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本发明提供了一种碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法，属于位置探测器技术领域。包括自下而上设置的N型碳化硅衬底层、电学隔离层、高掺杂下漂移层、低掺杂中漂移层和高掺杂上漂移层，高掺杂下漂移层上具有第一图形区域，低掺杂中漂移层和高掺杂上漂移层...
该专利属于苏州镓敏光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州镓敏光电科技有限公司授权不得商用。

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