一种基于二碲化钯薄膜/n-型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于二碲化钯薄膜/n‑型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法，是由两彼此不接触的二碲化钯薄膜分别与n‑型超薄硅形成范德瓦尔斯异质结，该颜色探测器在正面受光与背面受光时的电流比，随被探测光波长的增大而单调降低，从而可根据电流比识别被探测光的波长。本发明专利技术的颜色探测器工艺简单、成本低廉、性质稳定、颜色识别度高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二碲化钯薄膜/n-型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法
本专利技术属于颜色探测器
，具体涉及一种基于二碲化钯薄膜/n-型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器及其制备方法。
技术介绍
颜色探测器是一种能将光信号转换成电信号的光电器件，属于光电探测器的一种，不仅可以实现光信号的探测，还能实现波长的有效识别。低成本高性能颜色探测器在人工智能辅助驾驶、图像传感、光通信、火灾检测、生物医学成像、环境监测、空间探测与安全检测等诸多科学研究与工业
有重要的应用价值，因而得到了人们广泛的关注。目前，在应用广泛的可见光-近红外光波段(波长<1100nm)，基于晶体硅的光电探测器占据主要的市场份额。得益于成熟的加工工艺以及与硅基CMOS工艺的良好兼容性，人们成功研制出多种具有不同器件结构的硅基光电探测器，包括金属-半导体-金属颜色探测器、p-n(p-i-n)结和肖特基结光电二极管等。其中，p-n(p-i-n)结和肖特基结光电二极管具有固有内建电场，能够有效促进光生载流子的分离和传输，因而在高速光电探测以及低功耗光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二碲化钯薄膜/n-型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器，其特征在于：以n-型超薄硅基底(1)作为所述颜色探测器的基区；在所述n-型超薄硅基底(1)的上表面间隔设置有一对绝缘薄膜(2)；在两绝缘薄膜(2)上皆设置有一个二碲化钯薄膜接触电极(3)，所述二碲化钯薄膜接触电极(3)的边界不超出相应绝缘薄膜(2)的边界；/n在各二碲化钯薄膜接触电极(3)上皆铺设一个二碲化钯薄膜(4)，所述二碲化钯薄膜(4)一部分与二碲化钯薄膜接触电极(3)接触、剩余部分与两绝缘薄膜(2)之间的n-型超薄硅基底接触，且两二碲化钯薄膜(4)彼此不接触；两二碲化钯薄膜分别与n-型超薄硅形成范德瓦尔斯异质结；/n所...

【技术特征摘要】
1.一种基于二碲化钯薄膜/n-型超薄硅范德瓦尔斯异质结的颜色探测器，其特征在于：以n-型超薄硅基底(1)作为所述颜色探测器的基区；在所述n-型超薄硅基底(1)的上表面间隔设置有一对绝缘薄膜(2)；在两绝缘薄膜(2)上皆设置有一个二碲化钯薄膜接触电极(3)，所述二碲化钯薄膜接触电极(3)的边界不超出相应绝缘薄膜(2)的边界；
在各二碲化钯薄膜接触电极(3)上皆铺设一个二碲化钯薄膜(4)，所述二碲化钯薄膜(4)一部分与二碲化钯薄膜接触电极(3)接触、剩余部分与两绝缘薄膜(2)之间的n-型超薄硅基底接触，且两二碲化钯薄膜(4)彼此不接触；两二碲化钯薄膜分别与n-型超薄硅形成范德瓦尔斯异质结；
所述颜色探测器在正面受光与背面受光时的电流比，随被探测光波长的增大而单调降低，从而可根据电流比识别被探测光的波长。


2.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述n-型超薄硅基底(1)采用厚度为20-100μm、电阻率为1-100Ω/cm的n-型轻掺杂硅片。


3.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述绝缘薄膜(2)为二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧化铝薄膜或者氧化铪薄膜；所述绝缘薄膜(2)的厚度为30-300nm。


4.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述二碲化钯薄膜接触电极(3)为Au电极、Pt电极或Pd电极，所述二碲化钯薄膜接触电极(3)的厚度为30-300nm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗林保，童小伟，王悦，李家祥，王俊杰，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34