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本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括：半导体衬底，该半导体衬底具有间隔开的源极区和漏极区，其中衬底的沟道区在该源极区与该漏极区之间延伸；多晶硅的浮栅，该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且通过具有第一厚度的绝缘材料与该第一部分绝缘，其...
该专利属于硅存储技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术股份有限公司授权不得商用。

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