【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热塑性树脂膜
本专利技术涉及一种胶带用基材膜,其为用于半导体制造工序的涂布有粘着层的胶带用基材膜,其能够用于包括回焊工序的多个工序。
技术介绍
作为结晶性热塑性树脂的聚醚醚酮树脂由于耐热性、刚性等优异而被用于印刷电路板的基板、电子部件的载带、图像形成装置的半导电带等电子部件中。例如提出了下述方案:通过将含有聚醚醚酮和聚醚砜作为树脂成分的树脂组合物构成的耐热性膜用于图像形成装置的半导电带,能够制成除了耐热性外还具有优异的耐弯曲疲劳性的半导电带(专利文献1)。另一方面,在切割半导体晶片前,为了半导体晶片的薄型化而进行背面研磨工序,利用半导体制造工序用带对半导体晶片进行保护,以免受研磨的损害。另外,对切割半导体晶片得到的半导体芯片进行拾取时,通常,在拾取前为了扩大半导体芯片的间隔而进行将半导体制造工序用带扩展的扩展工序。另外,在拾取半导体芯片时,利用紫外线使涂布到半导体制造工序用带上的粘着层固化,使粘着层的粘着性降低。因这些工序,以往在半导体制造工序中使用的半导体制造工序用带多将拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性等优 ...
【技术保护点】
1.一种热塑性树脂膜,其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体,所述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂,所述第1树脂成分的结晶度超过所述树脂复合体整体的5.0%。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190329 JP 2019-0675831.一种热塑性树脂膜,其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体,所述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂,所述第1树脂成分的结晶度超过所述树脂复合体整体的5.0%。
2.如权利要求1所述的热塑性树脂膜,其中,所述第1树脂成分包含选自由聚醚醚酮、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮和脂肪族聚酮组成的组中的至少一种树脂。
3.如权利要求1或2所述的热塑性树脂膜,其中,所述第2树脂成分包含芳香族聚酯树脂。
4.如权利要求1或2所述的热塑性树脂膜,其中,所述第2树脂成分包含具有醚键的非晶质热塑性树脂。
5.如权利要求1~...
【专利技术属性】
技术研发人员:浅沼匠,池田英行,杉山翔太,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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