制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件制造方法及图纸

提供了使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成至少覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件相关申请的交叉引用本专利申请要求于2019年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0070864的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。
本专利技术构思的实施例涉及使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和/或半导体器件。
技术介绍
由于半导体器件的小尺寸、多功能特性和/或低制造成本，其在电子工业中被广泛使用。半导体器件可以被分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的半导体逻辑器件以及具有半导体存储器件的功能和半导体逻辑器件的功能的混合半导体器件。半导体器件已经高度集成，并且半导体器件的结构越来越复杂。
技术实现思路
在一方面，制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。在一方面，制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成彼此间隔开的导电图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底上形成蚀刻目标层；/n在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；/n形成覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和/n通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。/n

【技术特征摘要】
20190614 KR 10-2019-00708641.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成蚀刻目标层；
在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；
形成覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和
通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一掩模图案填充所述热可分解图案之间的空间并覆盖所述热可分解图案的顶表面；并且
所述方法还包括：在去除所述热可分解图案之后去除所述第一掩模图案的上部。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一掩模图案包括：
用旋涂硬掩模复合物涂覆所述热可分解图案；和
烘烤所述旋涂硬掩模复合物，
其中，在所述旋涂硬掩模复合物的所述烘烤中去除了所述热可分解图案。


4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述热可分解图案之前，在所述蚀刻目标层上形成第二掩模层，
其中，去除所述热可分解图案包括暴露所述第二掩模层的顶表面。


5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：
使用所述第一掩模图案作为第一蚀刻掩模来蚀刻所述第二掩模层以形成第二掩模图案；和
使用所述第二掩模图案作为第二蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一掩模图案包括：
形成共形地覆盖所述热可分解图案的第一掩模层；和
对所述第一掩模层执行各向异性刻蚀工艺，
其中，所述第一掩模图案的上部的宽度小于所述第一掩模图案的下部的宽度。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述热可分解图案包括：
通过使第一单体和第二单体在所述蚀刻目标层上反应来形成热可分解层；
在所述热可分解层上形成第二掩模图案；和
使用所述第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述热可分解层。


8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上形成彼此间隔开的导电图案；
形成填充所述导电图案之间的空间并覆盖所述导电图案的热可分解层；
通过去除所述热可分解层的上部来形成热可分解图案，所述热可分解图案部分地填充所述导电图案之间的空间并且暴露所述导电图案的上侧壁；
共形地形成覆盖所述导电图案和所述热可分解图案的第一覆盖层；
去除所述热可分解图案以形成暴露所述导电图案的下侧壁的第一间隙区域；和
在所述第一覆盖层上形成第二覆盖层。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一覆盖层比所述第二覆盖层薄。


10.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：
去除所述导电图案上的所述第一覆盖层和所述第二覆盖层，以暴露所述导电图案的顶表面；和
形成与所述导电图案接触的上导电图案。


11.根据权利要求8所述的方法，在形成所述导电图案之前，所述方法还包括：
在所述衬底中形成在第一方向上延伸并且彼此平行的字线；
在所述字线之间的所述衬底中形成彼此间隔开的第一掺杂区和第二掺杂区；
在所述衬底上形成位线，所述位线电连接到所述第一掺杂区并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；和
在所述位线之间形成接触栓，以将所述第二掺杂区电连接到所述导电图案。


12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述接触栓之前，在所述位线上形成位线覆盖图案；
在形成所述接触栓之后并且在形成所述导电图案之前，形成覆盖所述接触栓的顶表面和所述位线覆盖图案的扩散阻挡层；和
在形成所述导电图案之后并且在形成所述热可分解图案之前，去除不与所述导电图案交叠的所述扩散阻挡层，
其中，去除所述扩散阻挡层包括暴露所述位线覆盖图案上的所述导电图案的底表面的一部分。


13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述导电图案之前，形成覆盖所述位线的侧壁并且包括牺牲间隔物的位线间隔物；和
在形成所述导电图案之后并且在形成所述热可分解图案之前，暴露所述牺牲间隔物的上部。


14.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承宪，金汶浚，高在康，韩太钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR