一种基于β-Ga制造技术

本发明专利技术属于光电探测技术领域，具体涉及一种柔性日盲区深紫外光电探测器及其制备方法和应用，本发明专利技术提供一种β‑Ga

【技术实现步骤摘要】
一种基于β-Ga2O3薄膜的柔性日盲区深紫外光电探测器及其制备方法和应用
本专利技术涉及光电探测
，特别涉及一种柔性日盲区深紫外光电探测器及其制备方法和应用。
技术介绍
由于臭氧层的存在，太阳光谱中波长小于280nm的光波会被臭氧层吸收而无法到达地面，因而把波长低于(包括)280nm的紫外波段称之为“日盲区”紫外光。这种波长特殊的日盲区紫外光波具有抗干扰能力强、高的灵敏度、低背景噪音等优点。这些先天优势使得日盲区深紫外光波技术在新一代短距离信息交流领域具有潜在的应用，此外，在导弹示警、明火监测、生物医疗分析、刑事侦查等领域也得到了广泛运用。依据日盲区深紫外光探测技术，人们已经制备出了稳定性高、功耗低、重量轻的日盲区深紫外光探测器。传统的半导体Si、Ge、AlxGa1-xN、MgxZn1-xO和金刚石等半导体虽然可以作为日盲区深紫外光电探测器材料，但是都有各自的一些缺点，如：禁带宽度窄、难以制备、难以调节禁带宽度以及价格昂贵等。Ga2O3是一种直接带隙的宽禁带半导体，它有5种不同结构的同分异构体，其中以单斜晶系的β-Ga2O本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种β-Ga

【技术特征摘要】
1.一种β-Ga2O3柔性薄膜，其特征在于，所述β-Ga2O3柔性薄膜以柔性材料为衬底。


2.根据权利要求1所述的β-Ga2O3柔性薄膜，其特征在于，所述柔性材料的厚度为10-100μm。


3.权利要求2所述的β-Ga2O3柔性薄膜的制备方法，其特征在于，所述β-Ga2O3薄膜在柔性材料衬底上的沉积条件为：温度600～700℃，腔体氧气分压10-4～30Pa，频率3～5Hz，激光能流密度2.5～3.0Jcm-2。


4.一种含有权利要求1至3任一项所述的β-Ga2O3柔性薄膜的光电检测器。


5.根据权利要求4所述的β-Ga2O3柔性薄膜的光电检测器，其特征在于，所述光电检测器以金属或金属氧化物薄膜为生长电极。


6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆旭兵，郭敏，
申请(专利权)人：肇庆市华师大光电产业研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44