张香丽专利技术

张香丽共有9项专利

  • 本实用新型涉及功率放大器技术领域,具体为一种具有屏蔽功能的功率放大器,包括固定壳,所述固定壳的内部设置有调节机构,所述固定壳的顶部固定连接有固定块,所述固定块远离固定壳的一侧固定连接有接收天线,所述固定壳远离固定块的一侧固定连接有功能机...
  • 本实用新型属于锂电池技术领域,尤其为一种用于锂电池加工用的夹持机构,包括底盘,所述底盘的上方设置有第一支撑板,所述第一支撑板的一端通过旋转轴活动连接有第二支撑板。该用于锂电池加工用的夹持机构,通过第一齿轮与第二齿轮啮合的方式使锂电池旋转...
  • 本发明属于监测领域,具体涉氧化镓基PN结光电探测器、远程电晕监测系统及制作方法,氧化镓基PN结光电探测器包括依次层叠设置的蓝宝石单晶衬底、n型Sn:β‑Ga
  • 本发明属于光电探测器领域,具体涉及基于有机‑无机多异质结纳米阵列的广谱光电探测器及其制备方法,包括ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga
  • 基于β-Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3异质结的气敏传感器
    本发明涉及基于β‑Ga2O3/CuGa2O4/[HONH3]PbI3异质结的气敏传感器及其制备方法,包括金插指电极,ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga2O3薄膜,位于β‑Ga2O3薄膜上方的β‑Ga2O3/CuGa2...
  • 一种嵌入型TiO2空心球/GaN/Ga2O3异质结光催化薄膜及其制备方法
    本发明属于光催化薄膜领域,具体涉及一种嵌入型TiO2空心球/GaN/Ga2O3异质结光催化薄膜及其制备方法,包括ITO透明导电玻璃,位于ITO透明导电玻璃上的β‑Ga2O3薄膜,位于β‑Ga2O3薄膜上的GaN薄膜,β‑Ga2O3薄膜与...
  • 本发明涉及一种紫外探测器,具体是指一种高光谱选择性和高灵敏度紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型4H-SiC衬底上沉积一层β-Ga2O3薄膜,然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型4H-SiC衬底和β-Ga2...
  • 一种甲酸钙单晶光学材料及其制备方法
    本发明公开了一种甲酸钙单晶光学材料及其制备方法,甲酸钙单晶光学材料由甲酸钙单晶组成,所述的甲酸钙单晶为无色透明晶体,甲酸钙单晶化合物的化学式为Ca(HCOO)2,所述的甲酸钙单晶的尺寸为3.0×3.0×2.0~5.0×5.0×3.0mm...
  • 一种甲酸盐类LiCa(COOH)3单晶光学材料及其制备方法
    本发明公开了一种甲酸盐类LiCa(COOH)3单晶光学材料及其制备方法,由尺寸为4.0×4.0×1.5~4.5×4.5×2.5mm3的LiCa(COOH)3单晶组成。所述的LiCa(COOH)3单晶为无色透明晶体。所述的LiCa(COO...
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