掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

一种掩膜板及其制备方法显示基板及显示装置，其中，掩膜板包括：掩膜板主体；位于所述掩膜板主体一侧表面的隔垫部，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间平缓过渡。所述掩膜板能够避免在蒸镀过程中对显示基板的损伤，避免显示基板薄膜封装失效。

【技术实现步骤摘要】
掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种、掩膜板及其制备方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight－EmittingDiode，简称OLED)显示器，又称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平面显示器。与现有的液晶显示器相比，其具有自主发光、视角宽、超轻、超薄、高亮度、低功耗和快响应等一系列的优点，并且响应速度可达液晶显示器的1000倍，因此，OLED显示器成为国内外非常热门的平面显示器产品，具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括：基板；依次层叠设置在基板上的阳极、有机功能层和阴极；以及封装在基板上的盖板。其中，有机功能层包括空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。在制备OLED显示基板的过程中，要用到蒸镀掩膜板在待蒸镀的OLED基板上蒸镀发光材料，从而形成像素区域。然而，采用现有的掩膜板蒸镀后形成的显示基板的封装性能较差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中蒸镀后的显示基板的封装失效的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩膜板，包括：掩膜板主体；位于所述掩膜板主体一侧表面的隔垫部，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间平缓过渡。可选的，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间呈倒圆角。可选的，所述隔垫部的表面粗糙度小于或等于0.8μm。可选的，所述掩膜板主体包括蒸镀区和包围所述蒸镀区的外围区，所述蒸镀区中具有若干蒸镀开口；所述隔垫部包括第一隔垫部和第二隔垫部，或者，所述隔垫部为第一隔垫部，或者，所述隔垫部为第二隔垫部；所述第一隔垫部位于所述外围区的表面，所述第二隔垫部位于所述蒸镀开口之间的蒸镀区的表面。可选的，当所述隔垫部包括第一隔垫部时，所述第一隔垫部呈环绕所述蒸镀区的环状结构。可选的，当所述隔垫部包括第二隔垫部时，所述第二隔垫部的个数与所述蒸镀开口的个数之比的取值范围为1/18～2/9。可选的，所述第二隔垫部均匀的分布在所述蒸镀区的表面。可选的，所述隔垫部的高度的取值范围为1.5μm～2μm；所述隔垫部的宽度的取值范围设置为17μm～20μm。本专利技术还提供一种掩膜板的制备方法，包括：形成掩膜板主体；在所述掩膜板主体的一侧表面形成初始隔垫部；对所述初始隔垫部背离所述掩模板主体一侧的顶角进行圆滑处理，使初始隔垫部形成隔垫部，所述隔垫部的侧壁和顶面之间平缓过渡。可选的，所述圆滑处理为湿法刻蚀工艺。可选的，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液的成分包括三氯化铁，所述三氯化铁的质量百分比浓度的取值范围为3％～5％，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀温度的取值范围为25摄氏度～40摄氏度。本专利技术还提供一种显示基板，包括：基板，所述基板表面设置有像素限定层，所述像素限定层的表面设置有辅助功能层，所述辅助功能层的表面适于与本专利技术的掩膜板的隔垫部接触。可选的，所述像素限定层的表面设置有隔垫物，所述隔垫物的高度小于所述隔垫部的高度。可选的，所述像素限定层包括隔离结构和由所述隔离结构围合形成的像素开口，所述辅助功能层与所述隔离结构背离基板的表面直接接触。本专利技术还提供一种显示装置，包括本专利技术的显示基板。本专利技术技术方案，具有如下优点：1.本专利技术技术方案提供的掩膜板，掩膜板主体一侧表面设置有隔垫部，所述隔垫部用于在蒸镀过程中支撑在基板和掩膜板主体之间。由于掩膜板主体表面的隔垫部本身的侧壁和顶面之间的平缓过渡，因此隔垫部与基板接触后，保证隔垫部与基板接触后的压痕角度平缓，避免隔垫部在蒸镀过程中对基板造成损伤，后续对基板蒸镀完成后会在基板上形成封装薄膜层，相应的，能够避免封装层中出现裂纹，避免显示基板薄膜封装失效。2.进一步，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间呈倒圆角，使得隔垫部的侧壁和顶面之间的过渡的平缓性较好，更好的避免隔垫部在蒸镀过程中对显示基板造成损伤。3.进一步，所述隔垫部表面的表面粗糙度小于或等于0.8μm，因此所述隔垫部表面的粗糙度较小，这样使得隔垫部与基板接触之后，隔垫部不易对基板表面的局部产生划痕缺陷，进一步避免隔垫部在蒸镀过程中对显示基板的损伤。4.进一步，所述掩膜板包括蒸镀区和包围所述蒸镀区的外围区，所述蒸镀区中具有若干蒸镀开口；所述隔垫部包括第一隔垫部和第二隔垫部，或者，所述隔垫部为第一隔垫部，或者，所述隔垫部为第二隔垫部；所述第一隔垫部位于所述外围区，所述第二隔垫部位于所述蒸镀开口之间的蒸镀区表面。当所述隔垫部包括第一隔垫部时，可以选择不设置第二隔垫部或者数量较少的第二隔垫部，也就是减少了蒸镀区上第二隔垫部的数量，进一步降低在蒸镀工艺过程中第二隔垫部对基板划伤的几率。其次，由于第一隔垫部位于外围区，第一隔垫部距离蒸镀开口相对较远，因此即使在蒸镀过程中外围区对应的基板受到第一隔垫部的挤压而形变，但是挤压和形变的位置距离发光层相对较远，因此对于蒸镀后显示基板的封装性能难以产生不利的影响。5.进一步，由于第一隔垫部呈环状结构，因此第一隔垫部与基板的接触面积较大，第一隔垫部在蒸镀过程中对基板的支撑性较好，可减少掩膜板由于支撑不足产生的基板的形变。6.进一步，当所述隔垫部包括第二隔垫部时，所述第二隔垫部的个数与所述蒸镀开口的个数之比的取值范围为1/18～2/9，保证较少数量的第二隔垫部与基板接触的区域较小，降低在蒸镀工艺过程中第二隔垫部对基板划伤的几率，同时保证第二隔垫部对基板的支撑性能较好。7.进一步，所述第二隔垫部均匀的分布在所述蒸镀区的表面，使得第二隔垫部与基板的蒸镀区接触的区域均分分布，这样基板的蒸镀区受力分布较为均匀，避免基板局部区域形变严重，第二隔垫部对基板的支撑性能进一步提高。8.本专利技术技术方案提供的掩膜板的制备方法，对所述初始隔垫部背离所述掩模板主体一侧的顶角进行圆滑处理，使初始隔垫部形成隔垫部。由于掩膜板主体表面的隔垫部的侧壁和顶面之间的平缓过渡，因此隔垫部与基板接触后，保证隔垫部与基板接触后的压痕角度平缓，避免隔垫部在蒸镀过程中对基板造成损伤，后续对基板蒸镀完成后会在基板上形成封装薄膜层，相应的，能够避免封装薄膜层中出现裂纹，避免基板薄膜封装失效。9.进一步，所述圆滑处理为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的作用包括：一方面，将所述初始隔垫部背离所述掩模板主体一侧的顶角尖锐的部分去除；另一方面，刻蚀去除初始隔垫部表面的毛刺，使得隔垫部背离所述掩模板主体一侧的顶面和侧壁的表面粗糙度较小。所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液的成分包括三氯化铁，三氯化铁的质量百分比浓度和刻蚀温度的取值范围不至于过大，因此刻蚀速率不至于过大，能够更好的改善隔垫部的表面粗糙度和背离所述掩模板主体一侧的顶角的圆滑度；三氯化铁的质量百分比浓度和刻蚀温度的取值范围不至于过小，因此保证一定的刻蚀效率。10.本专利技术技术方案提供的显示基板，基板表面设置有像素限定层，所述像素限定层的表面设置有辅助功能层，所述辅助功能层的表面适本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：/n掩膜板主体；/n位于所述掩膜板主体一侧表面的隔垫部，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间平缓过渡。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
掩膜板主体；
位于所述掩膜板主体一侧表面的隔垫部，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间平缓过渡。


2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述隔垫部的侧壁和所述隔垫部背向掩膜板主体的顶面之间呈倒圆角；
优选的，所述隔垫部的表面粗糙度小于或等于0.8μm。


3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板主体包括蒸镀区和包围所述蒸镀区的外围区，所述蒸镀区中具有若干蒸镀开口；所述隔垫部包括第一隔垫部和第二隔垫部，或者，所述隔垫部为第一隔垫部，或者，所述隔垫部为第二隔垫部；
所述第一隔垫部位于所述外围区的表面，所述第二隔垫部位于所述蒸镀开口之间的蒸镀区的表面；
优选的，当所述隔垫部包括第一隔垫部时，所述第一隔垫部呈环绕所述蒸镀区的环状结构；
优选的，当所述隔垫部包括第二隔垫部时，所述第二隔垫部的个数与所述蒸镀开口的个数之比的取值范围为1/18～2/9；
优选的，所述第二隔垫部均匀的分布在所述蒸镀区的表面。


4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述隔垫部的高度的取值范围为1.5μm～2μm；所述隔垫部的宽度的取值范围为17μm～20μm。


5....

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦磊，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13