一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于二硒化铂/n‑型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法，该颜色探测器是由两个相同的二硒化铂/n‑型超薄硅肖特基结单元叠合而成，当光从第一肖特基结单元的上表面逐层照射颜色探测器时，第一肖特基结单元与第二肖特基结单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明专利技术的颜色探测器制备工艺简单、成本低廉、性质稳定、电流开关比大、响应速度快。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法
本专利技术属于光电探测器
，具体涉及一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法。
技术介绍
颜色探测器是一种能将光信号转换成电信号的光电器件，属于光电探测器的一种，不仅可以实现光信号的探测，还能实现波长的有效识别。低成本高性能颜色探测器在人工智能辅助驾驶、图像传感、光通信、火灾检测、生物医学成像、环境监测、空间探测与安全检测等诸多科学研究与工业
有重要的应用价值，因而得到了人们广泛的关注。硅作为一种重要的半导体材料，一直推动着半导体工业的进步。但是，由于硅的厚度过大，不适合与各种形状和大小的基础设施集成，给光电探测器的发展带来了很大的不便。基于对轻量级和灵活性的更高要求，超薄硅片慢慢进入研究中。超薄硅具有很好的柔韧性以及机械灵活性，对于太阳能电池以及可穿戴领域都具有重要意义。此外对于扩散长度较短的少数载流子来说，使用较薄的硅衬底有助于减少电子-空穴复合，也是其的一种优势。但是，目前普遍研究的是由单个超薄硅片组成的光电探测器，研究角度过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器，其特征在于：所述颜色探测器是由两个相同的肖特基结单元组合而成；/n所述肖特基结单元是在玻璃衬底(1)的上表面固定有n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有二硒化铂薄膜(3)；在所述n-型超薄硅片(2)上设置有与其呈欧姆接触的n-型超薄硅接触电极(4)，在所述二硒化铂薄膜(3)上设置有与其呈欧姆接触的二硒化铂接触电极(5)；在所述异质结单元中，由n-型超薄硅片与二硒化铂薄膜构成肖特基结；/n以第一肖特基结单元的玻璃衬底的下表面与第二肖特基结单元的玻璃衬底的上表面叠合，即构成颜色探测器；/n当光从第一肖特基结单元的上表面逐层照...

【技术特征摘要】
1.一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器，其特征在于：所述颜色探测器是由两个相同的肖特基结单元组合而成；
所述肖特基结单元是在玻璃衬底(1)的上表面固定有n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有二硒化铂薄膜(3)；在所述n-型超薄硅片(2)上设置有与其呈欧姆接触的n-型超薄硅接触电极(4)，在所述二硒化铂薄膜(3)上设置有与其呈欧姆接触的二硒化铂接触电极(5)；在所述异质结单元中，由n-型超薄硅片与二硒化铂薄膜构成肖特基结；
以第一肖特基结单元的玻璃衬底的下表面与第二肖特基结单元的玻璃衬底的上表面叠合，即构成颜色探测器；
当光从第一肖特基结单元的上表面逐层照射所述颜色探测器时，第一肖特基结单元与第二肖特基结单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。


2.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述玻璃衬底(1)的厚度为0.8-1mm。


3.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述n-型超薄硅片(2)采用厚度为20-30μm、电阻率为1-7Ω/cm的n-型轻掺杂硅片。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗林保，姜心愿，尹翔，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34