基于NiFe制造技术

本发明专利技术公开了一种基于NiFe

【技术实现步骤摘要】
基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法
本专利技术属于紫外光电探测应用
，具体涉及一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，本专利技术还涉及基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法。
技术介绍
氧化镓(β-Ga2O3)作为一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，对应的吸收波长为253nm，在深紫外光区具有高光电响应特性，在深紫外日盲光电探测器领域具有巨大的应用潜力。同时，氧化镓的高禁带宽度高的击穿电场强度(临界击穿电场强度理论值可达8MV/cm),使得氧化镓深紫外日盲光电探测器更适合于高频、高温、高压和高辐射环境下的应用。目前，Ga2O3紫外光电探测器主要基于肖特基(MSM)结构。与基于MSM结构光电探测器相比，基于pn结结构的光电探测器具有更大的光电响应度和更快的相应速度。然而，由于氧空位的存在，目前p型Ga2O3材料的制备没有取得有效的进展。p型Ga2O3材料的缺乏使得Ga2O3基pn结结构紫外光电二极管难以实现，从而制约了Ga2O3材料在紫外光电探测领域中的应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于NiFe

【技术特征摘要】
1.基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，其特征在于，包括衬底(1)，衬底(1)上形成有P型NiFe2O4层(2)，P型NiFe2O4层(2)的部分区域上形成有N型β-Ga2O3层(4)，N型β-Ga2O3层(4)上为N型β-Ga2O3层上的电极(5)，P型NiFe2O4层(2)的另外部分区域上形成有P型NiFe2O4层上的电极(3)。


2.根据权利要求1所述的基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，其特征在于，所述P型NiFe2O4层上的电极(3)和N型β-Ga2O3层上的电极(5)材料均为Au、Al、Ni、Ti、Cu、Pb金属材料中的一种，或者包含上述金属材料的合金或ITO导电性化合物。


3.根据权利要求1所述的基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，其特征在于，所述衬底(1)为Al2O3、石英、绝缘MgO或者绝缘SrTiO3衬底。


4.根据权利要求1所述的基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，其特征在于，所述N型β-Ga2O3层(4)厚度为100～200nm，掺杂浓度为1015～1016cm-3，所述P型NiFe2O4层(2)厚度为100～200nm，载流子浓度为1017～1018cm-3。


5.一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：
步骤1、对衬底(1)进行清洗，清洗后用氮气吹干待用；
步骤2、在步骤1清洗后的衬底(1)上进行P型NiFe2O4层生长；
步骤3、在步骤2得到的P型NiFe2O4层上的部分区域进行N型β-Ga2O3层生长；
步骤4、在步骤2得到的P型NiFe2O4层上制作P型NiFe2O4层上的电极(3)；
步骤5、在步骤3得到的N型β-Ga2O3层上制作N型β-Ga2O3层上的电极(5)，最终形成所述基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管。


6.根据权利要求5所述的一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中清洗流程为：使用清洗液-丙酮-酒精-去离子水逐步对样品进行清洗。


7.根据权利要求5所述的一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤2中衬底(1)上P型NiFe2O4层生长时采用磁控溅射设备，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，以氩气Ar和氧气O2作为溅射气体，溅射时Ar:O2比例为10:1～5:1，衬底温度为500～600℃，溅射压强控制为0.5～5Pa，溅射功率控制为100～200W，溅射时间控制为0.1～5小时，之后将溅射得...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡继超，许蓓，贺小敏，臧源，李连碧，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61