一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置制造方法及图纸

技术编号:26764577 阅读:57 留言:0更新日期:2020-12-18 23:40
本实用新型专利技术涉及一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,涉及KP可控硅预检保护装置的技术领域,其包括检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板;检测信号板用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板;三相限流电阻板用于电源信号限流后送至KP可控硅上;预检控制板用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。本实用新型专利技术通过检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板的设置,实现电路预送电,预检测,提前预防;取信号线路红外隔离,绝缘程度高;通过限流电阻板预送电,检测无风险。

【技术实现步骤摘要】
一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置
本技术涉及KP可控硅预检保护装置的
,尤其是涉及一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置。
技术介绍
目前常用的一种变频电源工作模式为交-直-交变频,即将三相工频进线经整流桥整流为直流电,再经逆变桥逆变成可控频率的交流电。整流桥与逆变桥主体元件都是由可控硅组成。现有的整流桥一般使用普通型可控硅又称KP可控硅,逆变桥一般使用快速型可控硅又称KK可控硅。变频电源在工作过程中若有KP可控硅短路击穿,这时如果不能有效的保护停机,很容易引起整个整流桥的短路,将会扩大设备故障范围。特别的,在启动变频电源给整流桥送电时,若有KP可控硅短路击穿故障存在,将会造成极大的安全事故。常用的KP可控硅保护方式均采用测取可控硅管压降原理进行检测保护,这样就必须在设备已经送电工作的情况下,保护系统才起到作用。而对于在给整流桥送电前对可控硅损坏所引起的送电安全事故无法起到有效的预判保护作用。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术的目的是提供一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,通过检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板的设置,实现电路预送电,预检测,提前预防;取信号线路红外隔离,绝缘程度高;通过限流电阻板预送电,检测无风险。本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,包括检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板;所述检测信号板用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板;<br>所述三相限流电阻板用于电源信号限流后送至KP可控硅上;所述预检控制板用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。通过采用上述技术方案,在实际运用中,三相工频电源经限流电阻堆送至整流桥KP可控硅,检测信号板将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给红外隔离管,红外隔离管再输出KP可控硅状态(正常或故障)信号到预检控制板,预检控制板对KP可控硅检测的输入与输出过程进行逻辑控制,实现对整流系统送电前对KP可控硅的预检保护问题。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述检测信号板包括整流桥,所述整流桥的桥臂分别为整流桥臂4-KP1、整流桥臂4-KP2、整流桥臂1-KP1和整流桥臂1-KP1,每一个所述整流桥的桥臂均依次并联有2并4串电阻堆、红外隔离管和降压限流回路,所述2并4串电阻堆、所述红外隔离管和所述降压限流回路串在一起。通过采用上述技术方案,在实际运用中,串联在一起的整流桥、2并4串电阻堆、红外隔离管和降压限流回路,实现将KP可控硅状态(正常或故障)信号到预检控制板。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述2并4串电阻堆远离所述整流桥的桥臂的一端分别串联有发光二极管LV1和发光二极管LS1,所述发光二极管LV1的阳极靠近所述2并4串电阻堆设置,所述发光二极管LS1的阴极靠近所述2并4串电阻堆设置。通过采用上述技术方案,在实际运用中,由于第一发光二极管的单向导电特性,便于KP可控硅的压降流过2并4串电阻堆。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述红外隔离管设置有2个,分别为红外隔离管HW1和红外隔离管HW2,所述红外隔离管HW1包括发光二极管D1和NPN三极管VT1,所述红外隔离管HW2包括发光二极管D2和NPN三极管VT2,所述发光二极管D1的阳极电连接所述整流桥臂4-KP1和所述发光二极管D2的阴极,所述发光二极管D1的阴极和所述发光二极管D2的阳极电连接在一起,并电连接所述发光二极管LV1的阳极和所述发光二极管LS1的阴极。通过采用上述技术方案,在实际运用中,第二发光二极管和NPN三极管用于将2并4串电阻堆输出的信号传递至预检控制板。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述降压限流回路包括并联在一起的3个电阻和1个电容,分别为电阻RS1、电阻RS2、电阻RT1和电容C1,所述电阻RS1和所述电阻RS2分别电连接所述NPN三极管VT1和所述NPN三极管VT2的集电极,所述NPN三极管VT1和所述NPN三极管VT2的发射极电连接并联在一起的电容C1和电阻RT1;所述降压限流回路远离所述红外隔离管的一端输出信号SIG1。通过采用上述技术方案,在实际运用中,降压限流回路对红外隔离管的输出信号进行降压限流后,传输至预检控制板。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述三相限流电阻板包括中频电源、限流电阻堆和真空继电器,所述中频电源三相工频进线电压1750V,所述限流电阻堆采用3并4串电阻堆,所述真空继电器设置在所述限流电阻堆中4个串联电阻堆的中间。通过采用上述技术方案,在实际运用中,当整流桥KP可控硅全部正常,电阻板起到降压限流作用,此时的电流要能够驱动检测信号板的检测回路,使得检测板能过输出可控硅状态正常信号;当整流桥KP可控硅全部击穿短路,电阻板仅起到限流作用,三相电阻板组成星型结构,此时要求电阻功率能够满足短时间作为三相工频进线的星型负载发热功率。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述预检控制板包括输入电路、逻辑处理电路和输出电路,所述输入电路用于将接受到的信号输入所述预检控制板,所述逻辑处理电路用于对输入的信号进行逻辑处理,所述输出电路用于将所述逻辑处理电路处理后的信号发送至所述真空继电器。通过采用上述技术方案,在实际运用中,输入电路、逻辑处理电路和输出电路实现断路器预送电输入、合闸信号输出、电阻板投入信号输出。本技术在一较佳示例中可以进一步配置为:所述预检控制板还包括输出保护电路,所述输出保护电路用于保护输出信号。通过采用上述技术方案,在实际运用中,输出保护电路便于保护输出,并进行隔离。综上所述,本技术包括以下至少一种有益技术效果:1.通过检测信号板、三相限流电阻板和预检控制板的设置,实现电路预送电,预检测,提前预防;取信号线路红外隔离,绝缘程度高;通过限流电阻板预送电,检测无风险。附图说明图1是本实施例中检测信号板的电路原理图。图2是本实施例中三相限流电阻板的电路原理图。图3是本实施例中输入电路、输出电路和输出保护电路的电路原理图。图4是本实施例中逻辑处理电路的电路原理图。图中,1、检测信号板;11、整流桥;12、2并4串电阻堆;13、红外隔离管;14、降压限流回路;2、三相限流电阻板;21、中频电源;22、限流电阻堆;23、真空继电器;3、预检控制板;31、输入电路;311、第一输入电路;312、第二输入电路;313、受控电路;32、逻辑处理电路;33、输出电路;34、输出保护电路。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。参照图1和图2,为本技术公开的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,包括检测信号板1、三相限流电阻板2,参照图3和图4,还包括预检控制板3;检测信号板1用于将KP可控硅管压降通过电阻限流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,其特征在于:包括检测信号板(1)、三相限流电阻板(2)和预检控制板(3);/n所述检测信号板(1)用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板(3);/n所述三相限流电阻板(2)用于电源信号限流后送至KP可控硅上;/n所述预检控制板(3)用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,其特征在于:包括检测信号板(1)、三相限流电阻板(2)和预检控制板(3);
所述检测信号板(1)用于将KP可控硅管压降通过电阻限流后将信号传递给预检控制板(3);
所述三相限流电阻板(2)用于电源信号限流后送至KP可控硅上;
所述预检控制板(3)用于对KP可控硅检测的输入与输出过程的逻辑控制。


2.根据权利要求1所述的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,其特征在于:所述检测信号板(1)包括整流桥(11),所述整流桥(11)的桥臂分别为整流桥(11)臂4-KP1、整流桥(11)臂4-KP2、整流桥(11)臂1-KP1和整流桥(11)臂1-KP1,每一个所述整流桥(11)的桥臂均依次并联有2并4串电阻堆(12)、红外隔离管(13)和降压限流回路(14),所述2并4串电阻堆(12)、所述红外隔离管(13)和所述降压限流回路(14)串在一起。


3.根据权利要求2所述的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,其特征在于:所述2并4串电阻堆(12)远离所述整流桥(11)的桥臂的一端分别串联有发光二极管LV1和发光二极管LS1,所述发光二极管LV1的阳极靠近所述2并4串电阻堆(12)设置,所述发光二极管LS1的阴极靠近所述2并4串电阻堆(12)设置。


4.根据权利要求3所述的一种用于变频电源的KP可控硅预检保护装置,其特征在于:所述红外隔离管(13)设置有2个,分别为红外隔离管HW1和红外隔离管HW2,所述红外隔离管HW1包括发光二极管D1和NPN三极管VT1,所述红外隔离管HW2包括发光二极管D2和NPN三极管VT2,所述发光二极管D1的阳极电连接所述整流桥(11)臂4-KP1和所述发光二极管D2的...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈小弟
申请(专利权)人:上海兆力电器制造有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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