【技术实现步骤摘要】
一种GaN紫外传感器
本技术涉及传感器
,具体为一种GaN紫外传感器。
技术介绍
氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,克服了硅基紫外传感器对可见光有强烈响应,且紫外灵敏度低的缺点,是制备紫外线传感器的理想材料。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。GaN紫外传感器在检测、医疗等方面有着广泛的运用,但是目前的GaN紫外传感器容易受到外力干扰导致传感器损坏,而且在经过一段时间使用后传感器往往粘上灰尘需要清理,频繁清理容易加剧磨损,为此提出一种既能减少外力干扰,也能减少灰尘清理的传感器来解决此问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种GaN紫外传感器,具备既能减少外力干扰,也能减少灰尘清理的优点,解决了目前的GaN紫外传感器容易受到外力干扰导致传感器损坏,而且在经过一段时间使用后往往粘上灰尘需要清理,容易加剧磨损的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种GaN紫外传感器,包括传感器本体,所述传感器本体底部的支脚插接有传感器连 ...
【技术保护点】
1.一种GaN紫外传感器,包括传感器本体(1),其特征在于:所述传感器本体(1)底部的支脚插接有传感器连接座(2),所述传感器连接座(2)的底部固定安装有安装底座(3),所述传感器连接座(2)的表面和安装底座(3)的内部之间套接有减震橡胶套(4),所述安装底座(3)的内部并位于减震橡胶套(4)的顶部套接有减震块(5),所述传感器本体(1)底部支脚的表面套设有绝缘橡胶(6),所述绝缘橡胶(6)与减震块(5)套接,所述安装底座(3)顶部的四周之间一体加工有连接框(7),所述连接框(7)的顶部螺纹连接有保护框(8),所述保护框(8)和连接框(7)之间夹持有密封圈(9),所述保护框 ...
【技术特征摘要】
1.一种GaN紫外传感器,包括传感器本体(1),其特征在于:所述传感器本体(1)底部的支脚插接有传感器连接座(2),所述传感器连接座(2)的底部固定安装有安装底座(3),所述传感器连接座(2)的表面和安装底座(3)的内部之间套接有减震橡胶套(4),所述安装底座(3)的内部并位于减震橡胶套(4)的顶部套接有减震块(5),所述传感器本体(1)底部支脚的表面套设有绝缘橡胶(6),所述绝缘橡胶(6)与减震块(5)套接,所述安装底座(3)顶部的四周之间一体加工有连接框(7),所述连接框(7)的顶部螺纹连接有保护框(8),所述保护框(8)和连接框(7)之间夹持有密封圈(9),所述保护框(8)顶部的开口套接有卡圈(10),所述卡圈(10)的内部卡接有高透片(11)。
2.根据权利要求1所述的一种GaN紫外传感器,其特征在于:所述安装底座(...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆海,周东,唐起,
申请(专利权)人:苏州镓敏光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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