反应器组件、涂覆方法、涂覆物品及其用途技术

本发明专利技术涉及反应器组件、涂覆方法、涂覆物品及其用途。提供了一种化学沉积反应器组件，配置成用于通过化学沉积在诸如多孔材料等的流体可渗透材料的表面上形成涂层，所述反应器组件包括反应室，配置成至少部分地接收具有待涂覆的目标表面的流体可渗透基底；至少一个反应性流体吸入管线，配置成将反应性流体流传递入所述反应室，以及具有至少一个封闭部分的惰性流体递送器具，所述封闭部分配置成将惰性流体流通过所述基底朝向所述基底的目标表面传递，使得所述惰性流体流在所述表面处遇到所述反应性流体流，从而在所述流体可渗透基底的目标表面处形成涂层。

【技术实现步骤摘要】
反应器组件、涂覆方法、涂覆物品及其用途
本专利技术总体上涉及薄层沉积方法和相关设备。特别地，本专利技术涉及一种反应器组件以及用于使用化学沉积技术在流体可渗透材料(诸如多孔材料)的表面上形成涂层的相关方法。
技术介绍
化学沉积方法，诸如化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)，在本领域中被广泛描述。通常被认为是CVD工艺的子类的ALD技术已证明是用于在三维基底结构上制造高品质保形涂层的有效工具。ALD基于交替的自饱和表面反应，其中在非反应性(惰性)气体载体中作为化学化合物或元素提供的不同反应物(前体)依次脉冲进入容纳基底的反应空间中。反应物沉积后通过惰性气体吹扫基底。常规ALD循环以两个半反应(脉冲第一前体–吹扫；脉冲第二前体–吹扫)进行，从而以自限(自饱和)方式形成材料层，通常厚为0.05-0.2nm。为了获得具有预定厚度的膜，循环根据需要重复多次。针对每种前体的典型基底暴露时间为0.01-1秒。常见的前体包括金属氧化物、单质金属、金属氮化物和金属硫化物。当一种或多种前体气体流动通过多孔基底并完全涂覆在孔隙内部时，就方法在浸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应器组件(100)，配置成用于通过化学沉积在流体可渗透基底的表面上形成涂层，所述反应器组件包括：/n-反应室(101)，配置成至少部分地接收具有待涂覆的目标表面(10A)的流体可渗透基底(10)；/n-至少一个反应性流体吸入管线(21)，配置成将反应性流体(12)流传递入所述反应室，以及/n-具有至少一个封闭部分(31)的惰性流体递送器具，被配置成将惰性流体(11)流通过所述流体可渗透基底(10)朝向其目标表面传递，使得所述惰性流体(11)流在所述表面处遇到所述反应性流体(12)流，从而在所述基底的目标表面(10A)处形成涂层(121)。/n

【技术特征摘要】
20190606 FI 201954791.一种反应器组件(100)，配置成用于通过化学沉积在流体可渗透基底的表面上形成涂层，所述反应器组件包括：
-反应室(101)，配置成至少部分地接收具有待涂覆的目标表面(10A)的流体可渗透基底(10)；
-至少一个反应性流体吸入管线(21)，配置成将反应性流体(12)流传递入所述反应室，以及
-具有至少一个封闭部分(31)的惰性流体递送器具，被配置成将惰性流体(11)流通过所述流体可渗透基底(10)朝向其目标表面传递，使得所述惰性流体(11)流在所述表面处遇到所述反应性流体(12)流，从而在所述基底的目标表面(10A)处形成涂层(121)。


2.根据权利要求1所述的反应器组件(100)，其中，所述流体可渗透基底(10)以仅使所述基底的目标表面(10A)暴露于所述反应性流体(12)流的方式被接收到所述反应室(101)中。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的反应器组件(100)，其中，所述封闭部分(31)与所述反应室(101)分开布置，并且其中，所述封闭部分与所述反应室之间的流体流动仅经由所述流体可渗透基底(10)发生。


4.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件，其中，所述封闭部分(31)被配置成邻接所述反应室(101)，使得在所述封闭部分(31)与所述反应室(101)之间的流体流动仅经由所述流体可渗透基底(10)发生。


5.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，其中，所述流体可渗透基底(10)至少部分地接收在所述封闭部分(31)内部。


6.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件，其中，所述惰性流体递送器具还包括至少一个惰性流体吸入管线(311)。


7.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，其中，所述封闭部分(31)基本上设置在所述反应室(101)的外部。


8.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，其中，所述封闭部分(31)设置在盖子(102)中。


9.根据前述权利要求1-6中任一项所述的反应器组件(100)，其中，所述封闭部分(31)基本上设置在所述反应室(101)的内部。


10.根据权利要求9所述的反应器组件(100)，其中，所述封闭部分(31)被配置成用于所述流体可渗透基底(10)的基底固持器。


11.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，还包括至少一个加热元件(313，313A)，所述至少一个加热元件邻接或集成至所述封闭部分(31)和/或所述一个或多个惰性流体吸入管线(311)。


12.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，还包括至少一个惰性流体流调节装置(33)，所述至少一个惰性流体流调节装置配置成在预定时间点改变所述惰性流体(11)流并调节反应性流体(12)在所述目标表面(10A)处渗透进入所述流体可渗透基底(10)的深度。


13.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，还包括至少一个反应性流体流调节装置(23)，所述至少一个反应性流体流调节装置配置成控制所述至少一个反应性流体吸入管线(21)中的所述反应性流体(12)流。


14.根据前述任一项权利要求所述的反应器组件(100)，配置成原子层沉积(ALD)装置，可选地...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科·普达斯，
申请(专利权)人：皮考逊公司，
类型：发明
国别省市：芬兰;FI