一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器及制备方法，其结构特点自下而上分别是GaAs衬底、GaAs缓冲层、Al

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器及制备方法
本专利技术是一种太赫兹探测技术，具体指一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器及制备方法。其主要原理是GaAs和AlGaAs形成的二维电子气具有非常高的电子迁移率，并可与THz波产生等离子共振，增强了THz波的吸收，提高了THz波的光电转换效率。同时可通过栅电压来调控太赫兹的吸收和光电转化，实现高稳定，高灵敏，高速的室温太赫兹探测和成像。
技术介绍
太赫兹波由于其独特的性质有着非常广阔的应用前景，但目前由于其理论的匮乏以及太赫兹光源的限制，还没有大规模的使用。但是最近20年的超快电子技术的发展，为太赫兹波段提供了合适的光源以及探测手段，关于高功率太赫兹光源以及探测手段一时间成为了全球研究的热点。1993年，等离子体波的非线性特性可以探测太赫兹波被Dyakonov和Shur首次提出，太赫兹波激发沟道内的等离子体波，等离子体波的非线性特性和非对称的边界条件，可使其感应出一个恒定电压，即为太赫兹响应。1998年，非共振检测形式首先在GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)中发现。从那以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器，包括GaAs衬底(9)、GaAs缓冲层(8)、Al

【技术特征摘要】
1.一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器，包括GaAs衬底(9)、GaAs缓冲层(8)、Al0.3Ga0.7As势垒层(6)、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层(5)和掺杂硅的GaAs势垒层(4)，其特征在于：
所述太赫兹探测器的结构自下而上依次是GaAs衬底(9)、GaAs缓冲层(8)、Al0.3Ga0.7As势垒层(6)、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层(5)和掺杂硅的GaAs势垒层(4)，源极(2)和漏极(3)都位于GaAs缓冲层(8)上并且位于Al0.3Ga0.7As势垒层(6)、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层(5)和掺杂硅的GaAs势垒层(4)两端，与Al0.3Ga0.7As势垒层(8)与GaAs缓冲层(6)之间形成的二维电子气沟道(7)形成欧姆接触，栅极(1)位于掺杂硅的GaAs势垒层(4)上方并与掺杂硅的GaAs势垒层形成肖特基接触；
所述的Al0....

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，朱久泰，郭万龙，陈效双，陆卫，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31