加热装置、包括该加热装置的CVD设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于加热可旋转基片承载台的加热装置，用以改善基片承载台上表面各区域的温度均匀性。该基片承载台具有旋转轴线，该加热装置位于基片承载台下方并与基片承载台在竖直方向上相隔一距离，加热装置包括一个或多个第一加热器以及多个辅助加热器，一个或多个第一加热器用于加热上方基片承载台的环形区域，多个辅助加热器处于所述环形区域下方，且所述多个辅助加热器与旋转轴线具有不同的距离，用于调节所述环形区域中局部区域的温度。

【技术实现步骤摘要】
加热装置、包括该加热装置的CVD设备
本专利技术涉及一种加热装置，还涉及包括该加热装置的化学气相沉积(CVD)设备。
技术介绍
许多半导体元件通过化学气相沉积(CVD)的方式将半导体材料外延生长在基片上，上述基片基本上是圆盘状的多晶硅材料，一般称为晶圆。在进行此制程时，晶圆会维持高温且暴露在一种或多种化学前驱物的环境中，上述前驱物可以是在基片表面上进行反应或分解，产生符合期待的沉积物。用于化学气相沉积的前驱物一般包括金属，例如金属氢化物、卤化物、卤元素氢化物和有机金属化合物。上述前驱物会与例如为氮气的载气结合，但是并不产生明显的反应，上述载气及不需要的副产物可以通过反应室的出气口排出。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)可以连续生成半导体化合物层，借以制作由三五族半导体材料形成的元件。三五族半导体材料包括发光二极管(LEDs)及其它例如是激光二极管、光学传感器及场效应晶体管的高效能晶片。在例如为蓝宝石或硅晶圆的基片上借由将有机镓化合物与氨进行反应，可以形成这种元件。在沉积氮化镓及相关化合物时，晶圆会保持在500℃至1200℃之间，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于加热可旋转基片承载台的加热装置，所述基片承载台具有旋转轴线(OO’)，所述加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一距离，所述加热装置包括主加热器以及多个辅助加热器，/n所述主加热器用于加热上方基片承载台，/n所述多个辅助加热器到旋转轴线(OO’)的距离不同，所述多个辅助加热器中的每个辅助加热器用于独立调节主加热器所加热区域中的局部温度。/n

【技术特征摘要】
20190605 CN 20191048672101.一种用于加热可旋转基片承载台的加热装置，所述基片承载台具有旋转轴线(OO’)，所述加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一距离，所述加热装置包括主加热器以及多个辅助加热器，
所述主加热器用于加热上方基片承载台，
所述多个辅助加热器到旋转轴线(OO’)的距离不同，所述多个辅助加热器中的每个辅助加热器用于独立调节主加热器所加热区域中的局部温度。


2.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述多个辅助加热器呈直线排布。


3.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述辅助加热器到基片承载台的距离与所述主加热器到基片承载台的距离相同或不相同。


4.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述主加热器包括主加热段，所述主加热段包括多个弧形加热段。


5.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，当基片承载台旋转时，所述多个辅助加热器用于加热所述基片承载台并形成若干个到旋转轴线距离不同的辅助环形加热区，所述若干个辅助环形加热区的温度可独立调节，以调节所述主加热器所加热区域的局部温度。


6.如权利要求4所述加热装置，其特征在于，当基片承载台旋转时，所述弧形加热段在基片承载台上的垂直投影形成第一环形区域，至少一个所述辅助加热器在基片承载台上的垂直投影至少部分地处于所述第一环形区域中。


7.如权利要求4所述加热装置，其特征在于，当基片承载台旋转时，相邻的所述弧形加热段之间的间隙在基片承载台上的垂直投影形成第二环形区域，至少一个所述辅助加热器在基片承载台上的垂直投影至少部分地处于所述第二环形区域中。


8.如权利要求4所述加热装置，其特征在于，至少一个所述辅助加热器的径向位置对应于相邻弧形加热段之间的间隙的径向位置。


9.如权利要求4所述的加热装置，其特征在于，至少一个所述辅助加热器的径向位置对应于所述弧形加热段的径向位置。


10.如权利要求4所述加热装置，其特征在于，所述辅助加热器中的第一组辅助加热器的径向位置对应于相邻弧形加热段之间的间隙的径向位置，并且所述辅助加热器中的第二组辅助加热器的径向位置对应于所述弧形加热段的径向位置。


11.如权利要求10所述加热装置，其特征在于，所述第一组辅助加热器和所述第二组辅助加热器分别位于所述旋转轴线(OO’)的两侧。


12.如权利要求4所述加热装置，其特征在于，至少一个所述辅助加热器的径向宽度大于相邻弧形加热段之间的间隙的宽度。


13.如权利要求4所述加热装置，其特征在于，所述主加热段还包括用于连接不同弧形加热段的连接部。


14.如权利要求13所述加热装置，其特征在于，在所述主加热段的多个相对连接部之间设置辅助加热区，所述辅助加热器位于所述辅助加热区中。


15.如权利要求14所述加热装置，其特征在于，所述辅助加热区的面积小于所述基片承载台的面积的1/5。


16.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述辅助加热器包括第一辅助加热器和第二辅助加热器，所述第一辅助加热器到所述旋转轴线(OO’)的距离大于所述第二辅助加热器到所述旋转轴线(OO’)的距离，且所述第一辅助加热器的个数大于等于所述第二辅助加热器的个数。


17.如权利要求1所述加热装置，其特征在于，所述辅助加热器包括第一辅助加热器和第二辅助加热器，所述第一辅助加热器到所述旋转轴线(OO’)的距离大于所述第二辅助加热器到所述旋转轴线(OO’)的距离，且所述第一辅助加热器的加热功率大于等于所述第二辅助加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑振宇，谢振南，姜勇，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31