一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法，属于位置探测器技术领域。包括自下而上设置的N型碳化硅衬底层、电学隔离层、高掺杂下漂移层、低掺杂中漂移层和高掺杂上漂移层，高掺杂下漂移层上具有第一图形区域，低掺杂中漂移层和高掺杂上漂移层位于第一图形区域中，第一图形区域在第一方向上相对两侧分别设置有第一欧姆接触电极，高掺杂上漂移层顶部沿第二方向间隔设置有两个第二欧姆接触电极，第二方向与第一方向垂直，高掺杂下漂移层与高掺杂上漂移层的导电特性相反。能够解决现有技术中紫外位置敏感探测器因器件结构缺陷造成的探测结构位置误差大，测量精度不理想的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及位置探测器，特别涉及一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法。

技术介绍

1、紫外psd(position sensitive detector，位置敏感探测器)已被广泛应用于新一代信息技术中，在运动跟踪、振动监测、空间光通信、生物传感等领域具有广阔的应用前景。psd的工作原理基于横向光电效应，对于常见p-i-n结构的psd，‌当器件表面受到光照射时，光斑位置处产生电子-空穴对，这些载流子流过横向电阻层，分别在设置在横向电阻层边缘的若干电极上产生光电流。由于横向电阻层电阻均匀，电极输出的光电流反比于入射光斑位置到各个电极之间的距离，从而实现位置检测。

2、在相关技术中，商用psd以硅基器件为主，其中宽禁带半导体材料碳化硅具有禁带宽度大、临界位移能高、电子迁移率高、热导系数高等优良特性，碳化硅基紫外位置敏感探测器往往具有抗辐照性能好、噪声水平低、温度稳定性高的优点。

3、然而，现有的碳化硅基紫外二维psd，其为了测定入射光斑的二维坐标位置，需要设置两组相互间隔的电极。四个电极通常呈四边形布置于器件的同一表面上。在探测过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅基紫外位置敏感探测器，其特征在于，包括自下而上设置的N型碳化硅衬底层（1）、电学隔离层（2）、高掺杂下漂移层（3）、低掺杂中漂移层（4）和高掺杂上漂移层（5），所述高掺杂下漂移层（3）上具有第一图形区域（3a），所述低掺杂中漂移层（4）和高掺杂上漂移层（5）位于所述第一图形区域（3a）中，所述第一图形区域（3a）在第一方向上相对两侧分别设置有第一欧姆接触电极（6），所述高掺杂上漂移层（5）顶部沿第二方向间隔设置有两个第二欧姆接触电极（7），所述第二方向与所述第一方向垂直，所述高掺杂下漂移层（3）与所述高掺杂上漂移层（5）的导电特性相反。

2.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅基紫外位置敏感探测器，其特征在于，包括自下而上设置的n型碳化硅衬底层（1）、电学隔离层（2）、高掺杂下漂移层（3）、低掺杂中漂移层（4）和高掺杂上漂移层（5），所述高掺杂下漂移层（3）上具有第一图形区域（3a），所述低掺杂中漂移层（4）和高掺杂上漂移层（5）位于所述第一图形区域（3a）中，所述第一图形区域（3a）在第一方向上相对两侧分别设置有第一欧姆接触电极（6），所述高掺杂上漂移层（5）顶部沿第二方向间隔设置有两个第二欧姆接触电极（7），所述第二方向与所述第一方向垂直，所述高掺杂下漂移层（3）与所述高掺杂上漂移层（5）的导电特性相反。

2.根据权利要求1所述的碳化硅基紫外位置敏感探测器，其特征在于，所述电学隔离层（2）上设置有第二图形区域（2a），所述高掺杂下漂移层（3）位于所述第二图形区域（2a）中。

3.根据权利要求1所述的碳化硅基紫外位置敏感探测器，其特征在于，所述高掺杂下漂移层（3）的掺杂浓度范围为1×1017cm-3至1×1021cm-3；所述高掺杂上漂移层（5）的掺杂浓度范围为1×1017cm-3至1×1021cm-3。

4.根据权利要求3所述的碳化硅基紫外位置敏感探测器，其特征在于，当所述高掺杂下漂移层（3）和所述高掺杂上漂移层（5）的掺杂浓度小于或等于1×1018cm-3时，所述第一欧姆接触电极（6）与所述高掺杂下漂移层（3）之间，所述第二欧姆接触电极（7）与所述高掺杂上漂移层（5）之间均设置有欧姆接触区域层（8），并通过所述欧姆接触区域层（8）连接。

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆海，周东，
申请(专利权)人：苏州镓敏光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：