热塑性树脂膜制造技术

本发明专利技术提供一种用于半导体制造工序的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。一种热塑性树脂膜，其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，上述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，上述第1树脂成分的结晶度超过上述树脂复合体整体的5.0％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热塑性树脂膜
本专利技术涉及一种胶带用基材膜，其为用于半导体制造工序的涂布有粘着层的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。
技术介绍
作为结晶性热塑性树脂的聚醚醚酮树脂由于耐热性、刚性等优异而被用于印刷电路板的基板、电子部件的载带、图像形成装置的半导电带等电子部件中。例如提出了下述方案：通过将含有聚醚醚酮和聚醚砜作为树脂成分的树脂组合物构成的耐热性膜用于图像形成装置的半导电带，能够制成除了耐热性外还具有优异的耐弯曲疲劳性的半导电带(专利文献1)。另一方面，在切割半导体晶片前，为了半导体晶片的薄型化而进行背面研磨工序，利用半导体制造工序用带对半导体晶片进行保护，以免受研磨的损害。另外，对切割半导体晶片得到的半导体芯片进行拾取时，通常，在拾取前为了扩大半导体芯片的间隔而进行将半导体制造工序用带扩展的扩展工序。另外，在拾取半导体芯片时，利用紫外线使涂布到半导体制造工序用带上的粘着层固化，使粘着层的粘着性降低。因这些工序，以往在半导体制造工序中使用的半导体制造工序用带多将拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性等优异的聚烯烃/聚酯系树脂作为基材膜。另一方面，近年来，半导体器件的多芯片化推进，在其制造工序内有时导入以260℃左右的热对工件进行加热处理的回焊工序。但是，上述聚烯烃/聚酯系树脂不具有可承受回焊工序的耐热性。因此，为了应对回焊工序，导入了以具有耐热性的聚酰亚胺作为基材膜的半导体制造工序用带。但是，聚酰亚胺膜在拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性、吸水率等方面存在问题，具有在半导体制造工序中无法适用于回焊工序以外的工序的问题。因此，在半导体制造工序中，在回焊工序与背面研磨工序、切割工序和拾取工序等回焊工序以外的工序之间需要半导体制造工序用带的更换粘贴操作。半导体制造工序用带的更换粘贴操作会导致半导体制造工序的工时增大和繁杂化，引起半导体器件的制造成品率降低。因此，在需要导入回焊工序的半导体器件的制造中，存在制造成本增大等问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-266418号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种用于半导体制造工序的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。用于解决课题的手段本专利技术的构成要点如下。[1]一种热塑性树脂膜，其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，上述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，上述第1树脂成分的结晶度超过上述树脂复合体整体的5.0％。[2]如[1]所述的热塑性树脂膜，其中，上述第1树脂成分包含选自由聚醚醚酮、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮和脂肪族聚酮组成的组中的至少一种树脂。[3]如[1]或[2]所述的热塑性树脂膜，其中，上述第2树脂成分包含芳香族聚酯树脂。[4]如[1]或[2]所述的热塑性树脂膜，其中，上述第2树脂成分包含具有醚键的非晶质热塑性树脂。[5]如[1]～[4]中任一项所述的热塑性树脂膜，其中，上述树脂复合体由基体部和局域部构成，上述基体部包含上述第1树脂成分，上述局域部包含以分散的形式含有在该基体部中的上述第2树脂成分。[6]如[5]所述的热塑性树脂膜，其中，与上述热塑性树脂膜的流动方向正交的方向的截面处的上述局域部的平均直径为10μm以下。[7]如[1]～[6]中任一项所述的热塑性树脂膜，其中，上述树脂复合体的拉伸弹性模量在260℃为1.0×104Pa以上。[8]如[1]～[7]中任一项所述的热塑性树脂膜，其中，上述树脂复合体的波长375nm的紫外线的透射率超过0.50％。[9]如[1]～[8]中任一项所述的热塑性树脂膜，其中，上述树脂复合体的面内方向的最大尺寸变化率在260℃为2.0％以下。专利技术的效果根据本专利技术的热塑性树脂膜的方式，其为具有290℃以上的熔点的作为结晶性热塑性树脂的第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，通过使结晶性热塑性树脂的结晶度超过树脂复合体整体的5.0％，在具备耐热性的同时，拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性、加热时的耐变形性优异。因此，能够用作用于半导体制造工序的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。根据本专利技术的热塑性树脂膜的方式，通过使第1树脂成分包含选自由聚醚醚酮、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮和脂肪族聚酮组成的组中的至少一种树脂，耐热性和拉伸时的伸长特性可靠地提高。根据本专利技术的热塑性树脂膜的方式，通过使第2树脂成分包含芳香族聚酯树脂或具有醚键的非晶质热塑性树脂，拉伸时的伸长特性可靠地提高。根据本专利技术的热塑性树脂膜的方式，通过使树脂复合体由包含第1树脂成分的基体部与包含以分散的形式含有在基体部中的第2树脂成分的局域部构成，拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性、加热时的耐变形性进一步提高。根据本专利技术的热塑性树脂膜的方式，通过使与热塑性树脂膜的流动方向正交的方向的截面处的上述局域部的平均直径为10μm以下，拉伸时的伸长特性、加热时的耐变形性进一步可靠地提高。具体实施方式本专利技术的热塑性树脂膜为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，该第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂。因此，本专利技术的热塑性树脂膜是合用上述第1树脂成分和上述第2树脂成分而合金化的树脂复合体。另外，第1树脂成分的结晶度超过合金化的树脂复合体整体的5.0％。第1树脂成分主要对本专利技术的热塑性树脂膜赋予耐热性。作为第1树脂成分，只要是具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，对树脂种类就没有特别限定，例如可以举出聚醚酮、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮等聚亚芳基醚酮(PAEK)树脂、脂肪族聚酮树脂等。这些树脂可以单独使用，也可以合用两种以上。其中，从作为半导体制造工序用带不仅耐热性优异、而且拉伸时的伸长特性也优异的方面出发，优选聚亚芳基醚酮(PAEK)树脂，特别优选聚醚醚酮(PEEK)树脂。第1树脂成分的熔点只要为290℃以上就没有特别限定，从能够可靠地连续用于约260℃的回焊工序的方面出发，其下限值优选为300℃、特别优选为320℃。另一方面，作为第1树脂成分的熔点的上限值，例如可以举出340℃。第1树脂成分的结晶度只要超过树脂复合体整体的5.0％就没有特别限定，从热塑性树脂膜的耐热性可靠地提高，即便受到热负荷也可可靠地获得耐变形性的方面出发，其下限值优选为7％、特别优选为9％。另一方面，从可靠地防止热塑性树脂膜的脆化、并且确保更优异的紫外线透过性的方面出发，第1树脂成分的结晶度的上限值优选为树脂复合体整体的30％、特别优选为25％。需要说明的是，第1树脂成分的结晶度可以通过由广角X射线衍射得到的非晶晕环与晶体的衍射峰的面积比而算出。第2树脂成分主要对本专利技术的热塑性树脂膜赋予紫外线透过性和加热时的耐变形性。第2树脂成分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热塑性树脂膜，其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，所述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，所述第1树脂成分的结晶度超过所述树脂复合体整体的5.0％。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190329 JP 2019-0675831.一种热塑性树脂膜，其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，所述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，所述第1树脂成分的结晶度超过所述树脂复合体整体的5.0％。


2.如权利要求1所述的热塑性树脂膜，其中，所述第1树脂成分包含选自由聚醚醚酮、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮和脂肪族聚酮组成的组中的至少一种树脂。


3.如权利要求1或2所述的热塑性树脂膜，其中，所述第2树脂成分包含芳香族聚酯树脂。


4.如权利要求1或2所述的热塑性树脂膜，其中，所述第2树脂成分包含具有醚键的非晶质热塑性树脂。


5.如权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅沼匠，池田英行，杉山翔太，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP