可控硅均流测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种可控硅均流测量装置。目前，由于发电机组励磁整流柜中每个可控硅工作在间断导通状态，输出的是间断的脉冲直流电流，无法用传统的电流互感器进行间接测量，无法实时监测各个可控硅的电流值。一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua（1）、变压器低压绕组Ub（2）和变压器低压绕组Uc（3），变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，可控硅三相整流电路分成三个支路，其中变压器低压绕组Ua与第一支路连接，变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc分别与第三支路连接。本实用新型专利技术应用于可控硅均流测量装置。

【技术实现步骤摘要】
可控硅均流测量装置
：本技术涉及一种可控硅均流测量装置。
技术介绍
：目前，电站中大中型发电机组转子励磁电流一般都采用自并励可控硅静态整流方式，一般都是由连接在发电机端的降压变压器低压侧三相电压Ua、Ub、Uc接入可控硅整流电路,可控硅整流电路将三相交流电压Ua、Ub、Uc整流成直流U+U-后输入发电机转子绕组进行励磁，为了保证各个可控硅支路输出电流的均衡性，中华人民共和国国家标准GB/T7409规定其可控硅输出的均流系数应不小于0.85，但是在线监测各个可控硅支路中的电流却是一个长期无法解决的难题。由于发电机组励磁整流柜中每个可控硅工作在间断导通状态，输出的是间断的脉冲直流电流，无法用传统的电流互感器进行间接测量，无法实时监测各个可控硅的电流值，只能用示波器整体检测整流柜输出波形，该项工作危险系数极高，极容易造成整流柜短路和示波器烧损。且无法检测各可控硅支路输出电流值的，容易造成单一可控硅过载或欠载。无法计算各个可控硅支路间的均流系数，只能根据输出波形进行大致估算。
技术实现思路
：本技术的目的是提供一种可控硅均流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc，其特征是：所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔断器、R4保护可控硅熔断器、D3整流用可控硅和D4整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第三支路由R5保护可控硅熔断器、R6保护可控硅熔断器、D5整流用可控硅和D6整流用可控硅通过...

【技术特征摘要】
1.一种可控硅均流测量装置，其组成包括：变压器低压绕组Ua、变压器低压绕组Ub和变压器低压绕组Uc，其特征是：所述的变压器低压绕组Ua、所述的变压器低压绕组Ub和所述的变压器低压绕组Uc接入到可控硅三相整流电路，所述的可控硅三相整流电路中的第一支路由R1保护可控硅熔断器、R2保护可控硅熔断器、D1整流用可控硅和D2整流用可控硅通过导线串联连接，所述的可控硅三相整流电路中的第二支路由R3保护可控硅熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄叙业，兰广东，曲维，
申请(专利权)人：大唐鸡西第二热电有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23