【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有透明基板的光电模块及制造其的方法
本公开涉及具有透明基板的光电模块及制造这些模块的方法。
技术介绍
典型的光电模块(比如接近传感器、结构化光发生器、二维或三维成像相机或环境光传感器)包括在其上安装有光电组件的基板。基板既可以提供机械支撑,又可以提供将光电组件电连接到其他组件(比如电路、处理器、电源等)的手段。光电模块还可以包括透明盖,该透明盖被配置为在不妨碍其检测和/或产生光的能力的情况下保护光电组件。然而,光电模块的总厚度趋于由于基板和透明盖的厚度而增加,产生不适用于一些应用的厚度。例如,尺寸相对小的主机设备(比如可穿戴装置和其他移动装置(例如,电子平板电脑、笔记本电脑和便携式媒体播放器))可能无法容纳相对厚的光电模块。因此,需要既具有基板又具有透明盖的相对薄的光电模块。
技术实现思路
本公开描述了既包括基板又包括透明盖并且表现出相对小的厚度的光电模块。例如,根据一个方面,光电模块包括设置在透明基板的第一面上的光电组件,光电组件对电磁辐射的特定波长敏感和/或可操作以产生电磁辐射的特定波长,并且透明基板透射电磁辐射的特定波长。在一些情况下,透明基板至少部分地由玻璃组成。光电模块还可以包括:导电层,其设置在透明基板的第二面上;以及多个导电通路,其设置在透明基板的第一面和第二面之间并与光电组件和导电层电连通,导电层透射特定波长。在一些实施方案中,导电层包括导电膜和结构体,结构体被配置为电隔离导电膜的部分。在一些实施方案中,导电膜至少部分地由铟锡氧化物组成。在一些实施方案中,导电层包 ...
【技术保护点】
1.一种光电模块,包括:/n光电组件,设置在透明基板的第一面上,所述光电组件对电磁辐射的特定波长敏感和/或可操作以产生电磁辐射的特定波长,并且所述透明基板透射电磁辐射的所述特定波长;/n导电层,设置在所述透明基板的第二面上,多个导电通路设置在所述透明基板的所述第一面和所述第二面之间并且与所述光电组件和所述导电层电连通,所述导电层透射所述特定波长;/n多个电连接器,设置在所述导电层上,所述电连接器经由所述导电层和所述多个导电通路与所述光电组件电连通;和/n外壳,设置在所述透明基板的至少所述第一面上,并且进一步设置为使得所述光电组件至少部分地被所述外壳封装,所述外壳基本上不透射所述特定波长。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171227 US 62/610,6601.一种光电模块,包括:
光电组件,设置在透明基板的第一面上,所述光电组件对电磁辐射的特定波长敏感和/或可操作以产生电磁辐射的特定波长,并且所述透明基板透射电磁辐射的所述特定波长;
导电层,设置在所述透明基板的第二面上,多个导电通路设置在所述透明基板的所述第一面和所述第二面之间并且与所述光电组件和所述导电层电连通,所述导电层透射所述特定波长;
多个电连接器,设置在所述导电层上,所述电连接器经由所述导电层和所述多个导电通路与所述光电组件电连通;和
外壳,设置在所述透明基板的至少所述第一面上,并且进一步设置为使得所述光电组件至少部分地被所述外壳封装,所述外壳基本上不透射所述特定波长。
2.根据权利要求1所述的光电模块,其中,所述导电层包括导电膜和结构体,所述结构体被配置为电隔离所述导电膜的一部分。
3.根据权利要求1所述的光电模块,其中,所述导电层包括多个导电迹线。
4.根据权利要求2所述的光电模块,其中,所述导电膜至少部分地由铟锡氧化物组成。
5.根据权利要求3所述的光电模块,其中,所述多个导电迹线至少部分地由铜组成。
6.根据权利要求1-5中的一项所述的光电模块,其中,所述外壳设置在所述透明基板的横向面上。
7.根据权利要求6所述的光电模块,其中,所述外壳设置在所述透明基板的所述第二面的至少一部分上。
8.根据以上前述权利要求中任一项所述的光电模块,进一步包括设置在所述导电层上的光学元件和/或光学膜。
9.根据以上前述权利要求中任一项所述的光电模块,进一步包括设置在所述透明基板的所述第一面上的光学元件和/或光学膜。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光电模块,其中所述透明基板至少部分地由玻璃组成。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光电模块,进一步包括孔。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光电模块,进一步包括挡板。
13.根据权利要求11-12中任一项所述的光电模块,其中所述挡板和/或所述孔的至少一部分被集成至所述结构体的至少一部分中。
14.根据权利要求8-9中任一项所述的光电模块,其中所述光学元件是扩散器、折射光学元件、衍射光学元件、微透镜阵列和/或滤光器。
15.一种制造多个离散光电模块的方法,所述方法包括:
提供晶片组件,所述晶片组件包括具有第一面、第二面和横向面的透明基板,所述晶片组件进一步包括设置在所述第一面和所述第二面之间的多个导电通路,所述晶片组件进一步包括设置在所述透明基板的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:博扬·泰沙诺比,尼古拉·斯普林,
申请(专利权)人:ams传感器新加坡私人有限公司,
类型:发明
国别省市:新加坡;SG
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