)和预检控制板(3)；/n所述检测信号板(1)用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板(3)；/n所述三相限流电阻板(2)用于电源信号限流后送至KP可控硅上；/n所述预检控制板(3)用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，其特征在于：包括检测信号板(1)、三相限流电阻板(2)和预检控制板(3)；
所述检测信号板(1)用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板(3)；
所述三相限流电阻板(2)用于电源信号限流后送至KP可控硅上；
所述预检控制板(3)用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。


2.根据权利要求1所述的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，其特征在于：所述检测信号板(1)包括整流桥(11)，所述整流桥(11)的桥臂分别为整流桥(11)臂4-KP1、整流桥(11)臂4-KP2、整流桥(11)臂1-KP1和整流桥(11)臂1-KP1，每一个所述整流桥(11)的桥臂均依次并联有2并4串电阻堆(12)、红外隔离管(13)和降压限流回路(14)，所述2并4串电阻堆(12)、所述红外隔离管(13)和所述降压限流回路(14)串在一起。


3.根据权利要求2所述的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，其特征在于：所述2并4串电阻堆(12)远离所述整流桥(11)的桥臂的一端分别串联有发光二极管LV1和发光二极管LS1，所述发光二极管LV1的阳极靠近所述2并4串电阻堆(12)设置，所述发光二极管LS1的阴极靠近所述2并4串电阻堆(12)设置。


4.根据权利要求3所述的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置，其特征在于：所述红外隔离管(13)设置有2个，分别为红外隔离管HW1和红外隔离管HW2，所述红外隔离管HW1包括发光二极管D1和NPN三极管VT1，所述红外隔离管HW2包括发光二极管D2和NPN三极管VT2，所述发光二极管D1的阳极电连接所述整流桥(11)臂4-KP1和所述发光二极管D2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈小弟，
申请(专利权)人：上海兆力电器制造有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31