可控硅均流测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种可控硅均流测量装置。目前，由于发电机组励磁整流柜中每个可控硅工作在间断导通状态，输出的是间断的脉冲直流电流，无法用传统的电流互感器进行间接测量，无法实时监测各个可控硅的电流值。一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua（1）、变压器低压绕组Ub（2）和变压器低压绕组Uc（3），变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，可控硅三相整流电路分成三个支路，其中变压器低压绕组Ua与第一支路连接，变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。本实用新型专利技术应用于可控硅均流测量装置。

【技术实现步骤摘要】
可控硅均流测量装置
：本技术涉及一种可控硅均流测量装置。
技术介绍
：目前，电站中大中型发电机组转子励磁电流一般都采用自并励可控硅静态整流方式，一般都是由连接在发电机端的降压变压器低压侧三相电压Ua、Ub、Uc接入可控硅整流电路,可控硅整流电路将三相交流电压Ua、Ub、Uc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁，为了保证各个可控硅支路输出电流的均衡性，中华人民共和国国家标准GB/T7409规定其可控硅输出的均流系数应不小于0.85，但是在线监测各个可控硅支路中的电流却是一个长期无法解决的难题。由于发电机组励磁整流柜中每个可控硅工作在间断导通状态，输出的是间断的脉冲直流电流，无法用传统的电流互感器进行间接测量，无法实时监测各个可控硅的电流值，只能用示波器整体检测整流柜输出波形，该项工作危险系数极高，极容易造成整流柜短路和示波器烧损。且无法检测各可控硅支路输出电流值的，容易造成单一可控硅过载或欠载。无法计算各个可控硅支路间的均流系数，只能根据输出波形进行大致估算。
技术实现思路
：本技术的目的是提供一种可控硅均流测量装置，能够间接测量计算出发电机组励磁整流柜中可控硅支路间均流系数。上述的目的通过以下的技术方案实现：一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc，所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔断器、R4保护可控硅熔断器、D3整流用可控硅和D4整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第三支路由R5保护可控硅熔断器、R6保护可控硅熔断器、D5整流用可控硅和D6整流用可控硅通过导线串联连接。所述的可控硅均流测量装置，所述的变压器低压绕组Ua与第一支路连接，所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。所述的可控硅均流测量装置，当所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入可控硅整流电路中,可控硅整流电路将三相交流电压Ua、Ub、Uc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁。本技术的有益效果：1.本技术在降压变压器低压侧三相电压UaUbUc接入可控硅整流电路，可控硅整流电路将三相交流电压UaUbUc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁，将R1,R2,R3,R4,R5,R6为串联在D1,D2,D3,D4,D5,D6可控硅支路中的熔断器,以上各个元件通过导线连接,组成可控硅三相整流电路,整流后输出U+U-锯齿波型直流电压。本技术为了能够在线计算出运行中的各个可控硅支路载流是否均衡，本新型在机组启动前测出串接在各可控硅支路中的熔断器R1、R2、R3、R4、R5、R6的电阻值并做好记录，待发电机组启动发电时,在线测量各个熔断器R1、R2、R3、R4、R5、R6上各自的电压降，根据欧姆定律即可计算出每支熔断器的载荷电流。做到了在线测量并计算各可控硅支路载荷电流和各可控硅支路间的均流系数。本技术该整流柜中可控硅支路实时均流系数的监测简单易学，准确度高，特别适用于电站的励磁专业和电站运行人员实时监测整流柜中可控硅运行是否正常的一种方式。本技术在发电机组停机状态下，对整流柜中各个可控硅支路中与每支可控硅串联的熔断器测量其直流电阻值(一般几十微欧)，并做好记录并录入设备台帐，待发电机组投运后，可实时用毫伏表测量其每个熔断器两端的电压降，根据欧姆定律公式，就可轻松计算出每支可控硅支路输出的电流值(其电流值等于熔断器两端的电压值与该熔断器电阻值的之比)。再根据均流系数计算公式，就可计算出可控硅的均流系数了(均流系数等于各支路的平均值与某支路的最大值之比值)。本技术发电机组励磁整流柜可控硅支路输出电流均流系数，检测计算方法简单易学，准确度高，为防止发电机组励磁整流柜可控硅支路输出电流不均衡，防止个别可控硅过热、温度过高造成可控硅烧损具有重要意义。附图说明：附图1是本技术的结构示意图。具体实施方式：图中：1、变压器低压绕组Ua，2、变压器低压绕组Ub，3、变压器低压绕组Uc，4、R1保护可控硅熔断器，5、R2保护可控硅熔断器，6、R3保护可控硅熔断器，7、R4保护可控硅熔断器，8、R5保护可控硅熔断器，9、R6保护可控硅熔断器，10、D1整流用可控硅，11、D2整流用可控硅，12、D3整流用可控硅，13、D4整流用可控硅，14、D5整流用可控硅，15、D6整流用可控硅。实施例1：一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua1、变压器低压绕组Ub2和变压器低压绕组Uc3，所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器4、R2保护可控硅熔断器5、D1整流用可控硅10和D2整流用可控硅11通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔断器6、R4保护可控硅熔断器7、D3整流用可控硅12和D4整流用可控硅13通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第三支路由R5保护可控硅熔断器8、R6保护可控硅熔断器9、D5整流用可控硅14和D6整流用可控硅15通过导线串联连接。实施例2：根据实施例1所述的可控硅均流测量装置，所述的变压器低压绕组Ua与第一支路连接，所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。实施例3：根据实施例1所述的可控硅均流测量装置，当所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入可控硅整流电路中,可控硅整流电路将三相交流电压Ua、Ub、Uc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁。实施例4：关键点是在已知串联在各个可控硅支路的熔断器电阻值，在线测出各可控硅支路中各个熔断器上的电压降，利用欧姆定律，间接计算出各可控硅支路的实时电流值。可控硅支路的实时电流值等于熔断器上的电压降与熔断器的电阻值的比值。均流系数等于各可控硅支路电流的平均值与某支路最大值的比值。实施例5：下列列表是大唐鸡西第二热电有限公司1号发电机组励磁1号整流柜中各个可控硅支路某一时刻电流计算值及可控硅均流系数1号发电机组励磁1号整流柜每个可控硅支路均流系数计算表:1号机1号整流柜最大支路电流值：Izd=493.311A1号机1号整流柜各支路电流平均值：Ipj=485.141A1号机1号整流柜均流系数为：98.34%(均流系数等于平均值与最大值的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc，其特征是：所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔断器、R4保护可控硅熔断器、D3整流用可控硅和D4整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第三支路由R5保护可控硅熔断器、R6保护可控硅熔断器、D5整流用可控硅和D6整流用可控硅通过导线串联连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc，其特征是：所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄叙业，兰广东，曲维，
申请(专利权)人：大唐鸡西第二热电有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23