一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件制造技术

本申请涉及一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件，其包括固定连接在穹顶的顶部盖板，顶部盖板靠近晶片的一侧固定设置有底部盖板，底部盖板远离顶部盖板的侧面设置有朝晶片延伸的电极板；顶部盖板开设有多个第一气孔，第一气孔的内缘朝向底部盖板延伸有第一气道，底部盖板开设有与第一气孔对应的第二气孔，第一气道伸入第二气孔内，顶部盖板与底部盖板之间的区域为第二气道；电极板开设有与第二气孔对应的反应孔；顶部盖板远离底部盖板的一侧设有第一气源，第一气源向第一气道供第一气体，第二气道连接有第二气源，第二气源向第二气道供第二气体；提高了晶圆片薄膜的均匀度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件
本申请涉及晶片加工设备的领域，尤其是涉及一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件。
技术介绍
化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。在晶片表面上生成薄膜一般会使用化学气相沉积高密度等离子设备。如图1所示，现有的化学气相沉积高密度等离子设备中气体的传输部位于晶圆片上方的圆形穹顶1，在圆形穹顶1的顶部和侧边分布有气体喷射嘴2，圆形穹顶1的顶部和底部相差150mm，会导致晶圆片的薄膜均匀度差异大。针对上述中的相关技术，专利技术人认为现有的化学气相沉积高密度等离子设备中圆形穹顶顶部和底部的高度差150mm，会导致喷射后形成的气体在圆形穹顶内的浓度不一样，使得等离子体的均匀度差异大，从而造成晶圆片薄膜的均匀度达不到工艺要求。
技术实现思路
为了提高晶圆片薄膜的均匀度，本申请提供一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件。本申请提供的一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件采用如下的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件，设于化学气相沉积设备的圆形穹顶（1）内，其特征在于：包括固定连接在圆形穹顶（1）的顶部盖板（3），顶部盖板（3）靠近晶片的一侧固定设置有底部盖板（5），所述底部盖板（5）远离所述顶部盖板（3）的侧面设置有朝所述晶片延伸的电极板（7）；/n所述顶部盖板（3）开设有多个第一气孔，所述第一气孔的内缘朝向所述底部盖板（5）延伸有第一气道（4），所述底部盖板（5）开设有与所述第一气孔对应的第二气孔，所述第一气道（4）伸入所述第二气孔内，所述顶部盖板（3）与所述底部盖板（5）之间的区域为第二气道（6）；所述电极板（7）开设有与所述第二气孔对应的反应孔（8）；/...

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件，设于化学气相沉积设备的圆形穹顶（1）内，其特征在于：包括固定连接在圆形穹顶（1）的顶部盖板（3），顶部盖板（3）靠近晶片的一侧固定设置有底部盖板（5），所述底部盖板（5）远离所述顶部盖板（3）的侧面设置有朝所述晶片延伸的电极板（7）；
所述顶部盖板（3）开设有多个第一气孔，所述第一气孔的内缘朝向所述底部盖板（5）延伸有第一气道（4），所述底部盖板（5）开设有与所述第一气孔对应的第二气孔，所述第一气道（4）伸入所述第二气孔内，所述顶部盖板（3）与所述底部盖板（5）之间的区域为第二气道（6）；所述电极板（7）开设有与所述第二气孔对应的反应孔（8）；
所述顶部盖板（3）远离所述底部盖板（5）的一侧设有第一气源，所述第一气源向所述第一气道（4）供第一气体，所述第二气道（6）连接有第二气源，所述第二气源向所述第二气道（6）供第二气体。


2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶新浩，金補哲，林保璋，王会会，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33