氧化镓基PN结光电探测器、远程电晕监测系统及制作方法技术方案

本发明专利技术属于监测领域，具体涉氧化镓基PN结光电探测器、远程电晕监测系统及制作方法，氧化镓基PN结光电探测器包括依次层叠设置的蓝宝石单晶衬底、n型Sn:β‑Ga

【技术实现步骤摘要】
氧化镓基PN结光电探测器、远程电晕监测系统及制作方法
本专利技术属于监测领域，具体涉及氧化镓基PN结光电探测器、远程电晕监测系统及制作方法。技术背景电弧、电晕以及局部放电等因素长时间出现会损害高压设备，甚至引发电力系统瘫痪，在超高压直流输变电系统中，确保电力系统的安全可靠运行尤为重要。同时，电弧放电也会严重地影响人身安全。因此，如何准确、及时、有效地检测电弧放电的位置及强弱对保证电力系统可靠运行、减少设备损坏和确保人身安全具有重要的意义。目前，电弧放电探测线路巡检主要有人工目视检查、远红外望远镜、超声波电晕检测和日盲紫外检测技术等，由于太阳光中含有很强的红外线，用红外线望远镜观察误检率较高，而超声波电晕检测装置探测距离较近，在使用中的人为影响因素较多，检测误差较大。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种氧化镓基PN结光电探测器及制作方法、远程电晕监测系统及制作方法，氧化镓基PN结光电探测器灵敏度高、稳定性好，可以远程监测高压电弧、电晕发出的紫外线强度等。为了解决上述技术问题，本专利技术提供的一种技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镓基PN结光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的蓝宝石单晶衬底、n型Sn:β-Ga

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓基PN结光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的蓝宝石单晶衬底、n型Sn:β-Ga2O3薄膜和p型Zn:La2O3薄膜，设置于所述Zn:La2O3薄膜远离所述Sn:β-Ga2O3薄膜一侧的第一Ti/Au条形薄膜电极，以及设置于所述Sn:β-Ga2O3薄膜一侧远离所述蓝宝石衬底一侧的第二Ti/Au条形薄膜电极，其中，Zn:La2O3薄膜的面积为所述Sn:β-Ga2O3薄膜面积的二分之一；所述Sn:β-Ga2O3薄膜中Sn的掺杂浓度为3-5at％，所述Zn:La2O3薄膜中Zn的掺杂浓度为3-5at％，所述Sn:β-Ga2O3薄膜和Zn:La2O3薄膜之间形成Zn:La2O3/Sn:β-Ga2O3PN结结构。


2.根据权利要求1所述的一种氧化镓基PN结光电探测器，其特征在于，所述Sn:β-Ga2O3薄膜的厚度为200-500nm，所述Zn:La2O3薄膜的厚度为200-500nm。


3.根据权利要求1所述的一种氧化镓基PN结光电探测器，其特征在于，所述第一Ti/Au条形薄膜电极和第二Ti/Au条形薄膜电极的长度与Sn:β-Ga2O3薄膜的宽度相等，宽度为Sn:β-Ga2O3薄膜长度的1/6。


4.根据权利要求1所述的一种氧化镓基PN结光电探测器，其特征在于，所述p型Zn:La2O3薄膜的禁带宽度为5.5eV，n型Sn:β-Ga2O3薄膜的禁带宽度为4.9eV，氧化镓基PN结光电探测器用于检测220nm-260nm波段的深紫外光谱。


5.一种远程电晕监测系统，其特征在于，包括权利要求1-4任意一项所述的氧化镓基PN结光电探测器，测试电路、指示灯和通信模块，所述测试电路与氧化镓基PN结光电探测器的第一Ti/Au条形薄膜电极和第二Ti/Au条形薄膜电极分别连接，所述指示灯与所述测试电路连接，用于显示测试情况；所述通信模块用于接收所述测试电路所测试的电信号，并将所述电信号转化为通信信号发出。


6.一种氧化镓基PN结光电探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
将多靶磁控溅射沉积系统的两个靶台位置分别放置Ga2O3靶和La2O3靶，并在Ga2O3靶起辉圈周围放...

【专利技术属性】
技术研发人员：张香丽，
申请(专利权)人：张香丽，
类型：发明
国别省市：浙江;33