一种可加热的蜂窝式多通道进气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可加热的蜂窝式多通道进气结构，涉及CVD设备进气结构技术领域。本实用新型专利技术包括多个进气管单元，进气管单元的截面为正六边形，相邻进气管单元的外壁相互连接形成蜂窝状。所有进气管单元的同一侧设置有密封盖，密封盖贯穿设置有与进气管单元内部相互连通的支路管，至少一个支路管形成一个支路单元，每一支路单元均连通有集中管。

【技术实现步骤摘要】
一种可加热的蜂窝式多通道进气结构
本技术涉及CVD设备进气结构
，具体涉及一种可加热的蜂窝式多通道进气结构。
技术介绍
CVD是ChemicalVaporDeposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅晶体结构具有同质多型的特点，其基本结构是Si-C的四面体结构，属于密堆积结构。其性能具有更高的禁带宽度、高临界击穿电场、高导热率、高载流子饱和漂移速度等优越的性能，在半导体照明、电力电子器件、激光器、探测器等领域应用中蕴含着巨大的前景。在所有的化学气象沉积领域，对反应气体的控制尤为重要，精准度高、均匀性高的反应室气体氛围对工艺沉浸薄膜的质量参数起关键作用，拥有良好的可重复性和灵活的可调节性是量产型工艺和科研型工艺的重要条件。现有CVD设备的进气通道多为方形，边角均为9本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可加热的蜂窝式多通道进气结构，其特征在于：包括多个进气管单元，所述进气管单元的截面为正六边形，相邻进气管单元的外壁相互连接形成蜂窝状。/n

【技术特征摘要】
1.一种可加热的蜂窝式多通道进气结构，其特征在于：包括多个进气管单元，所述进气管单元的截面为正六边形，相邻进气管单元的外壁相互连接形成蜂窝状。


2.根据权利要求1所述的可加热的蜂窝式多通道进气结构，其特征在于：所有进气管单元的同一侧设置有密封盖，所述密封盖贯穿设置有与进气管单元内部相互连通的支路管，至少一个支路管形成一个支路单元，每一支路单元均连通有集中管。


3.根据权利要求2所述的可加热的蜂窝式多通道进气结构，其特征在于：所述集中管配设有气体流量计。


4.根据权利要求1所述的可加热的蜂窝式多通道进气结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子优，肖蕴章，钟国仿，陈炳安，张灿，
申请(专利权)人：深圳市纳设智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44