能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb制造技术

本发明专利技术公开了一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb

【技术实现步骤摘要】
能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料
本专利技术属于拓扑绝缘材料
，更具体地，涉及一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，可通过磁性原子掺杂调控超晶格材料[GeTe/Sb2Te3]n拓扑绝缘性能。
技术介绍
拓扑绝缘材料这一新型物质态的发现，使得人们在量子计算的实现上看到了新的方向。拓扑绝缘体不能与传统的绝缘体和半导体产生热作用，但经研究发现拓扑超导体材料在产生能隙后发现了由Majorana费米子组成的表面态，为实现拓扑量子计算提供了新的方向。目前对第三代拓扑绝缘体材料Sb2Te3、Bi2Te3等已经有许多相关研究，由于这类材料的六层周期结构，使得其表面态的狄拉克锥能够在实验和理论上都得到观测和证明，这一系列材料的研究对于拓扑绝缘体的发展有着重要作用。超晶格薄膜材料作为一种由两种不同的半导体材料薄层依次交替生长所得到的材料，可以通过实验操作来控制各材料的膜层厚度以此来调节材料特性，2012年，萨百晟等人对在超晶格薄膜材料[GeTe/Sb2Te3]n进行了第一性原理计算，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb

【技术特征摘要】
1.一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，在初始超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料中加入掺杂元素，所述掺杂元素包括锰Mn或铬Cr或钐Sm中的至少一种，以破坏所述超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料的时间反演对称性，使得其表面能带结构的狄拉克点打开，同时产生能带自旋劈裂现象。


2.根据权利要求1所述的一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，所述自旋劈裂现象对应的能带自旋劈裂大于100meV。


3.根据权利要求2所述的一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，所述掺杂元素的原子个数掺杂浓度不超过15％。


4.根据权利要求3所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：程晓敏，夏泽瑛，张瑾，冯金龙，童浩，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42