具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器设备，该存储器设备包括：半导体衬底，该半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中衬底的沟道区在该源极区与该漏极区之间延伸；多晶硅的浮栅，该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与该第一部分绝缘，其中该浮栅具有终止于锐利边缘的倾斜上表面；多晶硅的字线栅，该字线栅设置在沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与该第二部分绝缘；以及多晶硅的擦除栅，该擦除栅设置在源极区上方并且通过具有第三厚度的绝缘材料与该源极区绝缘，其中该擦除栅包括包绕在浮栅的锐利边缘周围并与该锐利边缘绝缘的凹口。该第三厚度大于该第一厚度，并且该第一厚度大于该第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法相关专利申请本申请要求于2018年5月9日提交的美国临时申请号62/669263和于2018年8月7日提交的美国专利申请号16/057750的权益。
本专利技术涉及分裂栅非易失性存储器单元。
技术介绍
具有三个栅极的分裂栅非易失性存储器单元是已知的。参见例如美国专利7315056，其公开了分裂栅存储器单元，分裂栅存储器单元各自具有：在半导体衬底中的源极区和漏极区，该半导体衬底具有在该源极区与该漏极区之间延伸的沟道区；位于沟道区的第一部分上方的浮栅；位于沟道区的第二部分上方的控制栅(也称为字线栅)；以及位于源极区上方的P/E栅。需要制造方法改进来更好地控制存储器单元的各种元件的形成。
技术实现思路
上述问题和需求通过存储器设备来解决，该存储器设备包括：半导体衬底，该半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中衬底的沟道区在该源极区与该漏极区之间延伸；多晶硅的浮栅，该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与该第一部分绝缘，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中所述衬底的沟道区在所述源极区与所述漏极区之间延伸；/n多晶硅的浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与所述第一部分绝缘，其中所述浮栅具有终止于锐利边缘的倾斜上表面；/n多晶硅的字线栅，所述字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与所述第二部分绝缘；和/n多晶硅的擦除栅，所述擦除栅设置在所述源极区上方并且通过具有第三厚度的绝缘材料与所述源极区绝缘，其中所述擦除栅包括包绕在所述浮栅的所述锐利边缘周围并与所述锐利边缘绝缘的凹口；/n其中所述第三厚度大于...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180509 US 62/669,263;20180807 US 16/057,7501.一种存储器设备，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中所述衬底的沟道区在所述源极区与所述漏极区之间延伸；
多晶硅的浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与所述第一部分绝缘，其中所述浮栅具有终止于锐利边缘的倾斜上表面；
多晶硅的字线栅，所述字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与所述第二部分绝缘；和
多晶硅的擦除栅，所述擦除栅设置在所述源极区上方并且通过具有第三厚度的绝缘材料与所述源极区绝缘，其中所述擦除栅包括包绕在所述浮栅的所述锐利边缘周围并与所述锐利边缘绝缘的凹口；
其中所述第三厚度大于所述第一厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：
具有所述第一厚度的所述绝缘材料为氧化物；
具有所述第二厚度的所述绝缘材料为氧化物；并且
具有所述第三厚度的所述绝缘材料为氧化物。


3.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：
绝缘材料间隔物，所述绝缘材料间隔物直接设置在所述浮栅上并在所述字线栅和所述擦除栅之间直接延伸。


4.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：
自对准多晶硅化物，所述自对准多晶硅化物形成在所述字线栅和所述擦除栅的上表面上。


5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：
所述擦除栅的所述凹口通过具有第四厚度的绝缘材料与所述浮栅的所述锐利边缘绝缘；并且
第二厚度小于所述第四厚度。


6.一种存储器设备，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有源极区、第一漏极区和第二漏极区，其中所述衬底的第一沟道区在所述源极区与所述第一漏极区之间延伸，并且所述衬底的第二沟道区在所述源极区和所述第二漏极区之间延伸；
多晶硅的第一浮栅，所述第一浮栅设置在所述第一沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与所述第一部分绝缘，其中所述第一浮栅具有终止于第一锐利边缘的倾斜上表面；
多晶硅的第二浮栅，所述第二浮栅设置在所述第二沟道区的第一部分上方并且通过具有所述第一厚度的绝缘材料与所述第一部分绝缘，其中所述第二浮栅具有终止于第二锐利边缘的倾斜上表面；
多晶硅的第一字线栅，所述第一字线栅设置在所述第一沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与所述第二部分绝缘；
多晶硅的第二字线栅，所述第二字线栅设置在所述第二沟道区的第二部分上方并且通过具有第二厚度的绝缘材料与所述第二部分绝缘；和
多晶硅的擦除栅，所述擦除栅设置在所述源极区上方并且通过具有第三厚度的绝缘材料与所述源极区绝缘，其中所述擦除栅包括第一凹口和第二凹口，所述第一凹口包绕在所述第一浮栅的所述第一锐利边缘周围并与所述第一锐利边缘绝缘，所述第二凹口包绕在所述第二浮栅的所述第二锐利边缘周围并与所述第二锐利边缘绝缘；
其中所述第三厚度大于所述第一厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。


7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中：
具有所述第一厚度的所述绝缘材料为氧化物；
具有所述第二厚度的所述绝缘材料为氧化物；并且
具有所述第三厚度的所述绝缘材料为氧化物。


8.根据权利要求6所述的存储器设备，还包括：
第一绝缘材料间隔物，所述第一绝缘材料间隔物直接设置在所述第一浮栅上并在所述第一字线栅和所述擦除栅之间直接延伸；
第二绝缘材料间隔物，所述第二绝缘材料间隔物直接设置在所述第二浮栅上并在所述第二字线栅和所述擦除栅之间直接延伸。


9.根据权利要求6所述的存储器设备，还包括：
自对准多晶硅化物，所述自对准多晶硅化物形成在所述第一字线栅和所述第二字线栅以及所述擦除栅的上表面上。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·多，苏千乗，杨任伟，
申请(专利权)人：硅存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US