【技术实现步骤摘要】
一种SiC紫外传感器
本技术涉及传感器
,具体为一种SiC紫外传感器。
技术介绍
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,对可见光完全不吸收,是常用的紫外线传感器材料之一。SiC紫外线传感器具有体积小、灵敏度高、抗可见光干扰能力强、功耗低、可靠性高等优点。具有卓越的高温稳定性和低漏电特性,芯片本身的长期工作温度可以达到400摄氏度以上,特别适用于极端工业应用条件下的紫外线传感。但是目前的SiC紫外传感器往往需要在极端的环境下作业,容易受到损坏,而且自我保护能力弱,防摔缓冲能力弱,为此提出一种既能对传感器进行缓冲保护,也能将敏感部件与外界隔离的传感器来解决此问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种SiC紫外传感器,具备既能对传感器进行缓冲保护,也能将敏感部件与外界隔离的优点,解决了目前的SiC紫外传感器往往需要在极端的环境下作业,容易受到损坏,而且自我保护能力弱,防摔缓冲能力弱的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种SiC紫外传感器,包括紫外传感器本体,所述紫外传感器本体底部的支 ...
【技术保护点】
1.一种SiC紫外传感器,包括紫外传感器本体(1),其特征在于:所述紫外传感器本体(1)底部的支脚插接有传感器底座(2),所述传感器底座(2)的顶部粘合有保护块(3),所述保护块(3)的顶部与紫外传感器本体(1)的底部粘合,所述传感器底座(2)的表面套接有连接螺框(4),所述连接螺框(4)的表面螺纹连接有螺纹套(5),所述螺纹套(5)的顶部之间卡接有高透保护壳(6),所述保护块(3)的表面套接有支撑圈(7),所述支撑圈(7)的表面与高透保护壳(6)的内壁紧贴,所述连接螺框(4)的底部一体加工有连接底块(8)。/n
【技术特征摘要】
1.一种SiC紫外传感器,包括紫外传感器本体(1),其特征在于:所述紫外传感器本体(1)底部的支脚插接有传感器底座(2),所述传感器底座(2)的顶部粘合有保护块(3),所述保护块(3)的顶部与紫外传感器本体(1)的底部粘合,所述传感器底座(2)的表面套接有连接螺框(4),所述连接螺框(4)的表面螺纹连接有螺纹套(5),所述螺纹套(5)的顶部之间卡接有高透保护壳(6),所述保护块(3)的表面套接有支撑圈(7),所述支撑圈(7)的表面与高透保护壳(6)的内壁紧贴,所述连接螺框(4)的底部一体加工有连接底块(8)。
2.根据权利要求1所述的一种SiC紫外传感器,其特征在于:所述连接底块(8)内部的孔洞套接有线缆(9),所述线缆(9)的表面包裹有隔热层,所述线缆(9)与传感器底座(2)电性连...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆海,周东,唐起,
申请(专利权)人:苏州镓敏光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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