在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备技术

本发明专利技术适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，该方法包括：通过确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型；测量得到不同校准件的S参数；根据不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。

【技术实现步骤摘要】
在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备
本专利技术属于晶原级半导体器件微波特性测量
，尤其涉及一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备。
技术介绍
“在片S参数测试系统”广泛应用于微电子行业。在使用前，需要用在片校准件对在片S参数测试系统进行矢量校准，校准的准确与否依赖于在片校准件定义的准确程度。不同类型的校准件(例如开路校准件、短路校准件、负载校准件以及直通校准件)测量模型中的集总参数的值不同，集总参数一般包括偏置线的延时、特征阻抗、串联电阻、电感、电容和直流电阻。如何获得测量模型中各集总参数的准确量值是定义校准件的关键。然而，目前传统商用在片校准组件的测量模型在低频段以下得到了广泛应用，但随着在片测试频率的升高，采用传统的测量模型对在片测试系统进行校准，校准和测试准确度降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法及终端设备，旨在解决现有技术中采用传统的测量模型对在片测试系统进行校准，校准和测试准确度降低的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例的第一方面提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法，包括：确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型，其中，所述不同在片校准件模型为在原校准件模型端面的两端并联由两个表征不同在片校准件串扰的元件串联构成的电路；基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。作为本申请另一实施例，所述不同在片校准件模型包括：负载校准件模型、开路校准件模型以及短路校准件模型；所述负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻、表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；其中，所述负载校准件电感的一端连接所述表征负载校准件串扰的电阻的一端构成负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端，所述表征负载校准件串扰的电容的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端构成所述负载校准件模型单端口的另一端；所述开路校准件模型包括开路校准件电容、表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；其中，所述开路校准件电容的一端连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端构成开路校准件模型单端口的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端连接所述表征开路校准件串扰的电容的一端，所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接所述开路校准件电容的另一端构成所述开路校准件模型单端口的另一端；所述短路校准件模型包括短路校准件电感、表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容；其中，所述短路校准件电感的一端连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端构成短路校准件模型单端口的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端连接所述表征短路校准件串扰的电容的一端，所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接所述短路校准件电感的另一端构成所述短路校准件模型单端口的另一端。作为本申请另一实施例，所述根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳，包括：根据计算不同校准件的导纳；其中，S11表示不同校准件的单端口的S参数，Y表示不同校准件的导纳，Zopen表示开路校准件的阻抗，Z0表示系统特征阻抗。作为本申请另一实施例，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：当所述校准件为负载校准件时，在片校准模型为负载校准件模型时，负载校准件模型对应的导纳公式为：其中，Yload表示负载校准件的导纳，Rl表示负载校准件直流电阻，j表示虚数，ω表示角频率，Lload表示在预设频率下测量得到负载校准件电感，Rs表示表征负载校准件串扰的电阻，Cs表示表征负载校准件串扰的电容，Y1表示Rl和Lload的串联导纳，Y2表示Cs和Rs的串联导纳。作为本申请另一实施例，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：当所述校准件为开路校准件时，在片校准模型为开路校准件模型时，开路校准件模型对应的导纳公式为：其中，Yopen表示开路校准件的导纳，Copen表示在预设频率下测量得到开路校准件电容，Rs'表示表征开路校准件串扰的电阻，Cs'表示表征开路校准件串扰的电容，Y1'表示Copen的导纳，Y2'表示Cs'和Rs'的串联导纳。作为本申请另一实施例，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：当所述校准件为短路校准件时，在片校准模型为短路校准件模型时，短路校准件模型对应的导纳公式为：其中，Yshort表示短路校准件的导纳，Lshort表示在预设频率下测量得到短路校准件电感，Rs”表示表征短路校准件串扰的电阻，Cs”表示表征短路校准件串扰的电容，Y1”表示Lshort的导纳，Y2”表示Cs”和Rs”的串联导纳。作为本申请另一实施例，所述根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数，包括：将所述不同校准件的导纳代入对应的导纳公式中进行计算，得到表征不同在片校准件串扰的电容和表征不同在片校准件串扰的电阻的串联导纳对应的阻抗；确定所述阻抗的实部为表征不同在片校准件串扰的电阻；确定所述阻抗的虚部为表征不同在片校准件串扰的电容。本专利技术实施例的第二方面提供了一种在片校准件模型中参数确定的装置，包括：确定模块，用于确定不同在片校准件模型，其中，所述不同在片校准件模型为在原校准件模型端面的两端并联由两个表征不同在片校准件串扰的元件串联构成的电路；测量模块，用于基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；计算模块，用于根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；所述计算模块，还用于根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；所述计算模块，还用于根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本专利技术实施例的第三方面提供了一种终端设备，包括：存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述任一实施例所述的在片校准件模型中参数确定的方法所述的步骤。本专利技术实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，包括：所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如如上述任一实施例所述的在片校准件模型中参数确定的方法所述的步骤。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，包括：/n确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型，其中，所述不同在片校准件模型为在原校准件模型中端面的两端并联由两个表征不同在片校准件串扰的元件串联构成的电路；/n基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；/n根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；/n根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；/n根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，包括：
确定基于太赫兹频段的不同在片校准件模型，其中，所述不同在片校准件模型为在原校准件模型中端面的两端并联由两个表征不同在片校准件串扰的元件串联构成的电路；
基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；
根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；
根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；
根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。


2.如权利要求1所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述不同在片校准件模型包括：负载校准件模型、开路校准件模型以及短路校准件模型；
所述负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻、表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；其中，所述负载校准件电感的一端连接所述表征负载校准件串扰的电阻的一端构成负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端，所述表征负载校准件串扰的电容的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端构成所述负载校准件模型单端口的另一端；
所述开路校准件模型包括开路校准件电容、表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；其中，所述开路校准件电容的一端连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端构成开路校准件模型单端口的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端连接所述表征开路校准件串扰的电容的一端，所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接所述开路校准件电容的另一端构成所述开路校准件模型单端口的另一端；
所述短路校准件模型包括短路校准件电感、表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容；其中，所述短路校准件电感的一端连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端构成短路校准件模型单端口的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端连接所述表征短路校准件串扰的电容的一端，所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接所述短路校准件电感的另一端构成所述短路校准件模型单端口的另一端。


3.如权利要求2所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳，包括：
根据计算不同校准件的导纳；
其中，S11表示不同校准件的单端口的S参数，Y表示不同校准件的导纳，Zopen表示开路校准件的阻抗，Z0表示系统特征阻抗。


4.如权利要求2或3所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：
当所述校准件为负载校准件时，在片校准模型为负载校准件模型时，负载校准件模型对应的导纳公式为：



其中，Yload表示负载校准件的导纳，Rl表示负载校准件直流电阻，j表示虚数，ω表示角频率，Lload表示在预设频率下测量得到负载校...

【专利技术属性】
技术研发人员：王一帮，吴爱华，梁法国，刘晨，霍晔，栾鹏，孙静，李彦丽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13